前言
在氮化镓快充市场不断拓展的过程中，电源技术水平也在不断提升，起初的氮化镓快充电源一般需要采用控制器+驱动+氮化镓功率器件组合设计，不仅电路布局较为复杂，产品开发难度相对较大，而且成本也比较高。
为了实现更高的功率密度并降低外围器件数量，目前已有众多电源芯片厂商着手布局集成度更高的合封氮化镓芯片产品线。这些芯片能够将氮化镓功率器件、PWM控制、驱动、保护等功能整合在一颗芯片上，一颗芯片即可实现原有数颗芯片的功能，不仅能够提升整体方案的性能，还有助于减少PCB板的占用空间、缩小产品尺寸，并削减物料成本。此外，它们还有效降低了快充方案在高频下的寄生参数，减小振铃现象，从而降低了开关损耗。这些芯片也不容易受到初级电流干扰，提高了系统的可靠性和开关速度。电源工程师在应用过程中能更加方便、快捷地完成调试工作，从而加速产品研发周期。
合封氮化镓芯片的应用范围广泛，包括电子设备、通信设备、电动汽车充电器、工业电源以及可再生能源系统等。这些芯片不仅可以提供高效的电源转换，还常常包括多种保护功能以确保电源系统的安全性和可靠性。
2024（春季）亚洲充电展，3月20-22日将在深圳举办，届时将有多家快充芯片企业参展，并发布多款新品和参考设计。
合封氮化镓芯片盘点
充电头网精心统计了参与2024（春季）亚洲充电展的众多快充芯片企业所推出的多款合封氮化镓芯片。并将这些信息汇总整理形成了下表，详细展示了各家企业的主打产品及其相关特点。
SOUTHCHIP 南芯
上海南芯半导体科技股份有限公司（简称：南芯科技，股票代码：688484），是一家专注于电源、电池管理和嵌入式的高性能国产半导体设计公司，拥有 Charge pump、DCDC、ACDC、有线充电、无线充电、快充协议、锂电保护、汽车电子等多条产品线，基于自主研发的升降压充电、电荷泵和 GaN 直驱等核心技术，推出了多款明星产品，得到业内广泛认可。
南芯科技能够提供从 AC 到电池的端到端有线、无线完整快充解决方案，产品覆盖 10W 到 240W 功率等级范围。电荷泵和升降压开关充电系列快充产品打破国外垄断，通过了国内外多个知名品牌智能手机、平板电脑等厂家认证并已实现大规模量产；DCDC、有线充电、无线充电及嵌入式协议类产品在消费、泛工业等市场被广泛采用；并且，多类产品已通过 AEC-Q100 车规质量认证，能够提供完整的车载无线、有线充电方案，于多款车型中实现前装量产。
南芯科技拥有强大的研发及系统团队、独立的品质管控团队以及贴近客户的销售和支持团队，为高质量的产品开发设计保驾护航。南芯科技得到了上下游产业链与资本的广泛认可与支持，获得了上海集成电路产业基金、中芯聚源、红杉资本、OPPO、vivo、小米等的资本加持，助力公司持续、快速成长。
南芯科技产品已在荣耀、OPPO、vivo、小米、联想、三星、Anker、紫米等产品中频频亮相，在多款汽车品牌前装产品顺利量产，证明了其产品在性能、品质和成本等方面的诸多优势。南芯科技秉承“时间优先，性能优先”的产品理念，坚持“开拓进取，不断创新”的公司文化，致力于为客户提供高性能、高品质与高经济效益的系统解决方案。
南芯，为效率而生。
南芯SC3107C
南芯POWERQUARK®系列全集成芯片，型号SC3107C，芯片内置南芯自研的全集成封装技术，内置高速隔离数字通讯技术，集成次级控制软开关技术和次级控制主动式同步整流技术，并集成多标准快充协议兼容技术。一颗芯片可以实现传统充电器中原边控制器+GaN器件+隔离光耦+同步整流控制器和协议芯片五种独立功能。
南芯POWERQUARK®系列全集成芯片将器件极致集成，减少充电器外围元件数量，具备开发周期短，产品性价比高的优势。次级软开关技术降低了开关损耗，提高了转换效率，搭配同步整流，提升整体效率，降低散热要求。并且内置高速数字隔离通信，无需光耦，可靠性更高。
芯片内部还集成协议功能，支持UFCS融合快充，PD快充以及私有协议定制，满足主流市场需求。芯片内部集成供电过压保护，逐周期电流限制，输出欠压保护，输出过压保护，输出过电流保护和输出短路保护。内部还集成软启动，最高工作频率为175KHz。芯片采用SSOP38L封装，支持65-140W PD快充应用。
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南芯SC3057B
SC3057B是一款高频、准谐振反激PWM变换器，具备700V GaN集成（QR/DCM），可实现高效率和可靠性。该变换器内置了X电容器放电功能以及通过HV引脚的高压启动电路。因此，通过HV引脚可以获得极低的待机功耗和超快的启动时间。
SC3057B提供了自适应的开关频率折返功能，以在整个负载范围内实现更高的效率。它在QR和DCM模式下以谷底开关方式运行，以提高效率。在无负载情况下，IC将以脉冲模式运行以降低功耗。SC3057B具备低启动电流、快速启动和低待机功耗等功能。极低的运行电流（350uA）脉冲模式可以显著降低待机功耗，以符合效率法规要求。
SC3057B提供了全面的保护功能，以防止在异常情况下损坏电路。此外，频率抖动和智能驱动功能可最小化噪音并提高EMI性能。SC3057B采用QFN6x8封装。
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南芯SC3057
SC3057合封氮化镓芯片。南芯SC3057将高性能多模式反激控制器、氮化镓驱动、氮化镓开关管、供电和保护等电路集成在一颗散热增强的QFN6*8封装内部。通过合封来简化外部元件数量，并消除传统驱动走线寄生参数对高频开关的影响。
南芯SC3057采用了功率走线和控制走线分开的设计，降低高频开关对控制回路的影响，并通过优化的焊盘设计，优化充电器走线设计与电气性能，简化设计开发。
南芯SC3057内置165mΩ氮化镓开关管，支持175KHz开关频率，并支持X电容放电。
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南芯SC3056
南芯SC3056是一颗高频准谐振反激转换器，具有高能效和高可靠性，源自南芯半导体的SC305x系列。SC3056内部集成650V耐压的开关管，可轻松驱驾30W~40W输出功率范围。
SC3056工作在QR和DCM模式下，谷底开通以提高效率；提供自适应的频率折返用于实现全负载范围内的高效率；无负载时，芯片以突发模式运行，降低待机功耗。转换器内置高压启动电路，可实现超低的待机功耗和超快的启动速度。同时集成软启动电路，以及用于超宽输出范围的分段式供电电路。在突发和故障模式下具有超低的工作电流，满足待机能效要求。最高工作频率为175KHz，大幅降低磁性器件的体积和成本。全功率范围具备抖频功能，用以改善EMI性能。
芯片内置过热保护，供电过压保护、供电欠压闭锁、逐周期电流限制、两级过流保护、输出过电压保护、输出短路保护和过载保护，提供完善全面的保护功能。
南芯SC3055A
SC3055A是一款高频率、准谐振反激PWM转换器，内置了650V GaN（QR/DCM）技术，同时提供了自适应开关频率折返功能，能够在整个负载范围内实现更高的效率。
该转换器采用QR和DCM工作模式，结合了谷值开关运行，以提高效率。在无负载情况下，IC将切换至突发模式，以降低功耗。SC3055A具备低启动电流和低待机功耗等功能。突发模式下的极低操作电流（350uA）可显著减少待机功耗，满足效率要求。
此转换器还内置了用于供应VDD电源的段电源电路，特别适用于广范围输出电压的应用。SC3055A提供全面的保护功能，以防止在异常条件下电路受损。此外，其频率抖动和智能驱动功能的特点可以最大程度地减少噪音并提升EMI性能。
