前言

意法半导体与英诺赛科双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议（JDA），携手构建面向AI 数据中心、可再生能源发电及储能、汽车等领域的下一代功率电子技术生态。根据协议框架，英诺赛科将依托意法半导体在欧洲的先进制造产能，而意法半导体可借助英诺赛科布局于中国的本土制造资源，通过资源整合形成覆盖欧亚两大市场的协同生产网络。

意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议

全球半导体巨头意法半导体（纽交所股票代码：STM）与氮化镓制造领军企业英诺赛科（香港联合交易所股票代码:02577.HK）于2025年3月31日宣布达成战略合作，双方将联合开发高性能氮化镓功率技术并共享制造产能。根据协议，意法半导体将借助英诺赛科在中国的8英寸硅基氮化镓产线提升本地化供应能力，同时英诺赛科可使用意法半导体海外前端制造资源拓展国际市场。

此次合作旨在加速氮化镓技术在消费电子、数据中心、新能源汽车及工业电源等领域的普及应用。通过优势互补，双方将强化供应链韧性，推出更具竞争力的产品组合。

意法半导体的模拟、功率与分立器件、MEMS与传感器产品部总裁Marco Cassis表示：“意法半导体与英诺赛科均为垂直整合器件制造商（IDM），此次合作将最大化发挥这一模式的优势，惠及全球客户。一方面，意法半导体将加速氮化镓功率技术路线图，以补充现有的硅和碳化硅产品供应体系；另一方面，意法半导体还将通过灵活的制造模式服务全球客户。”

英诺赛科董事长兼创始人骆薇薇博士表示：“氮化镓技术对实现更小型化、高效率、低功耗、低成本且低二氧化碳排放的电子系统至关重要。英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产，累计出货超10亿颗氮化镓器件，覆盖多领域市场，我们对于与意法半导体达成战略合作感到非常振奋。此次与意法半导体的战略合作将进一步扩大和加速氮化镓技术普及，双方团队将共同致力于开发下一代氮化镓技术。”

氮化镓功率器件具有低损耗、高效率、轻量化等特性，可显著提升电源转换效率并降低系统成本。目前该技术已广泛应用于快充适配器、服务器电源等领域，并正逐步渗透至新能源汽车三电系统。双方计划在未来几年内共同推动下一代氮化镓技术研发，进一步巩固其在功率半导体领域的技术领先地位。

关于意法半导体

意法半导体拥有5万名半导体技术创作者与制造者，掌握覆盖半导体全供应链的先进制造能力。作为垂直整合器件制造商，我们与超过20万客户及数千合作伙伴共同设计开发产品、解决方案与生态系统，应对技术挑战与市场机遇，助力更加可持续发展的需求。我们的技术驱动智能出行、高效能源管理及云端互联自主设备的大规模部署。公司计划于2027年底前实现直接与间接排放（范围1和2）、产品运输、商务差旅及员工通勤碳排放（范围3重点领域）的全面碳中和，并达成100%可再生能源用电目标。

关于英诺赛科

英诺赛科（香港联合交易所股票代码:02577.HK）是全球氮化镓工艺创新与功率器件制造领导者。英诺赛科的器件设计与性能树立了全球氮化镓技术标杆，持续迭代创新的企业文化将加速氮化镓性能提升与市场普及。公司的氮化镓产品广泛应用于低压、中压和高压产品领域，涵盖了从 15V至1200V的氮化镓工艺节点。公司的晶圆、分立器件、集成功率集成电路（IC）以及模组产品为客户提供了强劲可靠的氮化镓（GaN）解决方案。凭借800项已授权及申请中的专利布局，英诺赛科产品以高可靠性、性能与功能优势，服务于消费电子、汽车电子、数据中心、可再生能源及工业电源领域，开创氮化镓技术的光明未来。