前言

现在的充电器功率不断提高，如果用传统的充电器设计方案，设计出来的大功率充电器的体积和重量会非常笨重，功率密度低且能效转换率不高，比传统充电器，氮化镓充电器功率密度更高，携带更方便。因此现阶段充电器厂商开始逐步换装氮化镓充电器，以获得氮化镓的高性能、体积小，功率密度高，散热好等优点，设计出更方便携带、且简单高效的充电器。氮化镓技术经过多方验证，均表示其十分适合作为三代半导体来发展，因此不少产品开始往氮化镓技术进军。

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)作为一家高可靠性、高性能氮化镓(GaN)电源转换产品的先锋和全球供应商，曾与全球电源产品和电动汽车充电站供应商飞宏(Phihong)，推出过一款采用Transphorm的SuperGaN第四代技术的氮化镓场效应管(FET)平台而打造的65W 2C1A USB PD适配器。该适配器具有以下优点：系统设计简单，元件数量少，性能更高，可靠性一流。

飞宏65W 2C1A USB PD适配器通过氮化镓技术赋能，利用更小的器件实现更强的性能。使适配器体积仅为(51 x 55.3 x 29 mm)，十分小巧，配备两个USB-C端口和一个USB-A端口(2C1A)，可同时为三台设备充电，提供高达65W的USB PD和PPS功能。这款充电器采用了单个650V SuperGaN器件TP65H300G4LSG，与采用准谐振反激模式(QRF)拓扑结构的硅解决方案相比，功率损失可减少约17%，节能和性能均有不错的提高。

美国Transphorm公司推出的这一款氮化镓功率芯片TP65H300G4LSG，是基于Transphorm的第4代GaN平台打造，除了采用先进的epi和专利设计技术，通过简化制造工艺降低成本，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷提高硅的效率。应用于充电器中的开关管，在氮化镓技术加持下，相比传统硅器件提升了能效、开关频率、系统功率密度的同时减小产品体积、重量，有效降低产品的系统成本。适用于快充充电器、电源适配器及LED照明等应用。

TP65H300G4LSG的详细资料信息。其采用DFN8*8封装和Transphorm公司最先进的高压GaN-HEMT和低压硅MOSFET技术，提供了卓越的可靠性和性能。拥有耐压650V以及240mΩ的导阻，加以超低的开关损耗和在>300kHz开关频率下依然可达到大于93%的转换效率，可以使产品轻松达到节能环保和安规要求。

以上是Transphorm公司的部分氮化镓器件参数对比图由充电头网制作，除了TP65H300G4LSG氮化镓开关管以外，为应对厂商的不同需求，Transphorm公司推出了一系列耐压650V的氮化镓功率器件，均采用DFN贴片封装，具有小体积，低导阻，低栅极电荷，低开关损耗以及降低的反向恢复电荷。可用于传统硅开关管的氮化镓替换，从而提高转换效率，缩小电源体积，减少散热需求并降低成本。

充电头网总结

作为第三代半导体的氮化镓，相比传统硅基半导体，支持更高的开关频率，更高的电子密度和电子迁移率，更好的温度表现。氮化镓技术带来的低损耗和高开关频率，可降低导阻带来的发热和减小变压器和电容的体积，有助于设计出功率密度高、方便携带和重量轻的大功率快充充电器。可以有效提升用户体验。

Transphorm的氮化镓器件具有低开关损耗以及低栅极电荷等优势，可用于高频开关，宽而泛的驱动电压范围，能够很好的支持传统控制器，实现高频开关的同时，降低整体系统成本。充电器或者适配器产品在氮化镓材料加持下，可以有效缩小产品尺寸和获得更高的充电功率，轻松满足太阳能发电、LED照明、大功率快充应用等。助力充电器市场的绿色发展的和实现”双碳“目标。