南芯SC3055
SC3055是南芯科技高性能高频QR控制器与GaN功率器件的完美结合，更加利于发挥GaN器件低阻抗、低开关损耗的优良性能；QR工作模式，可支持135kHz开关频率；提高系统的功率密度，满足日趋小型化的需求；特有的降频策略，使得全功率范围获得理想的转换效率。
SC3055内置650V耐压的氮化镓开关管，可支持20W~25W应用的应用场景，集成分段式供电，具备完善的保护功能。采用SOP-7封装，体积小巧，方便工程师制作样机。这颗芯片可应用于USB PD、QC快充充电器，也可以用于AC-DC适配器。提升转换效率，降低发热。
SC3055采用SOP-7封装。
南芯SC3054H
SC3054H是一款高频、准谐振反激PWM变换器，具备650V GaN集成（QR/DCM），可以实现高效率和可靠性。内部提供自适应的开关频率折返功能，以在整个负载范围内实现更高的效率。它在QR和DCM模式下以谷底开关方式运行，以提高效率。在无负载情况下，IC将以脉冲模式运行以降低功耗。
SC3054H提供低启动电流和低待机功耗等功能。极低的运行电流（350uA）脉冲模式可以显著降低待机功耗，以符合效率法规要求。同时集成了一个用于VDD电源供应的分段电源电路，特别适用于输出电压范围广泛的应用。
SC3054H提供全面的保护功能，以防止在异常条件下损坏电路。此外，频率抖动和智能驱动功能可以最小化噪音并提高EMI性能。SC3054H采用eSOP-7L封装。
展会预告
上海南芯半导体科技股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B09、B10、B27、B28，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
HYASIC 华源智信
华源智信半导体（深圳）有限公司成立于2018年，专注于数字电源芯片的设计与开发，主要产品为针对移动终端和家用电器类的ACDC电源芯片、USBPD快充、背光、Mini/Micro LED等小间距电源驱动芯片以及显示类电源管理芯片PMIC。公司产品服务于国内外的一线客户，覆盖包括电视TV/手机/移动终端及家用电器等多个终端应用领域。
公司为国家高新技术企业和专精特新“小巨人”企业，已获得IS09001质量管理体系认证证书。在深圳、武汉、天津、合肥、美国硅谷、韩国首尔均设有研发服务中心，目前在全球范围内拥有和布局的核心技术及相关专利超过百项。公司致力于提供高性能、高品质、客制化的电源管理芯片及解决方案，以打造从交流到直流一体化高效智慧节能的综合电源管理解决方案，为客户提供全方位的芯片定制服务及支持，成为国际领先的电源管理芯片专家。
华源智信HYC3686H
HYC3686H是一款智能反激控制器，内置GaN和SenseFET技术。这一新开发的架构拥有满足行业法规要求的内在特性。
HYC3686H内置了650 V、150 - 550 mΩ的GaN FET，同时还集成了电流感测功能，以及高压启动功能。具备广泛的输入电压范围，从5 V到80 V，同时还提供LDO上电PWM控制器，以及智能驱动和保护功能，包括过电流保护（OCP）、变压器饱和保护（TSP）和过温保护（OTP），以确保电路的稳定和安全运行。
华源智信HYC3657
HYC3657是一款集成了700V E-mode GaN的智能数字多模式反激变换器。这一新开发的架构具备满足行业法规要求的内在特性。
HYC3657集成了丰富的保护和功能，包括线路补偿、斜率补偿、变压器短路保护、输出过压保护、VCC过压保护、过载保护、过温保护、断电和通电保护。HYC3657采用DFN6x8封装，可提供多种保护功能，适用于各种应用场合。
华源智信HYC3606
华源 HYC3606 内部集成了 650V/360mΩ 的氮化镓功率器件、数字多模式反激控制器和自适应氮化镓栅极驱动器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
华源 HYC3606 可选 ESOP8 / DFN5x6 两种封装，工作频率可选 89K / 130K，支持 CCM/DCM/PFM/突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片可平衡开关损耗和EMI，支持抖频功能以改善EMI性能。
华源 HYC3606 采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。芯片支持静点GND散热，内置有丰富的保护功能，包括LPS， VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
华源智信HYC3603
HYC3603是一款智能数字多模式反激控制器，集成了650V E-Mode GaN。这一新开发的架构具备满足来自世界各地的法规要求的内在特性。
HYC3603集成了丰富的保护和功能，包括斜率补偿、VCC过压保护、变压器饱和保护、电流感测电阻短路保护、过温保护、过载保护和输出过压保护。HYC3603采用SOP7和ESOP8封装。
华源智信HYC3601E/H
华源半导体HYC3601E/H内置智能多模式数字控制，支持支持CCM/DCM/PFM/QR突发运行模式，以获得效率和性能的平衡。芯片采用SOP7封装。芯片内部集成增强型高压氮化镓开关管，数字多模式反激控制器，通过合封的方式消除寄生参数对高频开关造成的干扰，并减小外部元件数量，为氮化镓快充提供精简高效的电源方案。
HYC3601E/H内置自适应氮化镓栅极驱动器，可平衡开关损耗和EMI，抖频功能可改善EMI性能。芯片采用副边反馈，满足快充所需的宽电压范围输出。内置有丰富的保护功能，包括VCC供电过压保护、变压器磁饱和保护、取样电阻短路保护、过热保护、过载保护，输出过电压保护。
HYC3603601E/H待机功耗小于75mW，具有低启动电流。并支持频率反向控制技术，能够提升高压输入的转换效率。可用于充电器、USB PD快充，电视机及显示器待机电源、笔记本适配器等应用，提高能效并降低成本。
展会预告
华源智信半导体（深圳）有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B48、B29、B47、B30，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
DK 东科
东科半导体（安徽）股份有限公司成立于2011年，是国内为数不多的集研发、设计、生产、销售为一体的集成电路科技创新型企业，是国家级专精特新小巨人企业。公司设立有4个研发中心(深圳、无锡、马鞍山、青岛)，一个封测基地。公司采用市场少有的“FABLESS+封测”的经营模式，在具备自主芯片设计能力的同时，拥有自主封测能力。这两大重要环节的技术相互嵌合，整体提高了东科芯片的品质性能及供给能力，从而成为下游品牌厂商稳定的本土供应链。
东科多年坚持自主研发，正向设计，先后开发出AC/DC、同步整流、第三代半导体氮化镓芯片等，被广泛应用于电源管理芯片市场。2016年东科半导体同步整流芯片研发成功，其独特的两引脚封装技术为全球首创，迅速在行业内积累了独家竞争优势，目前产品已完成苹果、华为、OPPO、海康威视及长城集团等专业测试，获得了天宝电子、天音电子、欧陆通、立讯精密、海信等上市企业的认证，东科的同步整流芯片持续保持着30%以上的市场份额，2020、2021年市占率均夺得全国第一。
东科着眼于客户需求，立足中国，面向世界，致力于创造完美价值链，服务全球电源IC市场。东科智造，创“芯”前行 Power your future!
