必易微推出合封氮化镓反激芯片KP22066

将氮化镓器件和控制器封装在一起，已经成为了电源芯片原厂的优先选择。通过合封的方式将器件集成在一个封装内部，符合芯片高集成化的目标，并且降低寄生参数对氮化镓高频开关的干扰，同时还能简化充电器的设计，减少外围器件的数量，加快充电器的生产。

必易微推出了两款采用反激拓扑的氮化镓合封芯片KP22064和KP22066，具有极低的待机功耗。高集成度的合封芯片可以减少充电器外围器件数量，能够实现高效率，小体积的开关电源设计。

KP22064和KP22066均内置650V氮化镓开关管，其中两款器件内置的氮化镓开关管导阻不同，支持的功率也不同，KP22064内置365mΩ氮化镓开关管，支持30-45W输出功率。KP22066内置165mΩ氮化镓开关管，支持45-100W输出功率。

KP2206X系列合封芯片内部集成650V氮化镓开关管，集成高压启动，集成X电容放电和输入过压、欠压保护功能，具有＜30mW的极低待机功耗，采用谷底锁定模式降低开关损耗。KP2206X具有三档工作频率可通过管脚配置，支持140kHz、300kHz、500kHz，支持9-112V供电电压，适配宽电压输出应用。

KP2206X内置峰值电流抖动功能以优化EMI，支持绿色模式和打嗝模式工作，芯片内集成了供电欠压、过压保护，集成输入欠压、过压保护，集成输出过压保护，逐周期电流限制，过载保护，过流保护，过热保护，电流取样电阻开路保护等保护措施。

值得一提的是，KP2206X合封芯片还支持双绕组为芯片供电，具有两个供电引脚，可以根据输出电压，切换供电绕组抽头。当输出电压范围宽且输出电压较高时，芯片可自动切换成低压绕组供电，降低芯片损耗。采用必易微专有的DFN8*8封装，将功率走线和控制走线分离，并采用大面积散热PAD，有效降低温升，具有优秀的散热性能。

图为必易微KP2206X氮化镓合封芯片的应用电路图，支持双绕组供电，支持宽广的输出电压范围。

通过将氮化镓器件封装到芯片内部，成为合封，明显简化了充电器的初级电路。氮化镓开关管和控制器封装在一个封装内部，无需PCB走线，将驱动回路大大缩小，减小了寄生参数对高频开关的影响，简化设计并提高效率。

必易微推出的两款氮化镓合封器件，均采用散热增强的DFN8*8封装，有效降低热阻，提升散热性能。芯片支持三档工作频率，满足不同功率密度的设计。双绕组供电使芯片支持更宽的输出电压范围，满足USB PD快充高效率，小体积，低待机功耗的需求。