前言

QR反激架构又称准谐振电源，反激式开关电源因电路简洁、设计难度相对较低、性价比高、容易实现多路输出而在氮化镓快充中得到广泛应用。目前市面上量产的氮化镓快充充电器中，80%以上均基于QR反激架构开发。

而GaN具有较高的开关频率和较低的导通损耗，内置氮化镓能使得芯片能够在高频率和高功率下工作，降低导通损耗和开关损耗，从而进一步提高电力电子设备的效率。

充电头网了解到芯茂微退出过多款内置GaN的高频QR功率芯片LP88GXX系列，一起来看看吧！

芯茂微内置GaN的高频QR功率芯片

芯茂微LP88GXX 是一系列高性能高可靠性高频恒压 QR 氮化镓反激控制器，具有 HV 脚位高压启动功能，内置 X 电容放电功能，可以有效地抑制电磁干扰，提高系统的抗干扰能力。针对 PD 应用，设计了过流限制保护以及降低最小 CS功能，可减少开关损耗，提高系统效率。

LP88GXX 采用多模式恒压控制方式，可根据负载的变化自动调整工作模式。重载时工作于 QR模式；随着负载从重载到轻载逐渐减小，LP88GXX会进入谷底工作模式。在轻载时，为了进一步降低开关损耗，LP88GXX 会进入 MPCM 模式，会加大峰值电流，进一步减小开关频率。在更轻载或空载时，LP88GXX 工作于打嗝模式。

LP88GXX采用两极VCC供电，有效提高电路的稳定性，减少电源噪声和干扰，满足VCC宽电压的需求。LP88GXX具有多重保护功能，包括 CS 异常过流保护，CS 故障保护，输出过压保护，VCC 过压保护，HV 脚 Brownout 保护，FAULT 脚过温保护，内置过温保护，过流限制保护等功能。

LP88GXX采用的QFN88、QFN56封装，使其具有小巧而高效的特性，因此特别适用于PD快充领域。在PD快充应用中，其能够充分发挥其高性能和高可靠性的特点，满足快速充电的需求。同时，LP88GXX也适用于AC-DC适配器领域。在这些应用中，其封装尺寸小巧，既可以满足适配器的紧凑设计要求，又能保证足够的性能和稳定性。无论是在PD快充还是在AC-DC适配器等领域，LP88GXX都能够展现出优异的性能，充分满足各种应用场景的需求。

芯茂微内置GaN的高频QR功率芯片有内置120mΩ~720mΩ氮化镓的4个型号，未来会推出1.2Ω的相关产品。采用自研封装，材料、设计均是工业级，高低压爬电距离2mm，可靠性更高，应用范围更广。

芯茂微LP88GXX这一系列内置GaN的高频QR功率芯片分别是LP88G12DCDA、LP88G24DCDA、LP88G48DCD、LP88G48DCDA以及LP88G72DCDA，这四款型号五款产品都支持零电流检测过压保护与X电容放电，可保障设备安全、稳定、长久运行。并且它们的Vcc电压的安全阈值都为28V，当VCC电压超过28V时，该保护机制会启动，以防止电路或设备因过压而损坏。

接下来充电头网将对这几款型号进行相应讲解。

LP88G12DCDA

芯茂微LP88G12DCDA的导通电阻为120mΩ，在启动过程中，LP88G12DCDA所需的VCC启动电压为16.5V。而在关闭阶段，VCC关闭电压为9V。这一参数确保了电路的正常启动和运行，以及在关闭时能够稳定地停止工作，避免产生不必要的干扰和损耗。

LP88G12DCDA的推荐应用功率为100W，过温保护的阈值被设定为130℃，一旦设备温度达到或超过这一阈值，将会自动降低设备的工作频率或者关闭设备，以防止过热损坏，从而保护设备的安全和延长其使用寿命。

LP88G12DCDA采用QFN8*8封装，这种封装形式不仅体积小巧，而且散热性能出色，有利于设备的长时间稳定工作。这也使得LP88G12DCDA能够方便地集成到各种复杂的电路系统中，大大提高了设计的灵活性和便利性。”

LP88G24DCDA

与LP88G12DCDA相比，LP88G24DCDA的导通电阻由120mΩ增加至240mΩ。这一变化使得LP88G24DCDA在特定应用中具有更加优异的性能表现。

LP88G24DCDA在启动过程中所需的VCC启动电压为16.5V。而在关闭阶段，VCC关闭电压为9V。这一参数确保了电路的正常启动和运行，以及在关闭时能够稳定地停止工作，避免产生不必要的干扰和损耗。

LP88G24DCDA的推荐应用功率为65W，过温保护的阈值被设定为130℃，一旦设备温度达到或超过这一阈值，将会自动降低设备的工作频率或者关闭设备，以防止过热损坏，从而保护设备的安全和延长其使用寿命。

LP88G24DCDA采用QFN8*8封装，这种封装形式不仅体积小巧，而且散热性能出色，有利于设备的长时间稳定工作。这也使得LP88G24DCDA能够方便地集成到各种复杂的电路系统中，大大提高了设计的灵活性和便利性。”

LP88G48DCD

与LP88G24DCDA相比，LP88G48DCD的导通电阻由240mΩ增加至480mΩ，但过温保护的阈值由原来的130℃变为了100℃，同时VCC启动电压变为了13.7V，VCC关闭电压变为了7.3V。

LP88G48DCD的推荐应用功率为65W，采用更小、集成度更高的QFN5*6封装，可适应更多应用场景。

LP88G48DCDA

LP88G48DCDA在LP88G48DCD的基础上将过温保护的阈值从100℃又提升到了130℃，同时VCC启动电压变为了16.5V，VCC关闭电压也变为了9V，其余跟LP88G48DCD相比并没有变化。

LP88G72DCDA

LP88G72DCDA在LP88G48DCDA的基础上由480mΩ的导通电阻变为了720mΩ，其余跟LP88G48DCDA相比并没有变化。

充电头网总结

芯茂微LP88GXX系列是一款高性能、高可靠性的内置GaN高频QR功率芯片，适用于PD快充和AC-DC适配器等领域。它采用多模式恒压控制，提高系统效率，并具备强大的抗干扰能力。此外，LP88GXX还具备多重保护功能，确保设备安全稳定运行，采用小巧高效的QFN封装，该系列芯片共有四款型号五款产品，支持零电流检测过压保护与X电容放电，Vcc电压安全阈值为28V，为电路或设备提供全面保护，可为快充和适配器领域带来卓越的体验和安全性。