前言
QR反激架构又称准谐振电源,反激式开关电源因电路简洁、设计难度相对较低、性价比高、容易实现多路输出而在氮化镓快充中得到广泛应用。目前市面上量产的氮化镓快充充电器中,80%以上均基于QR反激架构开发。
而GaN具有较高的开关频率和较低的导通损耗,内置氮化镓能使得芯片能够在高频率和高功率下工作,降低导通损耗和开关损耗,从而进一步提高电力电子设备的效率。
充电头网了解到芯茂微退出过多款内置GaN的高频QR功率芯片LP88GXX系列,一起来看看吧!
芯茂微内置GaN的高频QR功率芯片
芯茂微LP88GXX 是一系列高性能高可靠性高频恒压 QR 氮化镓反激控制器,具有 HV 脚位高压启动功能,内置 X 电容放电功能,可以有效地抑制电磁干扰,提高系统的抗干扰能力。针对 PD 应用,设计了过流限制保护以及降低最小 CS功能,可减少开关损耗,提高系统效率。
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LP88GXX 采用多模式恒压控制方式,可根据负载的变化自动调整工作模式。重载时工作于 QR模式;随着负载从重载到轻载逐渐减小,LP88GXX会进入谷底工作模式。在轻载时,为了进一步降低开关损耗,LP88GXX 会进入 MPCM 模式,会加大峰值电流,进一步减小开关频率。在更轻载或空载时,LP88GXX 工作于打嗝模式。
LP88GXX采用两极VCC供电,有效提高电路的稳定性,减少电源噪声和干扰,满足VCC宽电压的需求。LP88GXX具有多重保护功能,包括 CS 异常过流保护,CS 故障保护,输出过压保护,VCC 过压保护,HV 脚 Brownout 保护,FAULT 脚过温保护,内置过温保护,过流限制保护等功能。
LP88GXX采用的QFN88、QFN56封装,使其具有小巧而高效的特性,因此特别适用于PD快充领域。在PD快充应用中,其能够充分发挥其高性能和高可靠性的特点,满足快速充电的需求。同时,LP88GXX也适用于AC-DC适配器领域。在这些应用中,其封装尺寸小巧,既可以满足适配器的紧凑设计要求,又能保证足够的性能和稳定性。无论是在PD快充还是在AC-DC适配器等领域,LP88GXX都能够展现出优异的性能,充分满足各种应用场景的需求。
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芯茂微内置GaN的高频QR功率芯片有内置120mΩ~720mΩ氮化镓的4个型号,未来会推出1.2Ω的相关产品。采用自研封装,材料、设计均是工业级,高低压爬电距离2mm,可靠性更高,应用范围更广。
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芯茂微LP88GXX这一系列内置GaN的高频QR功率芯片分别是LP88G12DCDA、LP88G24DCDA、LP88G48DCD、LP88G48DCDA以及LP88G72DCDA,这四款型号五款产品都支持零电流检测过压保护与X电容放电,可保障设备安全、稳定、长久运行。并且它们的Vcc电压的安全阈值都为28V,当VCC电压超过28V时,该保护机制会启动,以防止电路或设备因过压而损坏。
接下来充电头网将对这几款型号进行相应讲解。
LP88G12DCDA
芯茂微LP88G12DCDA的导通电阻为120mΩ,在启动过程中,LP88G12DCDA所需的VCC启动电压为16.5V。而在关闭阶段,VCC关闭电压为9V。这一参数确保了电路的正常启动和运行,以及在关闭时能够稳定地停止工作,避免产生不必要的干扰和损耗。
LP88G12DCDA的推荐应用功率为100W,过温保护的阈值被设定为130℃,一旦设备温度达到或超过这一阈值,将会自动降低设备的工作频率或者关闭设备,以防止过热损坏,从而保护设备的安全和延长其使用寿命。
LP88G12DCDA采用QFN8*8封装,这种封装形式不仅体积小巧,而且散热性能出色,有利于设备的长时间稳定工作。这也使得LP88G12DCDA能够方便地集成到各种复杂的电路系统中,大大提高了设计的灵活性和便利性。”
LP88G24DCDA
与LP88G12DCDA相比,LP88G24DCDA的导通电阻由120mΩ增加至240mΩ。这一变化使得LP88G24DCDA在特定应用中具有更加优异的性能表现。
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LP88G24DCDA在启动过程中所需的VCC启动电压为16.5V。而在关闭阶段,VCC关闭电压为9V。这一参数确保了电路的正常启动和运行,以及在关闭时能够稳定地停止工作,避免产生不必要的干扰和损耗。
LP88G24DCDA的推荐应用功率为65W,过温保护的阈值被设定为130℃,一旦设备温度达到或超过这一阈值,将会自动降低设备的工作频率或者关闭设备,以防止过热损坏,从而保护设备的安全和延长其使用寿命。
LP88G24DCDA采用QFN8*8封装,这种封装形式不仅体积小巧,而且散热性能出色,有利于设备的长时间稳定工作。这也使得LP88G24DCDA能够方便地集成到各种复杂的电路系统中,大大提高了设计的灵活性和便利性。”
LP88G48DCD
与LP88G24DCDA相比,LP88G48DCD的导通电阻由240mΩ增加至480mΩ,但过温保护的阈值由原来的130℃变为了100℃,同时VCC启动电压变为了13.7V,VCC关闭电压变为了7.3V。
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LP88G48DCD的推荐应用功率为65W,采用更小、集成度更高的QFN5*6封装,可适应更多应用场景。
LP88G48DCDA
LP88G48DCDA在LP88G48DCD的基础上将过温保护的阈值从100℃又提升到了130℃,同时VCC启动电压变为了16.5V,VCC关闭电压也变为了9V,其余跟LP88G48DCD相比并没有变化。
LP88G72DCDA
LP88G72DCDA在LP88G48DCDA的基础上由480mΩ的导通电阻变为了720mΩ,其余跟LP88G48DCDA相比并没有变化。
充电头网总结
芯茂微LP88GXX系列是一款高性能、高可靠性的内置GaN高频QR功率芯片,适用于PD快充和AC-DC适配器等领域。它采用多模式恒压控制,提高系统效率,并具备强大的抗干扰能力。此外,LP88GXX还具备多重保护功能,确保设备安全稳定运行,采用小巧高效的QFN封装,该系列芯片共有四款型号五款产品,支持零电流检测过压保护与X电容放电,Vcc电压安全阈值为28V,为电路或设备提供全面保护,可为快充和适配器领域带来卓越的体验和安全性。
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