前言

氮化镓（GaN）是一种宽禁带半导体材料，具有高效率、高频率、低能耗等优点，因此在功率电子器件领域具有广泛的应用前景。近年来，随着氮化镓制程技术的不断进步和成本的降低，氮化镓功率电子器件已经成为电力电子领域的研究热点。

氮化镓行业的每一次波动，都将会推动了氮化镓产品的普及。氮化镓功率电子器件在新能源发电、智能电网、电机驱动等领域具有广泛的应用前景。相比于传统的硅功率电子器件，氮化镓功率电子器件具有更高的工作频率和更低的能量损耗，能够在更短的时间内完成相同的功率转换任务，从而提高了能源利用效率。本文将盘点2023年全球氮化镓行业十大事件，回顾这段波澜壮阔的历史。

全球氮化镓行业十大事件

氮化 (GaN)作为一种新型半导体材料，在电子、通信、能源等领域具有广泛的应用前景。近年来，全球氮化行业出现的许多重要事件，这些事件不仅推动了氮化嫁技术的进步，也对整个行业产生了深远的影响。例如，每一次收购或者新品发布都代表着该公司的氮化镓技术获得了新的改良或者进步，可以持续推出集成度更高、适用性更强的氮化镓产品。

英飞凌收购GaN Systems

2023年10月24日，英飞凌科技宣布完成收购氮化镓系统公司(GaN Systems)。这家总部位于加拿大渥太华的公司，为英飞凌带来了丰富的氮化镓 (GaN) 功率转换解决方案产品组合和领先的应用技术。交易结束后，GaN Systems已正式成为英飞凌的组成部分。

今年3月2日，英飞凌和GaN Systems联合宣布，双方签署最终协议。根据该协议，英飞凌将斥资8.3亿美元收购GaN Systems。这笔“全现金”收购交易是使用现有的流动资金来完成的。

英飞凌科技首席执行官Jochen Hanebeck表示，收购GaN Systems将显著推进公司氮化镓技术路线图，并让我们同时拥有所有主要的功率半导体技术，进一步增强英飞凌在功率系统领域的领导地位。

纳微收购Elevation

Navitas纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）是氮化镓功率芯片的行业领导者，在氮化镓领域，纳微发布了多款氮化镓功率芯片，凭借着出色的集成设计和研发水平，受到广大厂商的喜爱。

在合封氮化镓方面，纳微也在积极布局。据纳微半导体方面消息称，2023年纳微完成对Elevation合封氮化镓芯片公司的收购，强化自身在合封氮化镓方面的技术能力，继续为氮化镓市场做贡献。

东科发布业界首个AHB集成双GaN芯片

东科新推出的这款AHB半桥氮化镓芯片内置两个开关管，在合封氮化镓芯片高集成度高可靠性的基础上，将能量充分利用，降低损耗，进一步提升充电器整体的转换效率，降低温升和散热需求，让充电器变得更加便携。

同时DK8710Q的待机功耗低于50mW，能够满足严苛的能效要求，芯片支持宽范围电压输出，极大简化了大功率PD充电器设计。同时搭配PFC电路，输出功率可以达到150W，能够满足现阶段PD3.1快充，140W输出功率的需求，是一款高集成，高可靠的解决方案。

PI推出1250V高耐压GaN

充电头网了解到Power Integrations 近日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。该IC采用了1250V的PowiGaN™开关技术。InnoSwitch™3-EP 1250V IC是Power Integrations的InnoSwitch恒压/恒流准谐振离线反激式开关IC产品系列的最新成员。它具有同步整流和FluxLink™安全隔离反馈功能，并且提供丰富的开关选项，包括725V硅开关、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。

PInnoSwitch3-EP系列IC融合了高效能、紧凑尺寸和卓越的保护特性，耐压1250V，空载功耗小于30mW，采用先进的PowiGaN™技术，可实现高达100W的功率输出，而无需散热器。具备卓越的CV/CC精度以及多输出交叉调节，集成FluxLink™技术和HIPOT隔离的反馈链路，可实现高精度的输入电压和负载综合调整率。同时提供多种安全功能，包括SR FET栅极开路检测和自动重启保护等。InnoSwitch3-EP系列IC为电源转换器的设计和制造提供了简单、高效的解决方案，适用于多个应用领域。

英诺赛科苏州研发大楼启用

11月20日，英诺赛科全球研发中心启用仪式在苏州汾湖高新区成功举办。研发中心将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时开展大规模量产化工程问题研究，全面提升氮化镓材料与器件的整体竞争力。这是英诺赛科的又一重大里程碑。

截止2023年11月，英诺赛科已经成为全球消费类领域最大的氮化镓供应商，并正在引领氮化镓在数据中心，和汽车电子等领域的推广与合作。当前，英诺赛科已经做到了氮化镓器件累积出货数量全球第一、市场份额全球第一、量产交付能力全球第一，未来英诺赛科也将挑战和创造更多项第一。英诺赛科在苏州汾湖高新区举行研发楼启用仪式，标志着英诺赛科的发展到了崭新的篇章，英诺赛科将继续秉承初心，持续前行，与合作伙伴协同引领行业开启全新的氮化镓时代！