东科DK8607AD
DK8607AD 是一款集成了两颗 GaN 功率器件的有源钳位反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK8607AD 利用漏感能量，可以实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率，降低功率管的应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8607AD支持最高1MHz开关频率，效率高达95%，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，可适应宽电压，推荐功率为70W，可为系统提供更高的性能和可靠性。
DK8607AD 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8607AD 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过、欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP），输出短路保护等。
DK8607AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等领域之中。
与一元硬币实观对比。
东科DK8612AD
DK8612AD是一款集成了两颗 GaN 功率器件的有源钳位反激控制 AC-DC 功率开关芯片。
DK8612AD 利用漏感能量，可以实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率，降低功率管的应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8612AD支持最高1MHz开关频率，效率高达95%，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，带有升压PFC，推荐功率为120W，可为系统提供更高的性能和可靠性。
DK8612AD 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8612AD 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过、欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP），输出短路保护等。
DK8612AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、机顶盒适配器等领域之中。
与一元硬币实观对比。
东科DK8710AD
DK8710AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8710AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8710AD的内阻为365-480mΩ，推荐应用功率为100W。
DK8710AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8712AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。
东科DK8712AD
相较于DK8710AD，DK8712AD主要是内阻进一步减少，为270-350mΩ，推荐应用功率为120W。
DK8712AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8712AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8712AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8712AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。
东科DK8715AD
相较于DK8712AD，DK8715AD主要是内阻进一步减少，为200-260mΩ，推荐应用功率为150W。
DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片，其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS，副边整流管ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，从而减小开关损耗并改善电磁干扰。
DK8715AD支持最高800KHz开关频率，待机功耗小于50mW，具备自适应死区时间，外围极致精简，同时具备无卤素特性，符合ROHs要求，并内置高压启动和X电容放电电路，可为系统提供更高的性能和可靠性。
DK8715AD外围精简，可极大简化AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8715AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC 过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等。
DK8715AD采用DFN8*8的封装形式，适用于高功率密度快速充电器、适配器、笔记本适配器、平板电脑适配器、电视电源、两轮电动车充电器、通信电源、LED电源等领域之中。
与一元硬币实观对比。
东科DK8718AD
相较于DK8715AD，DK8718AD主要是内阻进一步减少，为115-150mΩ，推荐应用功率为180W。
DK8718AD 是一颗基于不对称半桥架构，集成了两颗氮化镓功率器件的 AC-DC 功率开关芯片。DK8718AD 能够在较大的负载范围内实现原边功率管 ZVS，副边整流管 ZCS，从而提高电源系统效率。同时软开关还可以降低功率管应力，减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK8718AD 外围精简，极大的简化了 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK8718AD 具备完善的保护功能：包括过载保护、输出过压保护、输出短路保护、VCC过/欠压保护、VS 引脚异常保护、初级过流保护、过温保护等，采用DFN8*8封装。
东科DK012G
东科DK012G是一款集成了 650V/2。2Ω GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK012G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK012G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK012G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK012G氮化镓合封芯片支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
东科DK020G
东科DK020G是一款集成了 650V/1。2Ω GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK020G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK020G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK020G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK025G
东科DK025G是一款集成了 650V/800mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK025G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK025G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK020G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK020G氮化镓合封芯片支持250KHz开关频率，峰值效率高达92。7%，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
东科DK035G
东科DK035G是一款集成了 650V/600mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK035G 检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK035G 极大的简化了反激式 AC-DC 转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK035G 具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC 过欠压保护，过温保护（OTP），开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK035G氮化镓合封芯片效率最高可达93%，最高支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置高低压输入功率补偿电路，内置高压启动，采用PDFN5*6封装，适用于氮化镓快充，电源适配器以及辅助电源应用。
东科DK045G
东科DK045G是一款高度集成的氮化镓合封芯片。内置650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持45W及以下功率应用。DK045G检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK045G极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密 度的产品。DK045G具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC过欠压保护，过温保护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK045G采用PDFN5*6封装模式，可广泛应用于高功率密度PD快充、笔记本平板电脑适配器以及辅助和待机电源。
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东科DK045GD
东科DK045GD是一款高度集成的氮化镓合封芯片。内置650V/400mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片，支持45W及以下功率应用。DK045GD检测功率管漏极和源极之间的电压（VDS），当 VDS达到其最低值时开启功率管，从而减小开关损耗并改善电磁干扰（EMI）。
DK045GD极大的简化了反激式AC-DC转换器的设计和制造，尤其是需要高转化效率和高功率密度的产品。DK045GD具备完善的保护功能：输出过压保护（OVP），VCC过欠压保护，过温保护（OTP）， 开环保护，输出过流保护（OCP）等。
