英诺赛科从成立至今的三年多时间里， 凭借其团队雄厚的研发实力和生产技术，在产品开发上取得了非常亮眼的成绩。此次作为中国氮化镓领域的代表企业出席APEC2019，标志着中国8英寸氮化镓产品正式走出国门，亮相国际舞台。
我国第三代半导体是如何实现重大突破的？我们为此邀请到了英诺赛科研发副总周春华博士带我们对英诺赛科GaN进行深度揭秘：
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1、第三代半导体和前两代有什么区别？
首先回答一下什么是第一代、第二代、第三代半导体，第一代半导体我们叫Si和Ge这种材料，第二代就是化合物半导体，像GaAs、InP等材料，第三代半导体就是SiC、GaN这种宽禁带的半导体材料；第三代的特点就是从材料上来讲，它的禁带更宽，带来的优势就是它的击穿电压更高，功率密度更大，在射频、功率器件等领域有着巨大的优势。
2、8英寸晶圆和6英寸晶圆有哪些区别？
8英寸是指晶圆的直径，换算成公制单位大概就是200mm，6英寸就是150mm。从6英寸到8英寸，有效的晶圆面积可以提高84%，单颗芯片的成本可以减少20%-40%。另外，由于8英寸它是一个更先进的制造技术，它可以有更好的工艺、设备，可以实现更高的性能和更高的可靠性。最后，8英寸实际上在半导体是一个主流的技术，整个的供应链也更加完备。举个例子，比如我们选封装的话，8英寸可以用到日月光、江阴长电和通富的先进封装，那6英寸的话，往往只能选择Tier 2的封装厂。
3、目前氮化镓行业有哪些模式？
实际上，氮化镓和硅一样，都有三种主要的模式，一种叫做IDM，从头做到尾，什么都做，从设计到制造到测试。另外一种是，就比如像高通，就属于Fabless 模式，自己做设计，然后代工就交给台积电，这就属于代工模式。在氮化镓产业也是有这样代工的模式，但我们认为氮化镓到目前这个阶段，在一个产品爆发的前沿，这个时候就要做大量的技术迭代，提高产品升级换代的周期，而IDM模式在这方面就有巨大的优势，同时IDM在成本上有一个自主可控的优势，另外目前在国内这个环境下，所有氮化镓核心技术可以实现完全自主可控。
4、氮化镓技术如何取代传统功率器件？
现在氮化镓实际上还是在发展的初期，因为从最开始EPC推出增强型氮化镓器件到现在也就不到十年的时间，因此如果要跟我们非常成熟的硅功率器件进行竞争，就要面临两个挑战。一个就是成本，它跟硅比起来还是有一定的劣势，但这个在我们英诺赛科看来，用8英寸的技术第一步就可以把单个氮化镓器件成本与同等规格的硅器件之间差距降到25%以内，另外一个，通过我们把技术迭代一到两代的话，可以在成本上与硅MOS在同等导通电阻和击穿电压下完全持平。第二个挑战，就是可靠性，那我们英诺赛科通过建立自己的可靠性实验室和失效分析实验室，用IDM模式快速迭代我们的可靠性，使得我们的可靠性达到工业级甚至是车规级，从而大力推进氮化镓的应用。
总结
我国第三代半导体实现重大突破，获得与国际同行同台竞争的实力和筹码，这得益于8英寸晶圆高性能、低成本的优势，以及自主可控的IDM产业模式。
期待国产氮化镓再接再厉，加快推动这项技术的普及，实现科技服务人类美好生活的伟大使命。
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