充电器PFC升压控制器采用安森美NCP1623,搭配纳微氮化镓功率芯片NV6136A,HFB半桥采用英飞凌XDPS2201混合反激控制器搭配IGI60F1414A1L半桥氮化镓芯片组成。得益于全球首发的HFB架构,大大缩小了充电器体积。内置了首次商用的英飞凌氮化镓半桥芯片,为氮化镓快充提供集成度更高,体积更小,能效更高的解决方案。
充电器PFC升压控制器采用安森美NCP1623,搭配纳微氮化镓功率芯片NV6136A,HFB半桥采用英飞凌XDPS2201混合反激控制器搭配IGI60F1414A1L半桥氮化镓芯片组成。得益于全球首发的HFB架构,大大缩小了充电器体积。内置了首次商用的英飞凌氮化镓半桥芯片,为氮化镓快充提供集成度更高,体积更小,能效更高的解决方案。
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