前言

在现代电子设备的设计与制造过程中，静电防护已经成为一个不可忽视的重要环节。现代电子元件变得越来越微小，对电压波动也相当敏感，尤其是那些由静电引起的高压瞬态，可以产生足以破坏或改变集成电路和其他敏感电子元件的电流，从而对整个设备以及系统带来相应的安全风险。

而静电防护器件被设计用来保护电子设备免受静电的影响，这些器件能够在静电放电发生时提供一个安全的路径，将高压引导至地线，从而保护敏感的电子电路不受损害。充电头网了解到高特电子全新推出了四通道静电防护器件GESD5B244JDO，专为 PD3.1 USB-C 接口静电防护而精心打造，同时具有更高的性价比，可为设备提供全方位的静电防护。

高特GESD5B244JDO

GESD5B244JDO采用 DFN2510 封装外形，体积仅为2.5*1.0*0.5(mm)，内部集成了四个静电防护通道，采用5V双向和28V 单向的双通道设计，直通式精准对位防护PD USB-C接口的D+和D-以及CC 信号线。

GESD5B244JDO四通道静电防护器件震撼发布！专为 PD3.1 USB-C 接口静电防护而精心打造！-充电头网

这种精妙的设计，不仅可以为 USB-C 的 D+、D-、CC1、CC2 等信号通道提供全方位的静电防护，还极大地简化了信号线在 PCB 上的走线布局。同时，集成式设计降低了器件成本，减少了SMT贴片次数，实现了更高的性价比。

相比传统方案采用4颗ESD，高特GESD5B244JDO内部集成四个静电防护通道，只需一颗就能满足之前四颗才能满足的功能，占板面积也缩小为之前的二分之一，这样的好处还带来了更简单的布线方式、更低的元件成本以及更少的贴片次数，有效提高了生产效率。

实际方案对比，左边为传统方案，右边为高特GESD5B244JDO，可以很明显看出右边的更小，布线也更加简洁。

跟传统方案相比，高特GESD5B244JDO采用直通式的布线方式，使得GESD5B244JDO可以最大程度地靠近USB-C接口放置，大大缩短了ESD防护器件与被防护线路及地线之间的回路，从而减少了静电自感耦合到其它邻近线路上的机会，很大程度提升了整机系统的抗静电能力。

高特GESD5B244JDO详细资料。

应PD3.1 28V档位需求，GESD5B244JDO一站式提供两路5V和两路28V工作电压，具有出色的低容值和快速响应时间，可确保静电能量快速泄放，保护设备免受静电干扰和损坏。同时，GESD5B244JDO还具有极低的漏电流和高可靠性。

接下来看看实际应用方面。

AD30N54D3+JD6621+GESD5B244JDO方案

该方案正面展示，PCB板极为精巧，表面一颗PD控制器芯片，采用的是天德钰JD6621，提供 3.3V~21V 宽输出电压；内置 MCU 通过 D+/D 接口处理各种专有协议，并通过 CC1/CC2 引脚支持 USB PD Type-C；芯片支持高精度CV/CC控制，内置可编程的线缆补偿。

同时周围布置有多颗取样电阻，右侧USB-C母座。

在该方案的背面，左上角是一颗砹德曼的AD30N54D3，这是一颗耐压30V，导阻5.7mΩ的N-MOSFET，在该方案中作为VBUS开关管使用。右下角则是一颗高特GESD5B244JDO，上文已有详细赘述。该方案的尺寸经实测为21.48x20.51x4.62mm。

具体来说，从整个方案的构造来看，仅需一颗高特GESD5B244JDO就可满足器件的静电测试要求，从电路布局和方案尺寸大小来看，高特GESD5B244JDO带来了更简单的布线方式，让整体成本更低，生产效率也会得到有效提高。

RUH4040M2+SW3516P+CSU32P10+GESD5B244JDO方案

接下来介绍另一款方案案例。

该方案输出VBUS开关管来自锐骏半导体，型号RUH4040M2；协议芯片来自智融，型号SW3516P，这是一款高集成度的多快充协议双口充电芯片，支持A+C口任意口快充输出，支持双口独立限流。

RISC MCU来自芯海，型号CSU32P10，内置12bit ADC、2kx14位OTP存储器，静电防护芯片则来自高特GESD5B244JDO，由上图可以很清晰地看出，一颗GESD5B244JDO即可负责一个USB-C接口的静电防护，得益于高特GESD5B244JDO采用直通式的布线方式，可以最大程度地靠近USB-C接口放置，大大缩短了ESD防护器件与被防护线路及地线之间的回路，从而减少了静电自感耦合到其它邻近线路上的机会，很大程度提升了整机系统的抗静电能力。