珠海镓未来科技正式量产两款低动态内阻GaN功率器件---- G1N65R150PB-N和G1N65R150TA-N,兼容SuperJunction驱动,方便快速设计符合PD3.1标准的240W快充。
珠海镓未来科技是国内领先的氮化镓功率器件生产企业,致力于Cascode结构氮化镓产品的研发和生产,该结构结合了硅器件的易用性和氮化镓器件的高频率高效率的特点,可以实现高达10千瓦的高功率密度电源解决方案。最近,针对于PD3.1上限240W功率等级的要求,镓未来正式量产两款低动态内阻cascode氮化镓器件----G1N65R150PB-N和G1N65R150TA-N, 在25度环境温度下动态内阻不超过150mohm,提供DFN8x8和TO-220插件封装。以其强壮的抗干扰能力和简易的驱动方式,助力用户实现简洁高效的PD3.1氮化镓快充设计。
- 更低动态电阻,提高转换效率
在高压应用中,尽管氮化镓器件可以大大降低开关损耗,但存在一个对导通损耗不利的特性,称为动态内阻。从高压阻断状态变化成导通状态后的一小段时间,氮化镓器件不能立刻工作到长时间导通的内阻状态(静态内阻),此时的阻值高于静态内阻。普通增强型氮化镓器件比静态上浮30%左右,尤其是在150度结温时,动态内阻往往高达25度结温时静态内阻的250%。G1N65R150PB-N和G1N65R150TA-N采用特殊工艺,动态内阻得到降低,25结温时动态内阻仅150mohm,150度结温时仅为25度结温时的1.5倍,极大的降低了导通损耗,满足了240W适配器的苛刻要求。
- 更高栅极耐压,从容应对多种控制器方案。
相别于普通增强型氮化镓功率器件不超过7.5V的栅极耐压,镓未来的所有氮化镓产品栅极可以耐受的极限电压高达20V,这就可以兼容用于驱动超结器件的控制器。这些控制器的驱动电压通常为12V,如果用于驱动普通增强型氮化镓器件,需要增加分压阻容网络和钳位齐纳二极管,驱动线路多达8个器件。而采用镓未来的氮化镓器件,驱动线路仅需3个电阻及一个二极管,与传统硅超结器件相同,简洁的外围电路有效降低了占用的PCB面积,特别适合小尺寸的快充设计。
- 更高阈值电压,避免误导通
普通增强型氮化镓的阈值电压通常不超过1.7V,这与硅超结器件(典型值一般在3V左右)相比,其抗噪声干扰能力降低,增加了误导通的风险了。因此产品封装和Layout处理起来相对比较麻烦,需要尽可能减少源极寄生电感的影响。G1N65R150PB-N和G1N65R150TA-N将开通阈值电压提高到了3.5V, 可以有效降低栅极噪声带来的误导通风险,电源产品设计更为容易。
G1N65R150PB-N和G1N65R150TA-N已经正式量产,并且在240W Demo board上实现了最高95.9%的转换效率。
有需求的伙伴可以与镓未来科技联系,获取更多产品详细信息。
邮箱地址sales@ganext.com
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