背景

电子元器件业者不断推动电子系统变得更加高效、功率损㧌更加低下。对于许多系统，特别是功率转换电路(DC/DC) 中的反向极性保护或续流，肖特基二极管一直是设计的主流，而肖特基二极管的正向压降(VF)和反向漏电流(IR)则是其中的关键参数。

作为一款理想的肖特基二极管，应具有低正向压降(VF)、高反向阻断电压(VDC)、零泄漏电流  (IR)、低寄生电容(CJ)；在一些空间有限的电子系统里更要求肖特基二极管的体积越小越好。显然，在当前传统平面肖特基工艺中要同时实现以上要求尤为艰难。因此，开发一款在保证既定或更优越电性特性且更小外形尺寸的肖特基二极管尤为必要。

高特 DFN1610-2L 和 SOD-323 2A 40V LOW VF 肖特基二极管

应电子系统更加高效、更低功率损㧌、更小占板空间的需求，高特结合先进的芯片制造工艺和封装工艺开发出了两款 2A 40V LOW VF  肖特基二极管 RB10U40FD 和 RB10U40WS，其 VF@1A=0.37V 和 VF@2A=0.43V，IR@40V<80uA。如此之低的 VF 和 IR 值可很大程度上减小电子系统中的功率损耗，大大提高了效率。

同时，RB10U40FD 采用 DFN1610-2L 封装外形， 外形尺寸仅为 1.6*1.0*0.5mm；RB10U40WS 采用 SOD-323 封装外形， 外形尺寸仅为 2.6*1.3*0.8mm。较业界常用 SOD-123FL 封装外形的同类产品节省约 76% 和 49% 的电路板空间，DFN1610-2L 更比 SOD-123FL 的同类产品纤薄 50%，在离板高度上占尽优势。

综上所述，在电子系统更加高效、更低功率损㧌、更小占板空间的需求下，高特 2A 40V LOW VF 肖特基二极管 RB10U40FD 和 RB10U40WS 等两款微形封装且超低正向导通电压(VF)的肖特二极管，可成为电子工程师在功率转换电路(DC/DC)中反向极性保护 或续流的设计首选之一。

高特微电子提供 200 多款从单通道到多通道的 ESD 防护器件，整体外形尺寸小至 0.6*0.3*0.3mm (DFN0603)，工作电压范围覆盖 2.5V~36V，电容值低至 0.2pF，为电子产品的各类通信接口，如 USB、HDMI、LVDS、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、RF天线和 GPIO 等提供多元化的 ESD 防护方案。

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