氮化镓凭借高频、高效、高功率和耐高压等特性,被称作是第三代半导体的明星材料。如今,随着氮化镓技术及供应链方面的不断成熟,成本呈现下降趋势,氮化镓在低功率消费电子领域的应用逐渐进入红海市场。同时,得益于高工作频率、高转化效率、低导通阻抗等优越特性,氮化镓在大功率高频应用中有着广阔的应用前景,目前正朝着中大功率储能、微型逆变器、通讯基站、数据中心等领域拓展。
为了推进氮化镓在高频市场中的应用,英诺赛科基于150V电压平台推出了 INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 两款中低压 GaN,该平台产品满足工业级可靠性要求,主要应用于太阳能系统优化器和微型逆变器,PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等。
首款产品 INN150FQ032A 采用 FCQFN 4mmx6mm 封装,体积小巧,且开关损耗低,具有良好的效率表现,目前已成功量产。基于150V电压平台技术,英诺赛科近日再次强势推出 150V/7mΩ 器件 INN150FQ070A,采用 FCQFN 4mmX6mm Pin to pin 兼容引脚设计,已通过小批量试产,客户可基于不同应用需求进行规格选型。
INN150FQ032A & INN150FQ070A 产品特性
- l 工业级应用
- l 超低的栅极电荷
- l 超低导通电阻
- l 小体积,FCQFN封装 4mmx6mm
INN150FQ032A & INN150FQ070A 应用领域
- l 高频DC-DC转换器
- l 太阳能系统优化器和微型逆变器
- l PD充电器和PSU同步整流
- l 通信电源
- l 电机驱动
INN150FQ032A 和 INN150FQ070A 延续了 InnoGaN 导通电阻低、开关速度快、无反向恢复等诸多特性,在太阳能系统优化器和微型逆变器,PD充电器与PSU同步整流、通信电源、电机驱动和高频DC-DC转换器等应用中,更能充分地体现其高频高效、低导阻等优越特性。
INN150FQ032A规格书首页
INN150FQ070A规格书首页
英诺赛科150V Single GaN 系列推出的两款不同导通电阻FCQFN封装芯片,不仅为客户设计选型提供更多参考,且有力推进了氮化镓在工业领域的应用。
基于大规模8英寸硅基氮化镓技术的研发、制造与迭代,英诺赛科的产品质量和成本优势均已在行业中得到体现。消费电子是氮化镓规模化应用的第一站,工业领域虽然渗透较低,但其需求也在逐步攀升,英诺赛科期待与合作伙伴共同推进更多领域的应用,构建氮化镓生态。
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