前言
随着 PD3.1 市场的火热，越来越多的电源厂商开始布局相关电源产品，工程师在开发大功率PD3.1电源时，可通过采用氮化镓驱动芯片替代传统方案，简化PFC电路设计；不仅如此，氮化镓驱动合封芯片也能在AHB拓扑等应用中大展身手，应用前景十分广泛。
近期，成都氮矽科技有限公司推出了两款合封氮化镓芯片 DXC0765S2C 和 DXC1065S2C，将 650V 增强型氮化镓晶体管及其驱动器封装在一个芯片内部，降低了氮化镓快充产品开发门槛，丰富了合封氮化镓电源芯片市场。
氮矽科技合封氮化镓新品登场
氮矽 DXC0765S2C 是一款集成 650V 增强型氮化镓晶体管及驱动器的合封氮化镓芯片，耐压 650V，导阻 400mΩ，最大漏源极电流 7A，单极正电压门极驱动电压 0V~6V，支持3.3V和5V控制信号，开关速度超10MHz，具有零反向恢复损耗。
氮矽 DXC1065S2C 导阻 200mΩ，最大漏源极电流 10A，其余主要参数与 DXC0765S2C 相同；DXC1065S2C 和 DXC0765S2C 可应用在快充电源、LED照明驱动器、PFC电路、LLC转换器、无线电力传输等领域。
氮矽合封氮化镓产品采用与单GaN管相同的 DFN5x6 封装，具备很强的通用性，相比传统分离驱动方案，可节省约40%占板面积；此外，采用合封氮化镓芯片可有效减少驱动回路走线，降低寄生参数，应用极限频率更高。
上图为分离驱动方案与合封驱动方案的驱动振铃电压测试图，在下拉电阻同为0Ω的情况下，实测分离驱动方案的驱动振铃电压为1.8V，而合封驱动方案的驱动振铃电压仅仅只有0.24V。增强型氮化镓晶体管的阈值电压一般为1~2V，如果应用工程师选择增加下拉电阻的阻值来防止功率管的误开启，那么势必会影响管子的关断速度，导致应用频率受到限制。
上图为分离驱动方案与合封驱动方案的温升测试图，由于省去了下拉电阻，所以其驱动损耗也低于分离驱动方案，同样的应用条件下，合封驱动方案温度更低，效率更高。
充电头网总结
氮矽科技推出的两款合封氮化镓芯片 DXC0765S2C 和 DXC1065S2C，采用 DFN5x6 封装，导通电阻分别为 400mΩ 和 200mΩ。通过将 650V 增强型氮化镓晶体管及其驱动器封装在一个芯片内部，既能够提升整体方案的性能，同时也能减少PCB板的占用，缩小尺寸并减少BOM成本。
氮矽科技2019年成立于成都高新区，2020年初推出氮化镓专用驱动器，填补国内空白，同年底量产多款650V氮化镓晶体管，包括全球最小650V氮化镓器件。截止2022年，氮矽科技已量产各种封装类型的650V/80-400mΩ氮化镓功率器件，以及80-200V氮化镓半桥驱动器、超高速，宽范围输出的低侧氮化镓驱动器等。
氮矽科技凭借在氮化镓领域的先发优势，敢于人先，在氮化镓器件设计、产品封装和测试领域先后实现技术突破，使其在功率氮化镓及其驱动领域具备强大的竞争力。
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