东科DK045GD通过IEC 62368-1:2018安全认证，编号为NO123514，采用DFN8*8封装模式，可广泛应用于高功率密度PD快充、笔记本平板电脑适配器以及辅助和待机电源。
东科DK065G
DK065G是一款高度集成了650V/260mΩ GaN HEMT的准谐振反激控制AC-DC功率开关芯片，其中集成了控制和驱动电路。
DK065G采用了专利的谷底锁定QR算法，在降低开通损耗，提高系统效率的同时，稳定的锁谷底算法避免了音频噪声的引入，大大简化了高功率密度反激电源的设计。DK065G具备完善的保护功能，支持输出过压保护，供电过压、欠压保护，过热保护等保护功能。
东科DK065G通过IEC 62368-1:2018安全认证，编号为NO123514，采用DFN8*8封装，外围元件精简，适用于高功率密度快充适配器，笔记本电源适配器等应用。
与一元硬币比较。
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2、单芯片实现65W，东科合封氮化镓芯片DK065G规模化商用
东科DK075G
东科半导体的合封氮化镓系列产品DK075G内部集成了650V/160mΩ氮化镓功率管，并集成了控制和驱动电路芯片。DK075G采用了专利的谷底锁定QR算法，在降低开通损耗，提高系统效率的同时，稳定的锁谷底算法避免了音频噪声的引入，大大简化了高功率密度反激电源的设计。
DK075G峰值效率高达94。3%，最高支持250KHz开关频率，待机功耗低于50mW，内置算法优化的谷底检测电路和谷底锁定电路以及退磁检测电路和抖频电路，可有效改善EMI，同时内置的高低压输入功率补偿电路可保证高低压下最大输出功率一致。DK075G具备无卤素特性，符合ROHs要求。
DK075G具备完善的保护功能，支持输出过压保护，供电过压、欠压保护，过热保护等保护功能。
东科DK075G采用DFN8*8封装，外围元件精简，适用于高功率密度快充适配器，笔记本电源适配器等应用。
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展会预告
东科半导体（安徽）股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B68、B49、B67、B50，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
Power Integrations
Power Integrations, Inc.是一家专注于高压电源管理及控制领域的高性能电子元器件及电源方案的供应商，总部位于美国硅谷。PI所推出的集成电路和二极管为包括移动设备、家电、智能电表、LED灯以及工业应用的众多电子产品设计出小巧紧凑的高能效AC-DC电源。Power Integrations的SCALE门极驱动器可提高大功率应用的效率、可靠性和成本效益，其应用领域包括工业电机、太阳能和风能系统、电动汽车和高压直流输电等。自1998年问世以来，Power Integrations的EcoSmart节能技术已节省了数十亿美元的能耗，避免了数以百万吨的碳排放。由于Power Integrations的产品对环境保护的作用，Power Integrations的股票已被归入到由Cleantech Group LLC及Clean Edge赞助的环保技术股票指数下。
PI InnoSwitch3-EP
InnoSwitch™3-EP系列是一款集成初级开关、同步整流和FluxLink反馈技术的恒压/恒流准谐振离线反激式开关电源IC，可大幅简化反激式电源变换器的设计和生产，特别是那些要求具有高效率和/或小尺寸的电源。InnoSwitch3-EP产品系列将初级和次级控制器以及符合安全标准的反馈机制集成到了单个IC中。
InnoSwitch3-EP系列器件集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。该系列器件提供标准输出功率和峰值输出功率选项，以及常用的自动重启动保护功能。
PI InnoSwitch3-CP
InnoSwitch3-CP系列IC可大幅简化反激式电源变换器的设计和生产，特别是那些要求具有高效率和/或小尺寸的电源。InnoSwitch3-CP产品系列将初级和次级控制器以及符合安全标准的反馈机制集成到了单个IC中。
InnoSwitch3-CP系列器件集成了多项保护特性，包括输入过压及欠压保护、输出过压及过流限制以及过温关断。所提供的器件均支持锁存与自动重启的常用组合，这是快充和USB PD设计等应用所要求的特性。所提供的器件提供输出线压降补偿选项。
PI InnoSwitch3-Pro
PI InnoSwitch3-Pro系列，内置PWM控制器、氮化镓开关管以及同步整流控制器及次级控制器，集成度非常高。芯片采用PI独家的PowiGaN技术，支持同步整流输出控制，支持I²C接口数控，内置协议芯片供电，外围器件精简。
PI InnoSwitch3-PD
InnoSwitch3-PD是一系列具有集成USB Type-C和USB PD控制器、高压开关、同步整流和FluxLink反馈的离线QR Flyback开关IC。
InnoSwitch3-PD集成USB Type C和PD控制器，支持USB PD 3.0 + PPS和QC4，符合USB Type-C 1.3标准。具有高度集成、紧凑尺寸，以及优化效率、瞬时响应和低耗散热等特点。同时，它具有全面的保护功能，满足全球能源效率法规，同时具有强化绝缘和环保包装，适用于高效USB PD适配器、基于QC协议的电源适配器，以及直接充电移动设备充电器等各种应用场景。
PI InnoSwitch3-AQ
InnoSwitch™3-AQ系列是一系列用于汽车应用的集成750V / 900V / 1700V开关的CV/CC谷底切换DCM/CCM反激开关IC，极大地简化了汽车应用中隔离式反激电源转换器的设计和制造过程。该系列将主控制器、次级控制器以及安全级别的反馈集成到一个IC中，即使在极宽的输入电压范围内，也能实现精确的输出电压调节。
InnoSwitch3-AQ系列器件还整合了多种保护功能，包括线路过压和欠压保护、输出过压、过电流限制以及过温度关断。这些器件支持从30V起动，使其非常适合紧急电源供应（EPS）应用。
PI InnoSwitch4-Pro
InnoSwitch4-Pro是一款搭载750V PowiGaN、主动夹紧驱动和同步整流技术，具备数字可控的离线CV/CC零电压切换（ZVS）反激开关IC，具有独特控制算法，可在DCM和CCM两种模式下实现ZVS，开关频率高达140KHz，内部集成FluxLinkTM、HIPOT隔离的反馈链路，效率高达95%，并具有多种保护机制。
InnoSwitch4-Pro与ClampZero系列主动夹紧IC无缝配合，实现了在连续和间断导通模式下的零电压切换。另外，InnoSwitch4-Pro也可以选择使用带有适当型号的RCD夹紧器进入QR模式。整体系统效率超过95％，这使得设计人员可以不再需要散热器、散热片和浇注材料来进行热管理，进一步减小了体积、元件成本和制造复杂性。
此外，InnoSwitch4-Pro还集成了PowiGaN主开关和控制器、隔离反馈以及带有I2C接口的次级控制器，从而简化了全面可编程、高效电源供应的开发和制造过程。
展会预告
Power Integrations 参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于C区C26、C27、C28、C29，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
Kiwi Instruments 必易微
深圳市必易微电子股份有限公司（股票代码：688045）是一家高性能模拟及数模混合集成电路供应商，主营产品包括 AC-DC、DC-DC、驱动 IC、线性稳压、电池管理、充电管理、放大器、数模转换器、传感器等，为消费电子、工业控制、网络通讯、数据中心、汽车电子等领域客户提供一站式芯片解决方案和系统集成。
必易微尊重人才、重用人才，不忘科技改善生活的初衷，以客户为中心，坚持“独特创新、易于使用”的公司理念，创新芯领域，引领芯发展，力争成为全球卓越的芯片设计企业。
必易微KP2208X
必易微KP22080是一颗内部集成增强型氮化镓开关管的氮化镓合封芯片，芯片内部集成高压启动电路，具备超低启动和工作电流，待机功耗低于30mW。
KP22080芯片具备130/220KHz两档工作频率可选，支持全范围准谐振运行。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置，用于优化系统EMI性能。
芯片内部还集成升压供电，适用于PD快充宽范围输出应用。芯片内置供电欠压/过压保护，输入欠压保护，输出过压保护，逐周期电流限制，异常过流保护，过载保护，输出过流保护，过热保护，电流采样电阻开路保护。芯片采用HSOP-7封装，具有良好的散热性能。
必易微KP2206X
必易微推出了两款采用反激拓扑的氮化镓合封芯片KP22064和KP22066，具有极低的待机功耗。高集成度的合封芯片可以减少充电器外围器件数量，能够实现高效率，小体积的开关电源设计。
KP22064和KP22066均内置650V氮化镓开关管，其中两款器件内置的氮化镓开关管导阻不同，支持的功率也不同，KP22064内置365mΩ氮化镓开关管，支持30-45W输出功率。KP22066内置165mΩ氮化镓开关管，支持45-100W输出功率。
值得一提的是，KP2206X合封芯片还支持双绕组为芯片供电，具有两个供电引脚，可以根据输出电压，切换供电绕组抽头。当输出电压范围宽且输出电压较高时，芯片可自动切换成低压绕组供电，降低芯片损耗。采用必易微专有的DFN8*8封装，将功率走线和控制走线分离，并采用大面积散热PAD，有效降低温升，具有优秀的散热性能。
展会预告
深圳市必易微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B07、B08，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
SPMICRO 三浦微
深圳三浦微电子股份有限公司是一家国家级高新技术、专精特新企业，公司致力成为全球领先的智能充电管理、电池管理系统产品的IC设计公司。
产品主要应用于AC/DC充电器、PD快充、适配器、绿色照明、智能家居、 充电桩、电动汽车、TWS无线蓝牙耳机、电子烟及锂电充放电管理等产品。
公司核心成员有MPS、NXP、ST等欧美及国内一流半导体公司的工作经验, 尤其工业及消费类电源和驱动 IC 市场丰富的经验和成就。
三浦微SP280X
SP280X是一款高频、高性能的准谐振电流模式功率开关，集成了GaN FET，用于AC-DC转换器。它集成了高压启动电路，可以实现快速启动功能和超低的运行电流，待机功耗小于30mV。
SP280X的最大开关频率可以达到220kHz，它可以在整个负载范围内以QR模式运行。SP280X还集成了峰值电流抖动和可调驱动电流功能，可以极大优化系统的EMI性能。
SP280X还集成了多种保护功能，包括VDD欠压锁定（UVLO）、VDD过压保护（VDD OVP）、输入欠压保护（BOP）、输出过压保护（OVP）、逐周期电流限制（OCP）、异常电流限制（AOCP）、过载保护（OLP）、输出过电流保护（SOCP）、芯片内部热关断保护（OTP）、前沿消隐（LEB）、CS开路保护等等。SP280X具有ESOP-7/HSOP-7两种封装可选。
SP280X共有三款型号，分别是SP2802、SP2803、SP2804，具体区别上图所示。
展会预告
