前言
随着快充的飞速发展，快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升，同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业，拥有创新，稳定，高效率，低成本的整体解决方案，同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件，以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。
威兆应用案例
本次充电头网汇总了近几年的产品拆解中，涉及到威兆同步整流管家族中的产品应用案例，通过整合发现，威兆的同步整流管方案十分受欢迎，助力充电器向更高效、更轻薄方向发展。
低压同步整流管
威兆VSP009N10MS
威兆VSP009N10MS是一款耐压为110V的增强型NMOS，采用PDFN5×6封装，使用5V逻辑电平控制，导阻为6.5mΩ。
这款器件采用威兆VitoMOS® Ⅱ 技术制造，100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合 RoHS 规范，可以应用于同步整流的MOS管。
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威兆VS2508AE
威兆VS2508AE是一款耐压为20V的增强型PMOS，导通损耗和开关损耗低，采用PDFN3333封装，导阻为7.3mΩ。
这款器件雪崩能力强，采用无铅无卤素工艺制造，符合 RoHS 规范，常常用于VBUS开关管。
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威兆VS3506AE
威兆VS3506AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装，开关速度快，导阻低，导阻为6mΩ。
VS3506AE同样采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关管。
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威兆VS3508AE
威兆VS3508AE是一款耐压30V的增强型PMOS，采用PDFN3333封装，效率高，导阻为8.5mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，采用无铅无卤素工艺制造，符合RoHS规范，常用于作为输出的VBUS开关。
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威兆VS3508AS
威兆VS3508AS是一款耐压30V的增强型PMOS，使用5V逻辑电平控制，采用SOP8规格封装。开关频率高，更高效，导阻为8.5mΩ。
这款器件同样采用无铅无卤素工艺，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。
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威兆VS3509AE
威兆VS3506AE是一款增强型PMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装，开关频率高，更高效，导阻为8mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于输出VBUS开关。
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威兆VS3510AE
威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS，耐压30V，采用PDFN3333封装，开关频率高，导阻为10mΩ。
这款器件100% 通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输入保护。
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威兆VS3518AE
威兆VS3518AE是一颗耐压30V的增强型PMOS，采用PDFN3333封装规格，效率高，导阻为15mΩ。
这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于USB-C口输出的VBUS开关。
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威兆VS3522AE
威兆VS3522AE是一款增强型PMOS，耐压30V，使用5V逻辑电平控制，采用PDFN3333封装规格，导阻为6mΩ。
这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于输出开关管。
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威兆VS3610AE
威兆VS3610AE为5V逻辑电平控制的增强型NMOS，开关频率高，导阻为4mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出同步整流降压。
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威兆VS3618AE
威兆VS3618AE是一款耐压30V的增强型NMOS，采用PDFN3333封装，导阻为6.4mΩ。
这款器件100% 通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于输出VBUS开关。
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威兆VS3618AP
威兆VS3618AP是一款耐压30V的增强型NMOS，使用5V逻辑电平控制，效率高，导阻低，当仅为5.4mΩ，采用PDFN5x6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于同步升降压电路。
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威兆VS3618BE
威兆VS3618BE是一款耐压30V的增强型NMOS，封装为PDFN3333，导阻为5.2mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，在产品中多用作VBUS开关。
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威兆VS3622AE
威兆VS3622AE是一款耐压30V的增强型NMOS，使用5V逻辑电平驱动，导阻为7.9mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于VBUS开关管或驱动无线充电线圈。
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威兆VS3622DB
威兆VS3622DB是一款双NMOS管，耐压30V，双管集成的形式有效提升性能，具备低栅极电流和低导通电阻特性，导阻分别为8.2mΩ及6mΩ，采用DFN3x3封装。
这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于同步整流降压输出。
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威兆VS3622DE
威兆VS3622DE是一款耐压30V的增强型双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，导阻为10mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于两组线圈的切换以及输出端口独立保护。
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威兆VS3622DS
威兆VS3622DS是一款耐压30V的增强型NMOS，使用5V逻辑电平控制，导阻低效率高，导阻为10mΩ，采用SOP8封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以作为输出VBUS开关应用。
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威兆VS3622DP2
威兆VS3622DP2是一款耐压30V的双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，效率高，导阻为7.5mΩ，采用PDFN5x6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于同步升降压电路以及无线充电线圈驱动等场景。
