前言
近些年来，随机手机快充速率与日俱增，从早期的10W、18W，一路提升至200W以上，传统硅基功率器件物理瓶颈日益凸显。如何在提升功率情况下降低发热，缩减体积以及降低成本是半导体行业普遍关注的问题。目前，第三代半导体材料碳化硅已经逐步走进消费电子行业，逐步替代一些硅基功率器件，助力厂商实现快充小型化、高效化。
充电头网最近发现，飞程半导体、泰科天润、美浦森、芯干线四件厂商旗下碳化硅功率器件已经成功导入快充行业，下面小编将为您详细介绍。
文中出现的碳化硅功率器件
文中出现的器件厂商、型号以及部分规格如图表所示，详细资料请详见下文。
飞锃半导体
飞锃半导体ACD06PS065
飞锃半导体ACD06PS065，规格为6A 650V。具备高频率、 零正向/反向恢复时间、耐高温、可并联使用、可靠性高等优秀的特性。可以广泛应用于PD快充适配器、服务器电源、太阳能逆变器、AC/DC转换器、DC/DC转换器、UPS等设备中。
应用案例：
泰科天润
泰科天润G3S06505C
泰科天润G3S06505C，是一颗耐压650V，5A电流的碳化硅二极管，采用TO252封装。这款器件具备零反向恢复电流、零正向恢复电压的特性，同时具备正温度系数，易于并联使用，可以降低开关损耗，降低系统对散热片的依赖。泰科天润G3S06505C适合开关电源、PFC因数校正、电机驱动、逆变器等场景应用。
应用案例：
泰科天润G5S6504Z
泰科天润G5S6504Z，规格为650V 4A，为第五代碳化硅肖特基二极管，采用DFN5*6封装，两颗并联。这款器件耐高温、损耗低，具备零反向恢复电流、零正向恢复电压特性，可以有效系统降低散热压力，适合开关电源、PFC因数校正、电机驱动、逆变器等场景应用。
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泰科天润G5S6506Z
泰科天润G5S6506Z是一颗耐压650V，6A的碳化硅二极管，损耗低，耐高温，易于并联使用，采用DFN5*6封装。适合开关电源、PFC因数校正、电机驱动、逆变器等场景应用。
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泰科天润G5S06506QT
泰科天润G5S06506QT是一颗碳化硅二极管，耐压650V，136℃工作电流6A，最高工作温度150℃，采用DFN8*8封装。这款器件具备正温度系数，易于并联使用，同时耐高温，损耗低，可以降低系统散热压力。适合开关电源、PFC因数校正、电机驱动、逆变器等场景应用。
应用案例：
泰科天润G5S06508QT
泰科天润G5S06508QT是一颗碳化硅二极管，规格为650V 8A，采用DFN8*8封装。这款器件具备正温度系数，易于并联使用，同时耐高温，损耗低，可以降低系统散热压力。适合开关电源、PFC因数校正、电机驱动、逆变器等场景应用。
应用案例：
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美浦森
美浦森MSD04065G1
美浦森MSD04065G1是一款碳化硅二极管，规格为650V 4.8A，开关频率高，耐高温，拥有更短的恢复时间，损耗低，效率高，可以有效降低散热成本，采用TO252封装，主要用于PFC升压整流。
应用案例：
美浦森MSM06065G1
美浦森MSM06065G1是一颗650V耐压，150℃连续正向电流6A的碳化硅二极管，耐高温，开关频率高，拥有更短的恢复时间，损耗低，效率高，采用DFN5*6封装，超薄封装节省体积，适用于高功率密度的大功率氮化镓快充应用。
应用案例：
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芯干线
芯干线碳化硅二极管XD6504D
芯干线XD6504D是一颗耐压650V的碳化硅二极管，在135℃下的工作电流为6A，具有零反向恢复电流优势，具备正温度系数，易于并联操作，支持高速开关，具有低开关损耗以及低散热需求。
芯干线XD6504D采用TO252封装，适用于开关电源，PFC功率因数校正，电机驱动，牵引逆变器和充电桩等。
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芯干线碳化硅二极管XD6506F8
芯干线为XD6506F8，是一颗耐压650V的碳化硅二极管，在135℃下的工作电流为11A，具有零反向恢复电流特性，正温度系数，易于并联操作，支持高速开关，开关损耗低，散热压力小，采用DFN 8*8封装。
芯干线这款碳化硅二极管可用于PD快充，开关电源，PC电源，电池快充，PFC功率因数校正，LED电源以及POE电源等多种场景。
应用案例：
充电头网总结
充电头网了解到，碳化硅器件因其出色的耐高温、低损耗和高效率特性，被视为新一代功率器件的理想选择。随着快充、新能源以及电动汽车等领域的蓬勃发展，对高性能、高可靠性功率器件的需求不断增加。传统的硅基器件难以满足需求，因此对碳化硅的需求进一步增长。
特别是在高功率应用场景中，碳化硅器件的渗透率正在逐步提高，早在2022年碳化硅市场规模便达到数亿美元，为此文中提到的多家功率器件企业紧抓市场需求，相继推出各种高性能、高可靠性碳化硅解决方案，助力厂商推出更多高效、高功率密度的快充产品。
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