氮化镓合封芯片通过将控制器和氮化镓开关管集成到一个封装内部，可以将电源中传统两颗料的初级电路，简化成只有一颗芯片，简化快充的设计及调试，并且降低器件和制造成本，提高快充功率密度，提升快充产品的竞争力。
美思半导体在推出了一系列的高集成数字智能快充电源芯片，并且该公司2020年7月份在国内率先打破国内空白推出氮化镓直驱SOC芯片MX6535之后，再次推出重磅的新产品系列，这是一款内置数字控制核心的全集成度的氮化镓合封电源芯片. 配合其公司的“Simple and Reliable Solutions”产品设计理念.
美思半导体将注册的商标名为 “SimpleGaN”系列，意为极简氮化镓应用。SimpleGaN系列产品内置该公司专有的第二代“Smart-Feedback”数字控制技术，有效的减少了外围器件，具备业界领先的超高集成度，通过合封集成到一颗芯片中，能够有效降低传统设计中走线寄生参数对氮化镓高频开关的影响，提高开关速度并提高产品的可靠性。
氮化镓相比传统硅器件具有低开关损耗，高开关频率的优势，合封整合之后更是将氮化镓高速低损耗性能优势充分发挥，具备高集成度，高转换效率的优势，美思半导体MSG751X系列电源芯片具备18W-66W输出功率，充分满足不同功率段快充选型要求，实现成本优化。
美思半导体的SimpleGaN系列快充电源芯片内部集成650V高性能氮化镓器件，内置第二代Smart-feedback数字控制模块，无需外围环路补偿网络。支持高通QC3.0 3.3-21V输出，满足20mV输出的PPS电压步进标准，初级内置MTK PE快充协议。专为USB PD快充等宽输出电压的快充应用而设计，采用SOP13封装，对于大规模量产，提升生产效率，降低生产成本具有无可比拟的优势。此次推出的SimpleGaN系列中的MSG7515最高支持55W的输出功率。
美思半导体SimpleGaN系列初级芯片内置峰值电流模式控制的反激控制器，具有高性能，低EMI，低待机功耗以及保护功能全面等优势。初级芯片可实现多级恒压恒流输出，无需传统的次级反馈电路，有效的节省了外围器件的数量，并提高了系统整体的稳定性。
SimpleGaN系列全集成氮化镓合封芯片初级控制芯片的搭配美思半导体的内置同步整控制器及同步整流功率MOSFET，以及全快充协议的次级 MX551X系列SOC芯片，能非常简单的完成一个整体的快充电源设计，美思半导体初次级SOC套片搭配设计仅需极简的外围器件就能设计出高性能的快充电源适配器，将同步整流控制器以及同步整流功率MOSFET加上全快充协议的数字控制核心三合一于一个封装内，在提供产品所需的丰富快充协议及功能外，达成精简外围器件，有效的缩短研发时间减低系统成本和产品生产成本，在超高功率密度的迷你应用场合，美思半导体的相关产品系列在业界具备非常强的优势。
关于美思半导体
成立于2013年的美思半导体此前已在快充行业中创下多项记录。比如，在半导体国产化的进程中，美思半导体快充套片率先进入了中兴通讯、联想、诺基亚、魅族、阿尔卡特(TCL)、传音、Verizon等多家知名手机品牌的原装快充充电器供应链；并在2020年第三代半导体氮化镓技术来临之际，推出国内首颗GaN控制器+驱动器一体化芯片，打破国外垄断；可以预见美思半导体这几年不断的技术积累形成的优势将在未来快充市场大放异彩。
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