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威兆VS3640AE
威兆VS3640AE是一款耐压30V的NMOS，使用5V逻辑电平驱动，7.5mΩ，使用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关。
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威兆VS3640DS
威兆VS3640DS双NMOS管，使用5V逻辑电平控制，耐压30V，使用SOP封装规格，导阻为16mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出切换，也可以可组成H桥驱动线圈，用于控制两侧无线充电部分供电。
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威兆VS3698AE
威兆VS3698AE是一款耐压30V的增强型NMOS，导阻为3mΩ，采用PDFN3333封装规格。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于输出VBUS开关。
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威兆VS4020AP
威兆VS4020AP是一款耐压40V的NMOS，导阻为4mΩ，开关频率高，允许重复雪崩直至 Tjmax ，采用PDFN5X6封装规格。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于输出VBUS开关。
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威兆VS4435AS
威兆VS4435AS是一款耐压值为30V，导阻为18mΩ的PMOS，效率高，导阻低，采用SOP8封装规格。
这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，可用于PD输出开关控制。
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威兆VS4604AP
威兆VS4604AP是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS，耐压40V导阻为2.7mΩ，采用PDFN5x6封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于同步整流电路、VBUS开关等场景。
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威兆VSA007N02KD
威兆VSA007N02KD是一款2.5V逻辑电平控制的增强型PMOS，耐压20V，采用PDFN3333封装，导阻为5.8mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可在移动电源中用于锂电保护电路。
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威兆VSE007N04MS-G
威兆VSE007N04MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术的增强型NMOS，耐压4V，采用PDFN3333封装，导阻为3.2mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以应用于同步整流降压。
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威兆VSE007N04MS
威兆VSE007N04MS是一款增强型NMOS，耐压40V，开关频率高，导阻为5.5mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于同步整流降压。
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威兆VS4604DM
威兆VS4604DM是一款5V逻辑电平驱动的增强型NMOS，导阻为1.6mΩ，采用TO-263封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于充电输入保护电路。
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威兆VSE009NE6MS-G
威兆VSE009NE6MS-G是采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压为60V，导阻7mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可采用四颗VSE009NE6MS-G组成H桥用于无线充电电路。
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威兆VS3510AE
威兆VS3510AE是一款导阻10mΩ，耐压30V的增强型PMOS，使用5V逻辑电平控制，封装为PDFN3333。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出同步整流降压。
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威兆VS4620GEMC
威兆VS4620GEMC是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压40V，导阻6.4mΩ，采用PDFN3333封装。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于VBUS开关管。
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威兆VS3620GPMC
威兆VS3620GPMC是一款采用VitoMOSⅡ工艺制造的增强型NMOS，耐压30V，导阻为5.4mΩ，采用PDFN5*6封装方式。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，常用于同步降压开关管。
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威兆VSP003N06MS-G
威兆VSP003N06MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS，耐压60V的NMOS，导阻为2.5mΩ，采用PDFN5*6封装方式。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于输出同步整流电路。
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威兆VS4618AP
威兆VS4618AP是一颗5V逻辑电平控制的增强型NMOS，耐压40V，导阻9.6mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于同步升降压电路。
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威兆VS3698AP
威兆半导体号VS3698AP是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS，耐压30V，导阻为3.1mΩ，采用PDFN5*6封装。
这款器件这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范，可以用于降压输出电路。
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中压同步整流管
威兆VS1606GS
威兆VS1606GS是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，耐压100V，导阻10.5mΩ，封装为SOP8，可应用于自控保险丝电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS5804AP
威兆VS5804AP常用于输出VBUS开关管的增强型NMOS，PDFN5*6封装，耐压55V，导阻为2.7mΩ，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6018AS
威兆VS6018AS是一款常用于次级同步整流管的NMOS，采用SOP8封装，耐压60V，使用5V逻辑电平驱动，适用于各种常规大小充电器使用。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6016HS
