11月23日,2022(冬季)USB PD&Type-C 亚洲大会改为线上直播形式,此次大会邀请到了数位 USB PD 快充行业的技术专家和 USB PD 快充资深从业人员,分别来自茂睿芯、晶丰明源、宝砾微、华源、力林、钰泰、东科,他们将为大家分享最新的快充技术干货,帮助电源企业抓住新的市场增长点,加快新品上市,抢占市场先机。
东科半导体股份有限公司 FAE工程师 李朝亮先生发表了《开关电源的高频高效发展与东科合封创芯主流技术》主题演讲,主要介绍开关电源的技术发展和东科合封开关电源解决方案。
东科的演讲分为三个部分,首先是开关电源的发展方向,然后是东科一站式开关电源解决方案,最后是东科GaN实战案例应用,开关电源参考设计性能展示。
首先介绍的是开关电源的发展方向。
早期的工频变压器功率密度很低,效率也很低,伴随着开关电源技术的不断进步,开关电源的工作频率不断提高,体积越来越小,功率密度和效率均大幅提升。
想要提升充电器的功率密度,首先可以从提高工作频率开始,通过减小变压器的体积,是增加充电器功率密度最有效的途径。减小变压器的体积,又要保证足够的输出功率,就要提升工作频率。
从左边的图片可以看出,通过开关频率的提升,变压器的体积得到不断减小。并且由传统绕线变压器向平面变压器发展。
但是开关频率提升,对电源也带来了显著的影响。内部走线的寄生电感,在开关频率较低的时候影响还不是很明显,但随着频率提升,提升了设计难度。外驱方式的寄生电感是不能忽略的,对于信号的失真度以及振铃可靠性都有影响,增加了开关损耗,并且降低了电源方案的可靠性。
东科通过将驱动芯片和氮化镓芯片合封在一个芯片内部,减小了寄生电感对性能的影响。通过东科合封氮化镓的实物图,通过合封的设计,降低了开关振铃,提升可靠性,也简化了设计和调试难度。
另外就是使用平面变压器取代绕线变压器,对于超薄的场合,传统的绕线变压器已经不能满足需求。平面变压器具有批量一致性性能好,可以做到超薄的结构体积,绕组便于交错,寄生漏感非常低,匝数少,热传导快以及参数性能稳定的优势。
下面是平面变压器与绕线变压器的对比,使用ATQ23磁芯,65W输出,平面变压器的体积相比绕线变压器的体积可以缩小30%。在相同磁芯规格和材质的情况下,感量相同均为240μH,平面变压器的漏感为3.1μH,为变压器的感量的1.3%,而绕线变压器的漏感达到了5.8μH,为变压器感量的2.4%。同时平面变压器还更加适合自动化生产,一致性参数优于绕线变压器。
开关电源还有一个发展方向,就是将各个功能电路模块化,可以将AC输入整流滤波,驱动控制,变压器,次级同步整流滤波和输出控制进行模块化的设计,组成完整的模块化电源设计,更加灵活,开发成本也更低。
接下来是东科一站式电源解决方案。
首先来看东科的氮化镓产品系列,东科氮化镓产品为QR架构,内部集成高压启动电路和驱动电路,合封GaN功率管,支持X电容放电功能,具备全面的保护功能,并具有高低压功率补偿功能。具有QFN5*6和QFN8*8封装,覆盖12-140W应用,并具有ACF架构,支持180-200W输出功率,适宜高功率密度电源应用。
东科氮化镓合封芯片选型表,DK012G是一颗12-15W功率的合封芯片,DK020G支持20-24W功率,DK025G支持25-30W功率,DK036G支持30-40W功率,DK045G支持40-50W功率,DK065G支持50-68W功率,工作频率为250KHz以下。DK065GA为ACF有源钳位架构,支持60W以上功率,工作频率为500KHz以下。
东科的合封氮化镓芯片内部集成高压启动和X电容放电,内部集成GaN功率管和驱动,并支持宽VCC供电,支持变压器退磁检测,外围应用电路简单。相比传统QR和ACF方案,东科合封方案元器件数量大幅减小,成本大幅下降。