深圳三浦微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于C区C37、C38，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
Chipown芯朋微
芯朋微电子（Chipown）是一家专注于功率半导体研发的高科技企业，公司成立于2005年，总部位于江苏无锡，并在苏州、上海、深圳、中山、珠海、厦门、青岛设有研发中心和客户支持机构。主要产品线包括模拟/数字架构的AC-DC、DC-DC、Driver IC及Power Discretes等，广泛应用于家电、充电&适配器、智能电网、通信、服务器、光储充、工业电机、工控设备、汽车等领域。目前，公司为众多行业的TOP企业提供从高压电源芯片到低压电源芯片、从模拟电源芯片到数字电源芯片、从功率控制芯片到功率分立器件的“PowerSemi Total Solution”，年出货超十亿颗芯片，建立了被数千家客户信赖的品牌优势。公司是上交所科创板的第一家高压电源芯片设计企业，股票简称：芯朋微，股票代码：688508。
芯朋微PN8783
芯朋微PN8783是一款专用于高性能的快速充电开关电源的QR-Lock初级控制器，内置高性能 700V GaN FET，最高支持500kHz工作频率，可以有效减小变压器及输出电容体积。同时内置800V高压启动管，待机功耗小于55mW，典型转换效率大于93%，可显著提升充电器功率密度。
PN8783内部集成电流模式控制器，采用了特有的多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术，可根据输入电压、输出电压和负载自适应切换OR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，避免了开关变换器进入CCM模式工作，从而降低了次级整流管的电压应力。
芯朋微PN8783采用QFN6X8封装工艺，环路高度稳定，进口替换的适配度更高，适用于手机充电器、充电适配器等领域
展会预告
无锡芯朋微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于A区A15，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
Si-power硅动力
无锡硅动力微电子股份有限公司成立于2003年6月，2007年2月完成股份制改造，注册资本5990。9826万元。公司拥有先进的集成电路设计及测试平台，充分发挥数模混合及系统集成的技术优势，以市场为导向，开发拥有自主知识产权的优质电源管理芯片，产品包含AC-DC、DC-DC等绿色电源管理芯片，可广泛应用于智能手机快速充电器、5G通信适配器、家电、智能家居、智能电表、工业与汽车电子等领域，致力于为客户提供高效节能、稳定安全的电源管理芯片及全套电源解决方案。
公司自成立以来始终坚持自主研发与创新，2021 年被江苏省工业和信息化厅认定为“江苏省工业设计中心”，获评高新技术企业、江苏省民营科技企业、江苏省专精特新中小企业和无锡市准独角兽企业等称号，并在多个年度获得中国 IC 设计成就奖、“无锡市十大优秀设计企业奖”、“无锡市十强IC设计企业”等奖项，公司多款芯片产品荣获“中国芯”芯火新锐产品奖等奖项。截至2022年底，公司累计获得及在申请发明和实用新型专利百余项、集成电路布图设计权44项。
公司产品坚持自主创新，与国内著名高校进行产、学、研合作。公司2013年起与浙江大学建立了硅动力电源管理芯片联合实验室，并于2016年受邀成为浙江大学微电子学院理事会首批会员企业。公司于2019年起与东南大学建立了宽禁带半导体材料和器件联合研发实验室、东南大学研究生实习基地。在高频、高功率密度开关电源控制技术和氮化镓新型功率器件领域开展技术合作，在人才培养、前沿芯片设计技术方面进行深层次的合作。
硅动力真诚欢迎从事微电子事业的人士加盟，倡导“拒绝平庸，创造精品”的经营理念，希望与国内外的企事业单位及各界友好人士携手发展、共创未来。
硅动力SP9687M
SP9687M 是一款集成 GaN 功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD和 USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案；集成高压启动电路，待机功耗小于 50mW。芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易
满足安规的 LPS 要求。
在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源
系统转换效率，满足能效要求。
SP9687M 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD 过压/欠压保护。SP9687M 采用 eHSOP-9L 封装。
硅动力SP9687H
SP9687H 是一款集成 GaN 功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD和 USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案；集成高压启动电路，待机功耗小于 50mW。芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。
在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst模式; 采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9687H 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD 过压/欠压保护。SP9687H 采用 QFN8*8 封装。
硅动力SP9685E
SP9685E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。
在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9685E 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD过压/欠压保护。SP9685E 采用 ESOP-7 封装。
硅动力SP9684E
SP9684E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。
芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9684E 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD过压/欠压保护。SP9684E 采用 ESOP-7 封装。
硅动力SP9683N
SP9683N 是一款集成 GaN 功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD和 USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。
芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式；采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9683N 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD 过压/欠压保护。SP9683N 采用 eSOP-7L 封装。
硅动力SP9683E
SP9683E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。
在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9683E 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD过压/欠压保护。SP9683E 采用 ESOP-7 封装。
硅动力SP9682N
SP9682N 是一款集成 GaN 功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD和 USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。
芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9682N 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD 过压/欠压保护。SP9682N 采用 eSOP-7L 封装。
硅动力SP9682E
SP9682E是一款集成GaN功率器件的高频准谐振反激控制器，适合设计在离线式 USB-PD 和USB Type-C 等快速充电器和电源供应器方案，待机功耗小于 75mW。
芯片内置精确的初级限流电路，在输出电压在 PD/PPS 调节时，保证恒定的输出限流，容易满足安规的 LPS 要求。在满载输出时，IC 在谷底锁定模式下工作；确保高频下，频率变化范围小，提高效率；当负载减轻，进入无谷底锁定模式时，IC 进入快速频率折返模式，减少开关损耗，提高转换效率；当负载进一步减轻时，IC 工作在跳频 Burst 模式;采用这种控制方式，在全负载范围内，提升电源系统转换效率，满足能效要求。
SP9682E 集成全面的保护功能，包括逐周期过流保护（OCP），过载保护（OLP），外部过温保护（OTP），输出短路保护（SCP），初级限流电阻 OPEN/SHORT 保护，输出过压，VDD 过压/欠压保护。SP9682E 采用 ESOP-7 封装。
展会预告
无锡硅动力微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于A区A19，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
CXW 诚芯微
深圳市诚芯微科技股份有限公司是一家专注于高性能模拟及数模混合集成电路研发、设计及销售为一体的国家高新技术企业、深圳市“专精特新“中小企业。14年专注电源芯片研发、集成方案应用服务提供商！主要致力于为客户提供安全、稳定、可靠的基于消费类电子、工业应用和汽车市场易于使用的电源管理解决方案和优质的Turn-Key服务。
深圳市诚芯微科技股份有限公司成立于2009年，总部位于中国深圳，先后在无锡、深圳等地建立研发中心。公司创始团队来自全球知名IC设计公司，核心研发团队拥有15年以上电源管理芯片设计、研发和生产测试经验。诚芯微科技致力于汽车电源管理、消费类电源、无刷电机马达驱动等领域核心芯片开发。公司打造了以高精度、低功耗、高效能、高可靠性为特点的多品类电源管理芯片，已拥有BUCK电路电源芯片、PD快充套片方案、中高压MOS、中低压LDO、充电管理芯片及个护产品集成芯片等产品线。并有相关专利技术达六十余项。公司产品广泛应用于汽车电子、便携式电子、 小家电、智能家居、可穿戴设备、安防监控、电动工具、小功率储能等众多领域。
凭借专注领域，自主研发与前瞻决策，诚芯微自成立以来迅速发展壮大，先后与lenovo、salcomp、AOHAI、小米、立讯精密、Belkin 、飞利浦、ANKER、BYD、CE-LINK等国内外知名企业建立战略合作关系，持续为品牌客户提供高性价比解决方案与优质技术服务。
诚芯微CX75GE120IES
