前言
随着快充技术的不断迭代升级,快充功率逐日攀升,从最早的10W一路提升至200W以上,而氮化镓充电器逐渐普及,MOS管逐渐替代电路中的传统肖特基二极管,通过其优异的性能,实现了电能的高效转换和快速输出,有效提高了充电效率,也为用户带来更便捷、高效的充电体验。
为满足市场需求,永源微潜心研发多年,相继推出多款高性能MOS管供厂商选择。
永源微MOS管
充电头网在整理历年的拆解案例时,发现永源微MOS已获品硕、倍仕达、麦多多等厂商的多款产品采用,助力设备稳定、高效输出,下文小编将为您详细介绍。
VBUS开关管
永源微AP30P03DF
永源微AP30P03DF是一颗耐压30V的PMOS,低栅极电荷,导阻12mΩ,采用PDFN3*3-8L封装。
应用案例:
永源微AP40P03DF
永源微AP40P03DF是一颗耐压30V的PMOS,低栅极电荷,栅极电压低至4.5V,导阻为11mΩ,采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读:
永源微AP60N03DF
永源微AP60N03DF,是一颗耐压30V的NMOS,低栅极电荷,栅极电压低至4.5V,导阻为6mΩ,采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读:
同步整流管
永源微APG120N12NF
永源微APG120N12NF采用先进的SGT II技术制造,是一颗耐压120V的NMOS,低栅极电荷,栅极电压低至4.5V,导阻为6.5mΩ,采用PDFN5*6-8L封装。
相关阅读:
永源微AP10H03DF
APM永源微AP10H03DF是一颗双NMOS,低栅极电荷,栅极电压低至4.5V,耐压30V,导阻10mΩ,采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读:
无线充电功率管
永源微AP8H04DF
永源微AP8H04DF是一颗耐压40V的双NMOS,低栅极电荷,栅极电压低至 4.5V。导阻16mΩ,采用PDFN3*3-8L封装。
相关阅读:
同步升降压开关管
永源微AP68N04NF
永源微AP68N04NF是一款采用APM-SGT V技术制造的NMOS,低栅极电荷,栅极电压低至4.5V,耐压40V,导阻6.9mΩ,采用PDFN5*6-8L封装。
相关阅读:
充电头网总结
永源微电子科技有限公司,成立于2017年,前身为IR (国际整流器)台湾代工厂,继承了IR的先进制成工艺,具备完整的DC-DC,Gate Driver等多种半导体器件经验。熟练掌握功率器件(Trench,SGT,Planar,Cool mos) ,BCD 5V-60V工艺,CMOS 5V-600V工艺等多种平台的开发于设计。永源微电子坚持自主创新,紧贴市场,致力于“APM,永源微电子”品牌的宣传于推广,坚持自主,可控,严谨的产品意识,致力于为国内外的电子产业提供更加优质和高效的产品。
永源微旗下的MOS管产品均具备低栅极电荷,导阻低,应用简单的特性,满足多种电源适配器设计需求。未来永源微电子将持续紧密关注市场需求,致力于推出更多高效功率器件,涵盖更广泛的功率范围和应用场景,高效推动整体产业链发展进程,为行业带来更多创新解决方案。
永源微电子,英集芯的功率MOS的战略合作品牌。
展会预告
永源微电子科技有限公司参加充电头网主办的2024(春季)亚洲充电展,展位位于A区A22、23、24、25 ,3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
评论 (0)