氮矽推出低压集成GaN

为了推动氮化镓在高频市场中的应用，氮矽科技推出了一款可靠性高的低压100V氮化镓集成产品DXC3510S2CA。该产品适用于对高功率密度性能有苛刻要求的应用，包括用于、同步整流、D类音频、高频DC-DC转换器、通信基站、电机驱动器、无线电源传输等。

DXC3510S2CA的详细资料。氮矽科技DXC3510S2CA是一款驱动集成氮化镓芯片，它具有许多出色的特性。这款芯片耐压100V，内部集成了一颗增强型低压硅基氮化镓和单通道高速驱动器。采用DFN5×6封装，占板面积小，无反向恢复电荷，并且导通电阻极低。为高功率密度应用提供超小型化的解决方案。

聚能创芯完成超亿元A轮融资

2023年12月31日，赛微电子官微宣布，聚能创芯已完成1.7亿元人民币A轮融资，以专注硅基氮化镓（GaN）的研发、设计、生产和销售。

本次交易完成后，聚能创芯不再是赛微电子的控股子公司，聚能创芯的股权结构如上所示。由湖州中金启合股权投资合伙企业（有限合伙）、湖州市人才创新股权投资基金合伙企业（有限合伙）、资阳中金启阳产业发展基金合伙企业（有限合伙）、北京北工怀微传感科技股权投资基金（有限合伙）等共同投资。

镓未来3500W大功率AI计算液冷氮化镓服务器电源量产

GaN在高效率服务器电源的应用不断提速，镓未来的集成级联型GaN具有易于使用（兼容Si MOSFET驱动）、可靠性高、性能参数领先等优点，成为高效率服务器电源的首选。在CRPS 265mm的标准尺寸下，设计采用基于TO-247-4L GaN的交错控制CCM BTP PFC和基于TOLL GaN的交错控制半桥LLC拓扑，以及全桥SR MOSFET，结合先进的DSP全数字控制技术，实现了超过97.5%的峰值效率，且满载效率接近97%。设计无风扇，采用导冷面的散热方式，得益于超高的转换效率，轻松实现热管理。

镓未来的3500W大功率AI计算液冷氮化镓服务器电源方案的详细资料。该电源的AC 输入电压范围为90Vac~264Vac，主路输出支持调节，调节范围为43Vdc~58Vdc。输出功率支持1.5kW、3kW、3.3kW、3.5kW四个档位，最大功率受限于 C20 插头安规电流。峰值效率可达97.29%，功率密度达到73.6 W/in，尺寸为265(L)x 73.5(W)x40(H)，单位：mm。

瑞萨电子宣布收购Transphorm，开启氮化镓市场新篇章

2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（以下“瑞萨”，TSE：6723）与全球氮化镓（GaN）功率半导体供应商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布双方已达成最终协议。

根据该协议，瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股，较Transphorm在2024年1月10日的收盘价溢价约35%，较过去十二个月的成交量加权平均价格溢价约56%，较过去六个月的成交量加权平均价格溢价约78%。此次交易对Transphorm的估值约为3.39亿美元。此次收购将为瑞萨提供GaN（功率半导体的下一代关键材料）的内部技术，从而扩展其在电动汽车、计算（数据中心、人工智能、基础设施）、可再生能源、工业电源以及快速充电器/适配器等快速增长市场的业务范围。

纳芯微全新推出高压半桥GaN驱动NSD2621

2023年02月04日，纳芯微全新推出GaN相关产品NSD2621，是一颗高压半桥栅极驱动芯片，专门用于驱动E mode（增强型）GaN 开关管，可广泛适用于快充、储能、服务器电源等多种GaN应用场景。

NSD2621将隔离技术应用于高压半桥驱动，解决了GaN应用桥臂中点SW引脚的共模瞬变和负压尖峰问题；内部还集成了稳压器，有利于保持栅极驱动信号幅值稳定，保护GaN开关管栅级免受过压应力的影响；拥有超短传输延时，有利于减小GaN死区损耗，并且内置可调死区时间功能，可有效避免发生桥臂直通。

充电头网总结

2023年，氮化镓行业发生了许多重大事件，其中最引人注目的是氮化镓公司的收购事件和发布行业首款新品等。这些收购事件和新品发布不仅加速了相关公司氮化镓技术的研发和应用，同时也为整个行业的发展注入了新的动力。

此外，随着氮化镓制程技术的不断进步和成本的降低，氮化镓功率电子器件的应用领域也在不断拓展。在电机驱动领域，氮化镓功率电子器件的应用能够显著提高电机的效率和性能，为工业自动化和电动车等领域的发展提供了有力支持。随着氮化镓技术的不断成熟和成本的降低，在通信、雷达、航空航天等领域也具有广泛的应用前景。随着氮化镓技术的不断成熟和成本的降低，氮化镓功率电子器件有望在未来成为电力电子领域的主流产品。