CX75GE120IES是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于25W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。
CX75GE120IES的工作频率最高可达200KHZ，可全范围工作在准谐振模式，在轻载时则会工作于burst模式以提升效率， 将23kHz以下的音调能量降至最低，并在操作过程中消除音频噪声。
CX75GE120IES集成了完备的保护功能，包括：Vcc欠压保护（UVLO），Vcc过压保护（Vcc_OVP），输入欠压保护（Brown in），输入过压保护（Brown out），输出过压保护（VO_OVP），FB开短路保护以及副边SR短路保护，CS开短路保护等。同时CX75GE120IES提供了优良的电磁干扰性能，为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个很好的设计平台。
诚芯微CX75GE080IES
CX75GE080IES是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于27W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。
CX75GE080IES的工作频率最高可达200KHZ，可全范围工作在准谐振模式，在轻载时则会工作于burst模式以提升效率， 将23kHz以下的音调能量降至最低，并在操作过程中消除音频噪声。
CX75GE080IES集成了完备的保护功能，包括：Vcc欠压保护（UVLO），Vcc过压保护（Vcc_OVP），输入欠压保护（Brown in），输入过压保护（Brown out），输出过压保护（VO_OVP），FB开短路保护以及副边SR短路保护，CS开短路保护等。同时CX75GE080IES提供了优良的电磁干扰性能，为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个很好的设计平台。
诚芯微CX75GE048IES
CX75GE048IES是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，应用于35W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。
CX75GE048IES的工作频率最高可达200KHZ，可全范围工作在准谐振模式，在轻载时则会工作于burst模式以提升效率， 将23kHz以下的音调能量降至最低，并在操作过程中消除音频噪声。
CX75GE048IES集成了完备的保护功能，包括：Vcc欠压保护（UVLO），Vcc过压保护（Vcc_OVP），输入欠压保护（Brown in），输入过压保护（Brown out），输出过压保护（VO_OVP），FB开短路保护以及副边SR短路保护，CS开短路保护等。同时CX75GE048IES提供了优良的电磁干扰性能，为需要超低待机功耗的高性价比反激式开关电源系统提供了一个很好的设计平台。
诚芯微CX75GD080BL
诚芯微CX75GD080BL是一颗内部集成高压氮化镓开关管的高频高性能准谐振电源芯片，适用于27W内开关电源应用。
诚芯微CX75GD080BL这款芯片的工作频率高达200KHz，支持全功率范围准谐振模式运行，轻载支持突发模式提升效率。
诚芯微 CX75GD080BL集成VCC供电欠压/过压保护，输入欠压/过压保护，输出过压保护，FB引脚开路/短路保护，同步整流管短路保护，电流取样电阻开路/短路保护。芯片采用SOP8L封装，适用于PD快充和电源适配器应用。
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1、简单可靠亦更具成本优势，11家厂商推出12款20W合封氮化镓芯片
诚芯微CX75GD100S
CX75GD100S跟CX75GD080BL的唯一区别就是内置高压氮化镓的阻抗由800mΩ提升至1000mΩ，其余方面并无变化。
诚芯微CX75GD025E
CX75GD025E是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，适用于45W内开关电源应用。
CX75GD025E具有9V-40V的Vcc工作电压范围，开关频率最高可达200kHz，可全范围工作在准谐振模式，在轻载时则会工作于burst模式以提升效率，将23kHz以下的音调能量降至最低，并在操作过程中消除音频噪声。CX75GD025E还配备有专有软启动电路可降低次级Vds应力，大大提高了系统的稳定性。
CX75GD025E内置了多重保护功能，如输入过欠压保护、输出过压保护、Vcc过欠压保护、OPP/SSCP保护以及引脚开短路保护等，确保了系统的可靠性和安全性。支持外部OTP设置保护，进一步增强了应用的安全性。
CX75GD025E采用ESOP-10W封装形式安装，适用于开关式AC-DC电源、智能小家电、PC外围供电设备以及笔记本电脑辅助电源等多种场景，为各种电源应用提供高效稳定的解决方案。
诚芯微CX75GD015E
CX75GD015E是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关，
适用于65W内开关电源应用。
CX75GD015E具有9V-40V的Vcc工作电压范围，开关频率最高可达200kHz，可全范围工作在准谐振模式，在轻载时则会工作于burst模式以提升效率，将23kHz以下的音调能量降至最低，并在操作过程中消除音频噪声。CX75GD015E还配备有专有软启动电路可降低次级Vds应力，大大提高了系统的稳定性。
CX75GD015E内置了多重保护功能，如输入过欠压保护、输出过压保护、Vcc过欠压保护、OPP/SSCP保护以及引脚开短路保护等，确保了系统的可靠性和安全性。支持外部OTP设置保护，进一步增强了应用的安全性。CX75GD015E采用ESOP-10W封装形式安装，适用于开关式AC-DC电源、智能小家电、PC外围供电设备以及笔记本电脑辅助电源等多种场景，为各种电源应用提供高效稳定的解决方案。
展会预告
深圳市诚芯微科技股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B31，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
Lii Semiconductor 力生美
力生美半导体 ( Lii Semiconductor ) 是一家专注于电源/功率管理集成电路设计、销售与技术服务的国家级高新技术企业，2010年成立于深圳，总部位于深圳市南山智园崇文园区内，并在苏州设有企业研发中心，在慈溪/顺德/东莞设有技术支持服务中心，力生美始终致力于为客户提供高效能、高可靠性、高可用性的系列开关电源IC产品，同时提供一站式的应用解决方案和现场技术支持服务，为电子电器厂商赋能，助力提高用户的综合竞争力。
依托公司领先的技术创新能力和多年的技术积累，先后在市场上推出多款具有领先优势的产品系列，包括TruePSR原边反馈系列、SSR通用PWM系列、ideaSR同步整流系列、HVBUCK非隔离降压系列、ACZERO过零型隔离反激系列，产品覆盖家电、充电器、适配器、电动工具、快充、网通、IOT等领域。
目前在售产品已覆盖0-120W多种功率等级开关电源IC及解决方案，获得市场与用户的广泛认可。我们将始终秉持科技创新导向，致力于为市场提供节能高效的功率管理IC产品，助力降低碳排放，为建设更加美好的地球而努力。
力生美LIC3515F
LIC3515F是一款新一代的高性能、高度集成的电流模式PSR电源开关集成电路。它能轻松实现低待机功耗，最低可达30mW或更低，同时具备高效率转换和低功耗特性，以满足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准，适用于峰值功率高达40W的应用场景。
该芯片提供了高性能的PSR主控CC/CV开关电源解决方案，内置高精度的恒流和恒压控制，并采用了优化的谷点开关技术，能够在全范围内提供不低于±3%的输出电流精度和±2%的输出电压精度误差。
力生美LIC3513D
LIC3513D是一款新一代高性能、高度集成的电流模式PSR电源开关集成电路。它能轻松实现低待机功耗，最低可降至30mW或更低，同时具备高效率转换和低功耗特性，以满足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准，适用于峰值功率高达30W的应用场景。
该芯片提供高性能的PSR主控CC/CV开关电源解决方案，内置高精度的恒流和恒压控制，采用优化的谷点开关技术，全范围内输出电流精度误差优于±3%，输出电压精度误差优于±2%。
力生美LIC3511B
LIC3511B是一款新一代高性能、高度集成的电流模式PSR电源开关集成电路。它能轻松实现低待机功耗，最低可达30mW或更低，同时具备高效率转换和低功耗特性，满足CoC V5和DoE LEVEL VI的能效标准，适用于峰值功率高达25W的应用场景。
LIC3511B是高性能的PSR主控CC/CV开关电源解决方案，内置高精度的恒流和恒压控制，采用优化的谷点开关技术，提供全范围内优于±3%的输出电流精度和±2%的输出电压精度误差。
展会预告
深圳市力生美半导体股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B45，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
iCM 创芯微
深圳市创芯微微电子股份有限公司成立于2017年，是一家专业高精度、低功耗电池管理及高效率、高密度电源管理芯片研发和销售的集成电路设计企业，拥有国家级专精特新“小巨人”企业、国家高新技术企业、广东省专精特新企业、广东省高精度低功耗电池管理芯片工程技术研究中心等资质。
创芯微微电子团队来自全球知名IC设计公司，其中60%以上为研发人员，核心团队来自ST、凹凸、华为、比亚迪、全志科技等国外内知名设计公司，核心团队拥有超过15年以上电池管理芯片和电源管理芯片设计、研发和生产测试验证经验。
创芯微微电子专注于电池管理芯片和电源管理芯片开发，目前电池管理芯片已覆盖从1节至20节，从二合一到次级保护及模拟前端等全部应用领域，电池管理芯片产品线国内最为完整。
创芯微微电子以高精度、低功耗、高可靠性为目标，成功导入OPPO、一加、哈曼、小米、莱克、宜家、沃尔玛等多家国内外一流客户并大批量使用，产品已广泛应用于手机、可穿戴设备、对讲机、电动工具、手持式吸尘器、喷雾器、太阳能路灯、蓝牙音箱、小功率储能等众多领域，成为业界标杆产品，为客户提供安全、稳定、可靠的高性价比电池管理解决方案。
创芯微以“持续改善品质，超越客户预期”为核心品质理念，后续将会推出更多高品质的优秀产品，给客户以更好的服务。
创芯微CM1774G
CM1774G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片，支持为7至60V的VDD供电，支持85-264V的输入交流电压，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能，轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。
