高可靠性、高性能氮化镓(GaN)功率转换产品的先锋和全球供应商Transphorm（OTCQX：TGAN），计划在由充电头网主办的2021（秋季）USB PD&Type-C亚洲展(11月26日举办)上推介其高压GaN FET器件。推介的四款氮化镓功率管具有不同的导通电阻，采用行业标准的PQFN封装或者热性能优良的TO-220封装，适用范围覆盖所有常用充电器拓扑。
Transphorm同时还将展示上述这些器件在USB-PD模式适配器中的卓越性能。感兴趣的与会者可前往 Transphorm的C08展位了解详细信息。
- TP65H480G4JSG FET (点击进入产品页)
- TP65H480G4JSG 650V 480mΩ GaN FET是一款常关型器件，采用共源极PQFN56封装，该器件属于Transphorm的第四代SuperGaN®产品系列。
- TP65H300G4LSG FET（点击进入产品页）
TP65H300G4LSG 650V 240mΩ GaN FET 是一款常关型器件，采用共源极PQFN88封装。该器件属于 Transphorm的第四代SuperGaN产品系列。
- TP65H150LSG FET（点击进入产品页）
- TP65H150LSG 650V150mΩ GaN FET是一款常关型器件，采用共源极PQFN88封装，属于Transphorm的第三代产品，将被第四代 SuperGaN TP65H150G4LSG FET取代。新产品同样为650V 150mΩ的PQFN88封装器件，目前可提供样品。
- TP65H150G4PS FET（点击进入产品页）
- TP65H150G4PS 650V150mΩ GaN FET是一款常关型器件，采用共源极TO-220封装。该器件属于 Transphorm 第四代 SuperGaN 产品系列，支持 100瓦以及更高的功率水平。目前可提供样品。
上述几款功率管适用于展会上展示的多款适配器设计中，其中包括：
- 45瓦准谐振反激式USB-C PD及PPS电源适配器
- 65瓦有源钳位反激式USB-C PD电源适配器
- 65瓦准谐振反激式USB-C PD电源适配器
- 100瓦PFC+QRF架构USB-C PD及PPS电源适配器
- 130瓦PFC+ACF架构USB-C PD电源适配器
- 250瓦带功率因数校正半桥LLC充电器
上述适配器设计的功率密度介于18至30W/in3之间，90V交流输入电压、全功率下的功率转换效率超过94% 。此外，这些适配器设计支持PD和PPS等USB-C充电协议，并可应用于未来逐渐发展的USB标准。
SuperGaN 技术的与众不同之处
Transphorm 的第四代 SuperGaN 技术是当今市场上性能最高、可靠性最高的氮化镓解决方案。其主要优势包括：
- 性能提升：第四代产品的效率曲线更平坦、更高，其品质因数 (RON*QOSS) 优于其前任第三代产品。
- 更优异的可设计性：Transphorm性能稳健的GaN FET可使用任何现成的栅极驱动。与大多数其它氮化镓解决方案不同，Transphorm的器件不需要定制驱动器或使用复杂的bias端口匹配电路。
- 增强的启动峰值电流(di/dt)性能：第四代产品取消了半桥中内置续流二极管功能的启动电流限制，这是Transphorm拥有专利的一项重要的氮化镓器件架构。
- 器件价格优惠：Transphorm第四代产品在芯片和封装级别上采用了设计创新和专利技术，氮化镓器件价格更接近硅基功率器件
关于Transphorm
Transphorm，GaN革命的全球领导者之一，设计和制造面向高压功率转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓半导体器件。Transphorm拥有业界最庞大的功率氮化镓知识产权组合之一，持有或取得授权的专利超过1,000多项，在业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的高压GaN半导体器件。得益于垂直整合的器件业务模式，公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新：设计、制造、器件和应用支持。Transphorm的创新正在推动电力电子器件突破硅的局限性，实现了99%以上的效率，并将功率密度提高了40%以及将系统成本降低了20%。Transphorm 总部位于加州戈利塔，并在戈利塔和日本会津设有制造工厂。
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SuperGaN是Transphorm公司的注册商标。所有其它商标均归其各自所有者所有。
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