前言

氮化镓作为一种具有卓越性能的第三代半导体材料明星，正在逐渐成为低功率消费电子领域的热门选择。随着其技术和供应链的成熟，成本呈现下降趋势，这为氮化镓的广泛应用铺平了道路。在低功率消费电子领域，氮化镓凭借其高工作频率、高转化效率、低导通阻抗等优越特性，展现出广阔的应用前景。同时，氮化镓正在向中大功率储能、微型逆变器、通讯基站、数据中心等领域拓展。

为了推动氮化镓在高频市场中的应用，氮矽科技推出了一款具有工业级可靠性的低压100V氮化镓集成产品DXC6010S1C。该产品适用于对高功率密度性能有苛刻要求的应用，包括用于新服务器和人工智能设备的 48 V - 54 V 输入 DC-DC。该产品的较低栅极电荷、Qgd 零反向恢复损耗可实现 1 MHz 及以上的高频操作和高效率。

DXC6010S1C为高功率密度应用提供超小型化的解决方案

氮矽科技DXC6010S1C是一款驱动集成氮化镓芯片，它具有许多出色的特性。这款芯片耐压100V，内部集成了一颗增强型低压硅基氮化镓和单通道高速驱动器。采用DFN5×6封装，占板面积小，无反向恢复电荷，并且导通电阻极低。为最高功率密度应用提供超小型化的解决方案。

DXC6010S1C以其先进的驱动集成技术脱颖而出，此技术能够有效保护E-Mode GaN栅极，使之具备高度的可靠性。其输入电压范围为±18V，兼容所有传统硅控制器，并有效减少了寄生电感，简化了功率路径设计。这一设计显著降低了PCB占板面积，满足了生产的高效性和性价比的需求。此外，DXC6010S1C还具备UVLO欠压锁定功能，能有效防止电源电压波动导致的器件误开启问题，从而有效避免炸机风险。这同样是其高可靠性的一大原因。

通过驱动集成技术，DXC6010S1C不仅具有超高的可靠性，还兼具了灵活性、可靠性、高效性以及易用性，显著提升了应用工程师的使用体验。

在应用方面，DXC6010S1C适用于多种场景，如高频高功率密度降压转换器、DC/DC转换、AC/DC充电器、太阳能优化器和微型逆变器、电机驱动器和D类音频放大器等。它也适用于AI、服务器、通信、数据中心等应用场景，特别适合48V工作电压的USB PD 3.1快充和户外电源相关应用。

氮矽科技拥有最全氮化镓产品线，全面布局氮化镓市场

氮矽科技依托其国内独有的核心氮化镓驱动技术为坚实后盾，专注于研发和销售全方位氮化镓产品，以科技创新引领行业发展，在氮化镓领域，公司凭借创新技术打破了国际厂商的长期垄断，为国内电子行业带来革新。旗下产品线包括“GaN分离器件（E-mode GaN HEMT)、驱动IC(GaN Driver）、 GaN集成驱动芯片（PIIP™ GaN）和GaN集成控制器芯片（PWM GaN）"等，不仅涵盖了从低压到高压的各类应用，更是提供了一系列高性能、高可靠性的氮化镓功率器件。