CM1774G可根据输入电压，输出电压以及负载的不同，控制系统工作于DCM/QR模式，在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优，并在操作过程中消除音频噪声。CM1774G具备超低启动功耗，小于5μA，且其待机功耗低于75mV，满足六级能效标准要求。在空载状态下，其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器，且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术，优化了系统EMI性能。
CM1774G集成软启动电路，以缓解启动过程中对电路和元件的冲击，并内置了多种保护机制，包括过压、过载和过温保护。此外，它还具备逐周期电流限制功能，为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1774G采用ESOP7封装，适用于20W的应用功率，广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。
创芯微CM1775G
CM1775G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片，支持为7至60V的VDD供电，支持85-264V的输入交流电压，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能，轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。
CM1775G可根据输入电压，输出电压以及负载的不同，控制系统工作于DCM/QR模式，在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优，并在操作过程中消除音频噪声。CM1775G具备超低启动功耗，小于5μA，且其待机功耗低于75mV，满足六级能效标准要求。在空载状态下，其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器，且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术，优化了系统EMI性能。
CM1775G集成软启动电路，以缓解启动过程中对电路和元件的冲击，并内置了多种保护机制，包括过压、过载和过温保护。此外，它还具备逐周期电流限制功能，为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1775G采用ESOP7封装，适用于20W的应用功率，广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。
创芯微CM1776G
CM1776G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片，支持为7至60V的VDD供电，支持85-264V的输入交流电压，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能，轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。
CM1776G可根据输入电压，输出电压以及负载的不同，控制系统工作于DCM/QR模式，在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优，并在操作过程中消除音频噪声。CM1776G具备超低启动功耗，小于5μA，且其待机功耗低于75mV，满足六级能效标准要求。在空载状态下，其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器，且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术，优化了系统EMI性能。
CM1776G集成软启动电路，以缓解启动过程中对电路和元件的冲击，并内置了多种保护机制，包括过压、过载和过温保护。此外，它还具备逐周期电流限制功能，为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1776G采用ESOP7封装，适用于25W的应用功率，广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。
创芯微CM1777G
CM1777G是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片，内置650VGaN，支持为7至60V的VDD供电，支持85-264V的输入交流电压，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能，轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。
CM1777G可根据输入电压，输出电压以及负载的不同，控制系统工作于DCM/QR模式，在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优，并在操作过程中消除音频噪声。CM1777G具备超低启动功耗，小于5μA，且其待机功耗低于75mV，满足六级能效标准要求。在空载状态下，其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器，且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术，优化了系统EMI性能。
CM1777G集成软启动电路，以缓解启动过程中对电路和元件的冲击，并内置了多种保护机制，包括过压、过载和过温保护。此外，它还具备逐周期电流限制功能，为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1777G采用ESOP7封装，适用于35W的应用功率，广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。
创芯微CM1778GA
CM1778GA是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片，支持为7至60V的VDD供电，支持85-264V的输入交流电压，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能，轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。
CM1778GA可根据输入电压，输出电压以及负载的不同，控制系统工作于DCM/QR模式，在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优，并在操作过程中消除音频噪声。CM1778GA具备超低启动功耗，小于5μA，且其待机功耗低于75mV，满足六级能效标准要求。在空载状态下，其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器，且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术，优化了系统EMI性能。
CM1778GA集成软启动电路，以缓解启动过程中对电路和元件的冲击，并内置了多种保护机制，包括过压、过载和过温保护。此外，它还具备逐周期电流限制功能，为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1778GA采用ESOP10封装，适用于45W的应用功率，广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。
创芯微CM1778GB
CM1778GB是一款针对离线式反激变换器的准谐振AC-DC转换芯片，支持为7至60V的VDD供电，支持85-264V的输入交流电压，采用PWM+PFM+Burst多模式混合QR控制模式，可以在不同工作负载和条件下实现最佳的能效和性能，轻松满足PD快充电源的宽电压输出要求。
CM1778GB可根据输入电压，输出电压以及负载的不同，控制系统工作于DCM/QR模式，在轻载时会工作于burst模式以实现全电压范围、全负载段的效率最优，并在操作过程中消除音频噪声。CM1778GB具备超低启动功耗，小于5μA，且其待机功耗低于75mV，满足六级能效标准要求。在空载状态下，其功耗在230V电压下低于75mW。芯片内置有高精度130kHz的开关频率振荡器，且内置有专利的频率抖动和驱动控制技术，优化了系统EMI性能。
CM1778GB集成软启动电路，以缓解启动过程中对电路和元件的冲击，并内置了多种保护机制，包括过压、过载和过温保护。此外，它还具备逐周期电流限制功能，为系统提供了全面的电源管理和保护。CM1778GB采用ESOP10封装，适用于65W的应用功率，广泛应用于充电器、反激式变换器等领域之中。
展会预告
深圳市创芯微微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B53，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
REACTOR亚成微
陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2003年，是一家专注于高速功率集成技术的半导体企业，在西安、厦门设有研发中心，在北京、成都、重庆、深圳、南京、郑州、宁波、中山设有办事处，形成以西安为中心、珠三角与长三角为技术前沿，以全国主要客户为依托的产业发展布局，公司于2014年1月在新三板挂牌（股票代码430552)。
亚成微专注于功率集成领域的产品研发，并将设计、工艺与封测结合，率先开发出高可靠智能功率开关芯片、国内唯一的射频调制电源芯片。拥有国内领先多层外延及屏蔽栅MOSFET、模拟集成电路技术平台。亚成微通过构建高速功率集成技术平台，已开发量产射频调制电源芯片(ET+PWM)、智能配电/SSPC芯片、PWM电源管理芯片、栅极驱动芯片以及功率MOSFET等五大产品线。
亚成微是国家级博士后科研工作站的设站单位，曾荣获国家专精特新“小巨人”企业、高新技术企业、瞪羚企业、国家重点新产品、陕西省射频动态电源集成技术工程研究中心、西安市科技企业小巨人领军企业、西安市技术创新示范企业等荣誉。自主研发的产品已授权发明专利67项，实用新型专利38项，国际专利4项，集成电路布图46项，另有在审专利70余项。
亚成微RM6528NS
RM6528NS是一款内置高压GaNFET，高性能高可靠性电流控制型 PWM 开关控制芯片，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。
RM6528NS 采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在轻载及空载情况下，芯片进入Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在重载情况下，电路进入 QR 模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。
芯片外置 OVP 保护功能，可以通过 VSET管脚的上下拉电阻分压设置 OVP 保护限值，以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护，CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
亚成微RM6524NDH
RM6524NDH 是一款内置高压 GaNFET，高性能高可靠性电流控制型 PWM 开关控制芯片，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。