威兆VS6016HS是一款常用于次级同步整流的NMOS，采用SOP8封装方式，耐压60V的12mΩ导阻，可与适配的初级开关管搭配使用，组成开关电源。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6018BS
威兆VS6018BS是一款常用于次级同步整流的NMOS，采用SOP8封装方式，耐压65V的，导阻为6.7mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6410AS
威兆VS6410AS是一款常用于次级同步整流的NMOS管，采用SOP8封装，耐压为60V，采用5V逻辑电平驱动，导阻为11mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6412AE
威兆VS6412AE是一款常用于次级同步整流管的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装方式为PDFN3333，耐压65V，导阻为19mΩ，使用5V逻辑电平驱动。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6608GE
威兆VS6608GE是一款常用于同步升降压电压转换的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装方式为PDFN3333，耐压65V，导阻为6mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSI008N10MS
威兆VSI008N10MS是一款常用于次级同步整流的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装方式为TO-251，耐压100V的，导阻6mΩ。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSE011N06MS
威兆VSE011N06MS是一款耐压60V的NMOS管，采用PDFN3333封装方式，导阻为9mΩ，可以用于实现无线充电线圈切换。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSI011N10MS-G
威兆VSI011N10MS-G是一款常用于次级同步整流的NMOS，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造封装方式为TO-251，耐压100V，导阻为9mΩ。
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威兆VSP008N10MSC
威兆VSP008N10MSC是一款VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS，常用于次级同步整流，采用5V逻辑电平驱动，封装为PDFN5x6，耐压100V，导阻6mΩ。
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威兆VSP012N12MS
威兆VSP012N12MS是一款5V逻辑电平控制的增强型MOS，采用DFN5*6封装方式，导阻为12.8mΩ，耐压为120V，常用于次级同步整流。
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威兆VST012N12MS
威兆VST012N12MS是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS,采用TO-220AB封装方式，导阻为11.5mΩ，耐压为120V的NMOS，可应用于次级同步整流。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VST013N10MS
威兆VST013N10MS是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS，采用TO-220AB封装工艺，导阻为11mΩ，耐压为100V，常用于同步整流电路。
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威兆VS4610AE
威兆VS4610AE是一款增强型NMOS，采用PDFN3333封装方式，导阻为6.8mΩ，耐压为40V可用于输出同步整流降压。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS6614GS
威兆VS6614GS是一款VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，封装为SOP8，导阻10.5mΩ，耐压60V，常用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSO008N10MS（VSO009N10MS）
威兆VSO009N10MS被后续型号VSO008N10MS取代，VSO008N10MS参数与VSO009N10MS参数接近。
威兆VSO008N10MS是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用5V逻辑电平控制，封装方式为SOP8，耐压100V，导阻为6.4mΩ，常用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP004N10MS-G
威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用PDFN5x6封装，耐压为100V，拥有3.8mΩ超低导阻，常用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP003N10HS-G
威兆VSP003N10HS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，采用10V逻辑电平控制，封装为PDFN5x6，拥有3.8mΩ超低导阻，耐压100V，可以用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP003N08HS-G
威兆VSP003N08HS-G采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装为PDFN5060X，具备2.4mΩ超低导阻，耐压80V，常用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP007N12MS-G
威兆VSP007N12MS-G是一颗采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS，耐压120V，导阻为6.5mΩ，采用PDFN5060X封装，常用于同步整流电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VSP009N10MS
威兆VS009N10M是一颗常用于同步整流的NMOS。使用5V逻辑电平控制，耐压110V，导阻为6.5mΩ，采用VitoMOS® Ⅱ技术制造，封装为PDFN5x6。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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威兆VS3620GEMC
威兆VS3620GEMC是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS，耐压为30V，导阻4.9mΩ，采用PDFN3333封装，可以用于同步升降压电路。
这款器件100%通过雪崩测试，无铅无卤素，符合RoHS规范。
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充电头网总结
近两年来，随着PD协议的更新，快充技术的再次绽放出新的光彩，从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议，从以前的10W到如今的200W以上，充电速度越来越快，充电功率也越来越大，同步整流管的要求也越来越严格，快充技术已经在消费类电源市场市场中得到快速普及，也会带动MOS管市场的发展。
威兆半导体在MOS领域深耕多年，旗下同步整流管家族矩阵十分庞大，可供选择款式众多，能够轻松满足200瓦级别的快充应用，为快充厂商提供了集成度更高、更具性价比的选择。目前已经成功进入OPPO、小米、IQOO、努比亚、魅族、倍思、机乐堂、飞利浦、图拉斯等诸多知名品牌供应链，产品性能获得市场长期验证。
展会预告
深圳市威兆半导体股份有限公司参加充电头网主办的2024（春季）亚洲充电展，展位位于B区B63 ，3月20-22日欢迎莅临展会现场交流、洽谈。
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