下面是东科的合封同步整流方案。东科的合封同步整流芯片有五种封装形式,分为SM-7封装,SM-10封装,TO-220F封装,SOP-8封装和TO252封装。芯片内部集成逻辑控制,同步整流管,驱动器和自供电单元,无需外置元件,可以直接替代肖特基二极管和同步整流控制器方案。
TO220封装具备绝缘封装和铁封两种,最高工作频率可达500KHz,支持CCM/QR/DCM工作模式,关断延时12nS,提升同步整流的安全性。
东科同步整流芯片耐压分别为45,60,85,100,120,150V,满足不同输出电压的电源应用,内阻最低为3mΩ,根据型号即可方便的识别器件耐压和导阻。对于PD快充应用,20W推荐60V耐压,10mΩ导阻的SM-7封装器件,对于30W推荐使用100V耐压,10-15mΩ的贴片器件,对于更高输出可以使用120V或者150V的同步整流器件。
东科还推出了平面变压器解决方案,用于30-36W的平面变压器采用EQ20磁芯,20V1.5A最高效率为92%。用于36-45W的平面变压器采用EQ22磁芯,20V2.25A最高效率为92.9%。
用于45-65W的平面变压器采用ATQ23磁芯,20V3.25A最高效率为93.2%,65W采用EQ25磁芯,20V3.25A输出最高效率为93.4%。支持卧式和插件式应用,适合超薄氮化镓充电器应用。
东科半导体的合封技术具有性能层面,应用层面和运营层面优势,在性能层面通过降低杂散寄生参数,提升电源的可靠性和效率。应用层面通过高集成度来简化设计和调试,并节省布板空间。在运营层面可以简化采购流程,并简化生产流程,提升性价比。
下面是东科GaN实战应用和参考设计的性能展示。
图中是东科推出的四款小功率的开关电源参考设计,包括25W,36W,45W和65W四种功率。
大功率的开关电源参考设计分为60W,65W,以及120W PD适配器和专用电源方案。
36W PD快充采用DK036G氮化镓合封芯片和DK5V100R10S同步整流合封芯片,内部合封400mΩ氮化镓开关管,变压器采用RM7磁芯,最高转换效率为92.8%,环境温度25℃时温度为97℃,功率密度为20.6W/in³。
65W PD快充采用DK065G氮化镓合封芯片和DK5V100R10M同步整流合封芯片,内部合封260mΩ导阻氮化镓开关管,变压器采用RM10磁芯,最高转换效率为94.31%,环境温度40℃时温度为107℃,功率密度为23.17W/in³。
60W超薄电源采用DK065G氮化镓合封芯片和DK5V120R15ST同步整流合封芯片,内部合封260mΩ导阻氮化镓开关管,变压器采用ATQ25平面变压器,最高转换效率为94.2%,环境温度40℃时温度为105℃,功率密度为30.73W/in³。
65W PD快充采用DK065G氮化镓合封芯片和DK5V100R10M同步整流合封芯片,内部合封260mΩ导阻氮化镓开关管,变压器采用ATQ23平面变压器,最高转换效率为93.43%,环境温度35℃时温度为105℃,功率密度为28.13W/in³。
120W PD快充采用DK065G氮化镓合封芯片和DK5V100R10M同步整流合封芯片,内部合封260mΩ导阻氮化镓开关管,变压器采用ATQ2817变压器,最高转换效率为94.03%,环境温度30℃时温度为104℃,功率密度为21.85W/in³。
120W超薄电源采用DK065G氮化镓合封芯片和DK5V100R10M同步整流合封芯片,内部合封260mΩ导阻氮化镓开关管,变压器采用ATQ28平面变压器,最高转换效率为93.8%,环境温度40℃时温度为105℃,功率密度为24.29W/in³。
以上是东科半导体股份有限公司的联系方式以及公众号,谢谢大家观看。
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