Hunteck Semiconductor恒泰科半导体有限公司专注于功率半导体MOSFET（三极管）开发设计及生产制造，采用功率技术的最前沿的SGT技术，并且坚持不间断的研发改进产品，超越现有规格限制、发展最新制程。 以创造最低导通阻抗、最小开关损耗、最小封装尺寸、最高效率为使命。
公司创立于2014年，总部与研发中心设在上海、美国硅谷设立研发团队，核心开发成员有三位华裔工程博士，都来自世界最顶尖半导体工厂，返国创业，厚植产品技术，深耕市场。
目前，恒泰科半导体拥有250V~45V 各型SGT MOSFET完整产品线，100V~20V 各型常规MOSFET产品线与晶圆销售，并不断追求更低的导通阻抗与最低的开关损耗，更高的CP值。除了既有的SGT MOSFET稳定量产以外，未来将生产新一代的SuperJinction、IGBT、SiC、Gan MOSFET，全力追求极致技术、极致效率、极致贡献。
恒泰柯半导体充电器主力同步整流应用产品：小型化 N-Ch 45V~150V SGT MOSFET产品线。
充电器开关应用产品，小型化P-Ch MOSFET产品线：30V P-Ch 7.5mΩ/ 10mΩ/ 13mΩ/ 18mΩ/ 20mΩ。
1、80V 3mOhm高效率方案
恒泰柯HGN036N08A 导通阻抗仅3mOhm, 并且拥有SGT制程的低切换损失特性，DFN5x6标准封装，适合电源PCB版SMT制造技术。
2、100V 3.7mOhm高效率方案
恒泰柯HGN042N10A 有业界100V领域最低的导通阻抗, 搭配DFN5x6标准封装，SGT低切换损失，是要求高效率的应用最佳方案。
3、120V 6mOhm DFN5x6 Logic/Non-logiv Level方案
恒泰柯HGN070N12S 以及 HGN070N12SL SGT MOSFET, 两款产品分别支持 4.5V 启动, 以及10V启动，针对驱动IC驱动电压低的领域，推荐使用HGN070N12SL产品；针对需要避免线路干扰，以及传统沟槽MOS替换的应用领域，推荐使用HGN070N12S。
4、150V 8mOhm 高压MOSFET方案
泰柯HGN115N15SL实现了高耐压，低阻抗的特性，针对PD应用，多种电压切换输出，本产品可以承受150V耐压，对输出变压器有限制的应用领域，尤其适合，并支持Logic level 驱动，效率与产品导通阻抗的表现尤其出色。
恒泰柯半导体将在3月22日参加2019（春季）USB PD＆Type-C亚洲展，展位设在A22，需要了解恒泰柯三极管器件的观众可以在展会当天前往A22展台进一步了解，现场备有样品可供带回测试。
关于展会
2019（春季） USB PD＆Type-C亚洲展是充电头网发起的一项推广快充产业的活动，目前已经连续举办第8届。
这是2019年首场大规模USB PD＆Type-C行业展会，汇聚近百家产业链优质供应商、服务商，以及上千家采购商。
本次展会邀请了GaN氮化镓领域技术专家介绍基于USB PD快充的小型化、轻薄化设计，并现场展示多款应用案例。
拥有最新USB PD快充应用案例现场展示，覆盖充电器、充电宝、车充、充电线等上百款热门爆款方案。
展会报名地址：点击这里
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