前言
随着新的一年的脚步渐近，充电头网汇总了2023年各大知名功率器件企业推出的一系列创新参考设计。这些设计不仅涵盖了最新的技术趋势，还体现了行业领先的工程思想。它们的目标是为工程师们提供宝贵的资源，在电子产品和系统的开发过程中，帮助他们降低设计和实施过程中的风险，同时显著提高工作效率。
这些参考设计不仅可以作为一个可靠的指导，还能助力工程师们加速整个开发周期，从而在竞争激烈的市场中更快地推出创新和高效能的产品。
参考设计汇总
CorEnergy能华
能华36W氮化镓适配器方案
传统Si适配器方案工作在CCM模式，主开关器件除了存在导通损耗和开关损耗，还有副边反向恢复转移到原边的损耗，并且Si MOS的结电荷比较大，开关速度慢，导致的开关损耗也比较大。因此原边主开关器件整体损耗比较大，需要增加大片的铝散热片，增加了人工打螺丝等工序，极大减慢生产速度，加工成本居高不下。
能华推出的氮化镓适配器方案采用QR模式，在低压输入条件下实现完全的ZVS，没有开关损耗，也不存在副边反向恢复转移过来的损耗，只有导通损耗，因此发热大大降低，可以采用TO-252贴片封装，直接采用SMT工艺,而无需增加散热片辅助散热，避免了大片的散热片和打螺丝这种耗费人工的加工方式，极大提升生产效率。
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DX氮矽科技
氮矽科技120W GaN适配器方案
氮化镓在快充领域，可谓是如火如荼，然而随着技术的不断更新，氮化镓也逐渐开始多维度发展，如今在适配器领域也已愈演愈烈。GaN所带来的低导阻、高效率优势，能进一步缩小产品体积，提升能效，将适配器的功率密度带上一个新的高度。
近日，充电头网从氮矽科技官方渠道了解到，针对适配器领域，氮矽科技推出120/240W 两款GaN适配器方案，为客户提供更具性价比的适配器方案参考。
氮矽科技120W GaN适配器方案，主控IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F130。
在整个负载阶段，氮矽科技120W GaN适配器方案平均效率都在92%以上，其中最高效率最高达到了94.50%。在待机功耗方面，氮矽科技120W GaN适配器方案的轻中载待机功率仅有0.139-0.274W，重载情况也只有0.435W
氮矽科技240W GaN适配器方案
氮矽科技240W GaN适配器方案，主控IC采用的是TEA2017+NCP4318B，搭配DXC1065S2C/DX65F080。
氮矽科技240W GaN适配器方案平均效率在整个负载阶段都在93%以上，其中满载效率最高达到了94.81%，处于业内领先水平。氮矽科技240W GaN适配器方案的轻中载待机功率仅有0.16-0.261W，重载情况也只有0.441W，都能很好满足能效方面的相关要求。
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Innoscience 英诺赛科
英诺赛科60W氮化镓LED驱动电源方案
英诺赛科推出的60W LED驱动电源参考设计为单级高PF值反激设计，原边反馈，无需光耦，输出电流检测电阻以及恒流控制电路。恒压控制在初级完成，电路精简，简化设计并提高转换效率。
这款60W LED驱动电源内置英诺赛科INN700TK350B氮化镓开关管，其采用TO252封装，额定耐压为700V，瞬态耐压为800V，市电应用具有更多余量。电源采用芯格诺XP3358高PF反激控制器，输出采用二极管整流，并搭配电解电容滤波。
LED电源引入氮化镓后，低开关损耗的高转换效率优势，可以降低电源的散热需求，缩小电源的体积，也降低电源的整体成本，节能低碳，对环境更加友好。
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英诺赛科300W氮化镓适配器方案
与常规Si MOS的适配器对比，在相同的300W输出功率下，采用
InnoGaN 的方案体积可减小30%，功率密度提高8W/in^3，优势十分明显。
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英诺赛科 2KW PSU 钛金级方案
该方案完美符合 80 Plus 钛金级能效，峰值效率高达96.5%，目标应用包括数据中心电源、通信电源和 LED 照明设备电源等能耗较大的系统，是降耗增效的关键。
英诺赛科 2KW PSU 方案采用图腾柱无桥 PFC+LLC 结构，前端为 AC-DC 无桥图腾柱 PFC，后端为 DC-DC 隔离全桥 LLC 转换器。
英诺赛科2KW 12V PSU 方案不仅能够为数据中心链路降耗增效，在通信电源、LED 照明等应用中同样能够体现小体积、高效率的优势。
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充电头网总结
以上内容展示了各大功率器件企业最新推出的一系列创新参考设计。为了方便读者更深入的探索和了解，我们在文末提供了详细的相关阅读链接。通过点击这些链接，可以获得更加丰富和详尽的信息，包括设计的技术细节、应用场景以及市场影响等。
我们坚信，在新的一年里，这些领先的企业将继续致力于研发更加先进、更加高效的产品。这不仅将推动技术的持续进步，而且还将为整个电子行业的发展注入新的活力。充电头网也希望成为了解最新电子技术动态的桥梁，一起见证行业的创新与飞跃。
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