前言
随着快充技术的发展，手机充电器从以往的5W一路进化升级到PD 140W甚至更高的功率，在充电器功率不断提升的同时，对其内部的开关管、整流管性能的要求也愈发苛刻。威兆半导体作为少数具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司，能根据厂商需求提供各种高性能、高效率的的器件。
本篇文章汇总了威兆半导体MOS管在百瓦及百瓦以上充电器的实际应用案例，详见下文。
威兆半导体VS3698AE
威兆半导体VS3698AE，是一款NMOS，耐压30V，导阻3mΩ，采用PDFN3333封装。
威兆半导体VS3698AE详细资料如上图所示。
应用案例：
2、拆解报告：Aohi MAGCUBE 140W 2C1A氮化镓充电器
威兆半导体VSP003N10HS-G
威兆半导体VSP003N10HS-G，NMOS，支持10V逻辑电压驱动，耐压100V，导阻3.8mΩ，采用PDFN5*6封装。
威兆半导体VSP003N10HS-G详细资料如上图所示。
应用案例：
威兆半导体VSP004N10MS-G
威兆半导体VSP004N10MS-G，是一颗耐压100V的NMOS，导阻为3.8mΩ，采用PDFN5060X封装。
威兆半导体VSP004N10MS-G详细资料如上图所示。
应用案例：
1、拆解报告：Huntkey航嘉100W氮化镓充吧高能系列W100
威兆半导体VSP008N10MSC
威兆半导体VSP008N10MSC，这是一颗耐压100V，导阻6mΩ的NMOS，采用PDFN5*6封装。
威兆半导体VSP008N10MSC详细资料如上图所示。
应用案例：
1、拆解报告：Aohi MAGCUBE 140W 2C1A氮化镓充电器
充电头网总结
深圳市威兆半导体股份有限公司成立于2012年，自成立以来，威兆半导体始终聚焦功率器件研发与应用技术研究，凭借多年的科研攻关已成为少数同时具备低压、中压、高压全系列功率MOSFET / IGBT单管和模块，以及特殊半导体制程设计能力的先进半导体设计公司。其产品广泛应用于PC/服务器、消费电子、通讯电源、工业控制、汽车电子及新能源产业等领域。 威兆半导体将坚定不移地持续提升研发技术、供应链整合、品质管控、技术行销等半导体设计公司四大综合能力，坚持以卓越的质量和持续的技术创新为客户创造价值，打造一流功率半导体价值运营体系，服务全球一流价值客户。
威兆半导体在MOS领域深耕多年，旗下器件的种类多样，覆盖全面。在上文汇总中提到的4款MOS管效率极高、性能强悍，可以轻松满足厂商百瓦以上的快充输出需求，现如今已将斩获奥海、航嘉、小米、摩托罗拉等厂商的大量订单，产品质量饱经市场检验。
相关阅读
2、自研功率器件，威兆MOS获市场高度认可，已被200余款产品采用
3、威兆VS3698AE大量出货，获iQOO120W超快闪充采用
评论 (0)