前言
当今,中低压MOS在PD快充中主要应用在同步整流、输出VBUS、同步升降压、无线充电线圈驱动以及充电输入保护电路等几大场景。而随着快充技术的不断发展,充电功率不断提高,对中低压MOS 管的耐压、电流承载能力等要求也将不断提升,以满足更高功率快充的需求。而威兆很早便针对PD快充特点针对性推出了各类中低压MOS,满足厂商的多元化需求。
充电头网了解到,深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012年,总部位于深圳市南山智园崇文园区,在珠海、上海、天津、香港、韩国水原等地设有研发中心及办事处,是国家级高新技术企业和国家级专精特新“小巨人”企业,并已获得CNAS实验室认可,通过了IS09001、ISO14001、ISO45001、IATF16949、QC080000等体系认证。
自成立以来,威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究,凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET/IGBT单管、模块以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。产品涵盖传统硅基及第三代化合物半导体SiC和GaN,并广泛应用于消费类电源、汽车电子、电机驱动、工业电源、通信等领域。
威兆半导体一直坚定不移地提升研发技术、供应链技术整合、品质管控、技术行销等综合能力,坚持以卓越的质量和持续的技术创新为客户创造价值,打造一流功率半导体价值运营体系,服务全球一流价值客户。
威兆MOS管2024年度应用案例汇总

充电头网通过整理2024年度拆解数据,发现威兆旗下中低压MOS管获安克、大疆、一加、小米等知名品牌的数十款产品采用,年出货量十分可观。
低压MOS
威兆VS3610AE
威兆VS3610AE为5V逻辑电平控制的增强型NMOS,开关频率高,导阻为4mΩ,采用PDFN3333封装。

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威兆VS3618AE
威兆VS3618AE是一款耐压30V的增强型NMOS,采用PDFN3333封装,导阻为6.4mΩ。

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威兆VS3618BE
威兆VS3618BE是一款耐压30V的增强型NMOS,封装为PDFN3333,导阻为5.2mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,在产品中多用作VBUS开关管。
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威兆VS3622DB
威兆VS3622DB是一款双NMOS管,耐压30V,双管集成的形式有效提升性能,具备低栅极电流和低导通电阻特性,导阻分别为8.2mΩ及6mΩ,采用DFN3x3封装。

这款器件无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于同步整流降压输出。
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威兆VS3622DE
威兆VS3622DE是一款耐压30V的增强型双NMOS管,使用5V逻辑电平控制,导阻为10mΩ,采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于两组线圈的切换以及输出端口独立保护。
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威兆VS3640DE
威兆VS3640DE是一颗5V逻辑电平控制的增强型双NMOS,开关速度快,耐压30V,导阻15mΩ,采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用作VBUS开关管。
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威兆VS3698AE
威兆VS3698AE是一款耐压30V的增强型NMOS,导阻为3mΩ,采用PDFN3333封装规格。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关。
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威兆VS4610AE
威兆VS4610AE是一款增强型NMOS,采用PDFN3333封装方式,导阻为6.8mΩ,耐压为40V可用于输出同步整流降压。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VS4620GP
威兆VS4620GP是一颗NMOS,耐压40V,导阻6.5mΩ,采用PDFN5*6封装。

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威兆VS4620GEMC
威兆VS4620GEMC是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS,耐压40V,导阻6.4mΩ,采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,常用于VBUS开关管。
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威兆VS4698AP
威兆VS4698AP是一颗耐压40V,导阻4.8mΩ的NMOS,采用PDFN5*6封装。

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威兆VSE002N03MS-G
威兆VSE002N03MS-G是一颗增强型NMOS,耐压30V,导阻1.4mΩ,导阻低,效率高,采用PDFN3333封装。

这款器件无铅无卤素,符合RoHS规范,可以应用于VBUS开关管。
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威兆VSE007N04MS-G
威兆VSE007N04MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术的增强型NMOS,耐压4V,采用PDFN3333封装,导阻为3.2mΩ。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以应用于同步整流降压。
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威兆VSE009NE6MS-G
威兆VSE009NE6MS-G是采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS,耐压为60V,导阻7mΩ,采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可采用多颗VSE009NE6MS-G组成H桥用于无线充电电路。
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威兆VSE014P04MS
威兆VSE014P04MS是一颗增强型PMOS,耐压40V,导阻9.5mΩ,开关速度快,采用PDFN3333封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于VBUS开关管。
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威兆VSP003N06MS-G
威兆VSP003N06MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS,耐压60V的NMOS,导阻为2.5mΩ,采用PDFN5*6封装方式。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于输出同步整流电路。
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威兆VSP007P06MS
威兆VSP007P06MS是一颗增强型PMOS,耐压60V,导阻7.5mΩ,采用PDFN5060X封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用作VBUS开关管。
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威兆VS3620GEMC
威兆VS3620GEMC是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,耐压为30V,导阻4.9mΩ,采用PDFN3333封装,可以用于同步升降压电路。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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中压MOS
威兆VS1605APM
威兆VS1605APM是一颗增强型NMOS,耐压100V,导阻6.3mΩ,采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试,采用无铅无卤素工艺制造,符合RoHS规范,可用于同步整流电路。
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威兆VS1804GPH
威兆半导体VS1804GPH是一颗耐压100V的NMOS管,导阻6mΩ,采用PDFN5*6封装,适合PD快充同步整流电路应用。

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威兆VSP003N10HS-G
威兆VSP003N10HS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,采用10V逻辑电平控制,封装为PDFN5x6,拥有3.8mΩ超低导阻,耐压100V,可以用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VSP004N10MS-G
威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,采用PDFN5x6封装,耐压为100V,拥有3.8mΩ超低导阻,常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VSP004N10MSC-G
威兆VSP004N10MSC-G是一颗增强型NMOS,耐压100V,导阻4.8mΩ,采用PDFN5060X封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用作同步整流电路。
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威兆VSP007N12MS-G
威兆VSP007N12MS-G是一颗采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS,耐压120V,导阻为6.5mΩ,采用PDFN5060X封装,常用于同步整流电路。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VSP008N10MSC-G
威兆VSP008N10MSC-G是一颗耐压100V的增强型NMOS,导阻6.5mΩ,采用PDFN5*6封装。

这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,适合同步整流电路应用。
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威兆VSP009N15HS-G
威兆VSP009N15HS-G是一颗耐压150V的NMOS管,导阻9.5mΩ,采用PDFN5060X封装。

该器件采用VitoMOSⅡ技术制造,具有更低的导通损耗和开关损耗以及优越的开关性能。该产品可广泛应用于快充、开关电源、逆变、电池保护等领域。
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充电头网总结
近两年来,随着PD协议的更新,快充技术再次绽放出新的光彩,从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议,从以前的10W到如今的200W以上,充电速度越来越快,充电功率也越来越大,同步整流管的要求也越来越严格,快充技术已经在消费类电源市场中得到快速普及,也会带动MOS管市场的发展。
威兆半导体在MOS领域深耕多年,旗下同步整流管家族矩阵十分庞大,可供选择款式众多,能够轻松满足200瓦级别的快充应用,为快充厂商提供了集成度更高、更具性价比的选择。目前已经成功进入OPPO、小米、IQOO、努比亚、魅族、倍思、机乐堂、飞利浦、图拉斯等诸多知名品牌供应链,产品性能获得市场长期验证。
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