RM6524NDH 采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在轻载及空载情况下，芯片进入Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在重载情况下，电路进入 QR 模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。
芯片外置 OVP 保护功能，可以通过 VSET管脚的上下拉电阻分压设置 OVP 保护限值，以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护，CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
亚成微RM6524ND
RM6524ND是一款内置高压GaNFET，高性能高可靠性电流控制型 PWM 开关控制芯片，支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。
RM6524ND 采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在轻载及空载情况下，芯片进入Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在重载情况下，电路进入 QR 模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。
芯片外置 OVP 保护功能，可以通过VSET管脚的上下拉电阻分压设置 OVP 保护限值，以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护，CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
亚成微RM6522ND
RM6522ND是一款内置高压GaNFET，高性能高可靠性电流控制型 PWM 开关控制芯片，
支持谷底检测开通功能，满足六级能效标准。
RM6522ND 采用低电流启动模式及低工作电流，减少待机损耗。芯片内置多种工作模式，在轻载及空载情况下，芯片进入Burst mode 模式，消除变压器的音频噪音，提高转换效率；在重载情况下，电路进入 QR 模式。内部集成斜坡补偿模块，有利于系统闭环反馈回路的稳定性，减小了输出纹波电压。
芯片外置 OVP 保护功能，可以通过 VSET管脚的上下拉电阻分压设置 OVP 保护限值，以满足不同条件的用户需求。芯片内部集成多种异常状态保护功能，包括 VDD 欠压保护及过压保护，过载保护，CS 过流和悬空保护，过温保护功能。在电路发生异常时，芯片进入保护状态并自动重启检测，直至异常解除为止，输出正常。
展会预告
陕西亚成微电子股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B64，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
Leadtrend通嘉
通嘉科技经营团队拥有电源管理领域丰富的学经历。专注在ACDC一/二次侧产品开发，兼具混模(Mixed-mode)及整合型(Comb-type) 设计技术能力，为ACDC中大功率最佳完整解决方案的电源管理 IC设计公司。
通嘉致力于『绿色电源，珍爱地球』的愿景并以提供ACDC中大功率最佳完整解决方案为使命，秉持『创新，服务，质量，共享』之经营理念，以创新技术提供高性能及高质量的产品和贴近客户做好服务，冀以成为世界级电源管理IC主要供货商。
通嘉LD966L
LD966L是一款高性能PWM集成电路，内置了断电/通电功能，采用QFN8x8封装。它通过最小化元件数量、电路空间，以及降低整体材料成本，为电源应用提供了便利。
LD966L具备高电压启动、绿色模式节能运行和软启动功能，以最小化功率损耗并提升系统性能。LD966L具备全面的保护功能，包括过功率保护(OPP)、过电压保护(OVP)、快速输出短路保护(OSCP)和断电/通电保护，LD966L能够在异常情况下保护电路免受损害。
此外，QR抖动功能可以降低噪音水平，从而协助电源电路设计师以最少的元件成本和开发时间轻松处理EMI滤波器。
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1、覆盖30-140W快充设计需求，通嘉推出氮化镓芯片LD966L在内的多款产品
通嘉LD955K
LD955K集成了多模式PWM控制器和650V的GaN FET。多模式PWM控制器包括准谐振(QR) PWM控制用于轻负载条件和连续导通模式(CCM)用于重负载条件。此外，LD955K的QR控制器不仅提升了系统性能，还改善了电磁干扰(EMI)能力，而LD955K的频率切换功能可以减少开关电源(SMPS)的EMI辐射，有助于电源电路设计师简化EMI滤波器的设计，从而节省了一些元件和开发时间。
LD955K采用SOP-16封装，具备全面的保护功能，如过载保护(OLP)、过压保护(OVP)、输出短路保护(OSCP)和内部过温保护(OTP)。
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通嘉科技（深圳）有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B71，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
CPS易冲
易冲半导体成立于2016年，是一家高速发展的高性能模拟及混合信号集成电路芯片设计公司。公司拥有一支高质量的管理研发团队，团队核心成员均为业内资深专家。
易冲半导体正广泛布局从220V电源到电池的全链路产品，包括：
◆ 无线充电芯片
◆ 快充协议芯片
◆ AC/DC芯片
◆ 线缆芯片
◆ USB端口保护芯片
◆ 开关充电芯片
◆ 电荷泵以及相关电源管理芯片
◆ 车载及工业电源芯片
产品广泛应用于智能手机/穿戴、个人电脑、车载电子、智能家居等行业。
易冲CPS9051X
CPS9051是一款专为高功率密度的通用输入离线反激控制器而设计的PWM控制器。CPS9050可以在高电压线路上以QR模式工作，在低电压线路上以CCM模式工作。CPS9050还集成了专有的谷底锁定电路，而且客户可以选择谷底锁定数量。
CPS9051具备X-CAP放电功能，可在交流电源断开时迅速放电X电容。此外，CPS9051还具有± 6%的频率抖动功能，有效降低系统电磁干扰（EMI）。
CPS9051内置了多种保护功能，包括断电保护、过压/欠压保护、过载/过流保护、输入电压和VDD电压的欠压/过压保护、过温保护，以及电流检测开路保护。
易冲CPS9050X
CPS9050是一款专为高功率密度的通用输入脱机反激控制器设计的PWM控制器。
CPS9050可以在高电压输入时以QR模式工作，在低电压输入时以CCM模式工作。还内置了一种专有的谷底锁定电路，谷底锁定数值可以由客户选择。CPS9050具备X-CAP放电功能，在交流电线路被切断时，可将X电容器放电。
CPS9050具备±6%的频率抖动功能，有效降低系统电磁干扰（EMI）。CPS9050还包含丰富的保护功能，如断电保护、输出过压/欠压保护、过载保护/过流保护、输入电压和VDD过压/欠压保护、过温保护，以及电流传感器开路保护，采用DFN5x6-18封装。
易冲CPS9010X
易冲CPS9010X，是一颗用于高功率密度离线反激电源的控制器，栅极驱动电压被精确的控制在5.8-6.2V，可以直接驱动增强型氮化镓开关管。易冲半导体CPS9010X支持QR和CCM模式，并采用专有的谷底锁定电路，谷底锁定数量可由用户选择。
CPS9010X内置X电容放电和高压启动电路，具备77V供电过压保护，采用负压电流采样，芯片支持多模式控制模式，支持绿色模式，内置抖频功能提升EMI性能，并内置完善全面的保护功能。芯片采用SSOP10封装。
易冲半导体 CPS9010X 资料信息。
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1、涵盖主流消费市场应用场景，易冲基于CPS8849A的三款参考设计解析
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成都市易冲半导体有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于B区B92，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
MIX-DESIGN美思半导体
MIX-DESIGN(美思半导体技术有限公司)是一家技术领先的模拟和数字混合信号半导体设计企业。基于全球先进的半导体工艺制程和技术专注于功率半导体器件的研发、测试、销售等环节。
公司成立于2013年，总部位于苏州工业园区独墅湖高教区，公司的主要产品为高性能整合式AC-DC电源控制芯片及相关产品。研发成员均来自于该领域国内外著名的半导体厂商，核心成员具备深厚的集成电路设计及管理经验。公司的核心价值是：为客户提供稳定、可靠同时具备卓越性价比的产品和解决方案，与客户共同保持市场竞争优势。为保证产品参数的精确一致性，公司成立之初即自行投资设立先进的芯片中测（CP Test）、成品测试(FT)测试生产线，以及完备产品可靠性和品质异常分析检测设备系统，为公司产出的每一颗芯片提供有力的品质保证。
美思MSG751X
美思半导体MSG751X系列电源芯片具备18W-66W输出功率，充分满足不同功率段快充选型要求，实现成本优化。
美思半导体的SimpleGaN系列快充电源芯片内部集成650V高性能氮化镓器件，内置第二代Smart-feedback数字控制模块，无需外围环路补偿网络。支持高通QC3.0 3.3-21V输出，满足20mV输出的PPS电压步进标准，初级内置MTK PE快充协议。专为USB PD快充等宽输出电压的快充应用而设计，采用SOP13封装，对于大规模量产，提升生产效率，降低生产成本具有无可比拟的优势。此次推出的SimpleGaN系列中的MSG7515最高支持55W的输出功率。
美思半导体SimpleGaN系列初级芯片内置峰值电流模式控制的反激控制器，具有高性能，低EMI，低待机功耗以及保护功能全面等优势。初级芯片可实现多级恒压恒流输出，无需传统的次级反馈电路，有效的节省了外围器件的数量，并提高了系统整体的稳定性。
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苏州美思半导体技术有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位号位于C区C81，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
充电头网总结
氮化镓技术在消费类电源产品中的大规模商用，充电器的效率得到优化，体积得到大幅降低，便携性更好，深受消费者青睐。目前各大手机、笔电品牌均已经入局了氮化镓快充市场，加上国家十四五计划对第三代半导体技术的扶持，氮化镓快充市场前景十分可观。
合封氮化镓芯片的出现，一颗芯片完成了此前需要三颗芯片才能实现的功能，从根本上解决了氮化镓功率器件在控制、驱动方面的难题，简化了快充电源的设计，并降低电源厂商的成本。
大会预告
2024（春季）亚洲充电展期间，3月20日（周三）将会举办2024亚洲快充大会，目前已经有多家知名企业确认出席并发表演讲。
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