2021（秋季）USB PD＆Type-C 亚洲大会将于11月26日在深圳南山区科兴科学园举办，英诺赛科 高级产品应用经理 邹艳波先生将出席本次峰会并发表演讲，演讲主题为：《高性能All GaN 方案为USB PD3.1 应用加速》。
邹艳波先生，在氮化镓高频高密电源开发应用领域具有丰富经验，原任职于ICT领域知名企业，从事手机、AI智能云服务器和5G通信设备供电方案的前沿技术研究和开发。邹艳波先生现任英诺赛科高级产品应用经理一职, 负责氮化镓器件应用技术的研发与规划，构建InnoGaN产品与解决方案在快充、大数据中心、人工智能、新能源汽车等战略新兴领域的竞争力。
关于英诺赛科
英诺赛科是一家专注于硅基氮化镓领域研发与制造一体化的企业，公司采用IDM商业模式，率先建立了全球首条硅基8英寸硅基氮化镓量产线。产品主要包括高压GaN FETs，低压（200V及以下）GaN FETs，及GaN IC，分别应用于5G基站、工业互联网、数据中心、自动驾驶、5G通讯、快充等领域。英诺赛科以产品创新为驱动力，以先进的工艺和领先的器件性能，实现终端应用高频高效、小体积化，为客户提供具有核心竞争力的产品及优质服务。致力于用硅基氮化镓打造绿色高效新世界！
英诺赛科在2021（秋季）USB PD & Type-C 亚洲大会的展位设在B03-B04，感兴趣的观众可前往展台B03-B04进一步交流。
评论 (0)