英诺赛科将在5月17日出席参加：2019（夏季）无线充电亚洲展，展台设在A17，欢迎大家前来咨询！
在2019.5.17的《2019（夏季）无线充电亚洲展》上，英诺赛科（珠海）科技有限公司将展出采用自己研发生产的硅基GaN器件的高频无线充电方案，该方案的DEMO如图1所示：
图1、采用GaN器件的无线充电DEMO
该充电方案有如下特点：
- 可一对多充；
- 无需紧贴，传输距离远；
- 无需中心对齐，在发射板板框范围内均可以充电；
相比当前基于Qi标准的无线充电设备（Qi标准无线充电设备特点：一对一充，接收板和发射板间需正对紧贴），其在使用便捷性上有着明显的优势。
该发射端方案采用φ2逆变器电路，并充分利用GaN器件Ciss、Coss小的特性（输出电荷Qoss小，充放电速度快；门极电荷Qg小，有利于快速开通关断；GaN器件这两个参数只有同级别Si MOSFET的1/10），开关频率为6.78MHz，GaN器件在φ2逆变器中能实现ZVS工作，电路拓扑如下：
图2、φ2变换器，图中红色框内为LC串联谐振电路
该电路中只有一个半导体器件GaN作为开关器件，配合一些被动元器件（电容，电感）工作，电路简单，成本低廉。
该Demo板输入电压为20Vdc，输入功率接近10W，输出功率约7W；提升输入电压可增大输出功率。
与高频无线充电的另一个方案——Class E逆变器不同的是，英诺赛科的φ2逆变器方案中GaN器件的Vds间并联了LC谐振电路（谐振频率为开关频率的2倍）（图2中红色框内所示），能大大降低开关管的电压应力，相比Class E方案的开关管Vds=（3~5）*Vin，φ2方案中的Vds≈2.4*Vin；可见φ2变换器方案，其Vds电压应力有明显的优势，故GaN器件选型时可以选用Vds=100V的器件，即使将输入电压提升到30Vdc也足够使用；而Class E逆变器方案，在20V输入条件下，为保证一定的电压裕量，要选择120V~150V的GaN器件，在30Vdc输入情况下只能选择Vds=200V的GaN器件，而半导体开关器件Vds越低，导通阻抗Rdson越小，价格也越低；故φ2逆变器方案在效率和器件价格方面均有优势，图3为采用φ2变换器的Vds工作波形：
图3、φ2变换器的Vds波形
英诺赛科无线充方案Demo板上使用的100V GaN 器件，该器件的相关参数如下：
该器件已经发布，并已在客户端通过测试认证并开始批量发货。如有器件需求，请联系联系英诺赛科市场销售部：
地址：深圳市龙华新区民治大道567号优城商务大厦A713
电话：0755-2105 1724
关于英诺赛科（珠海）科技有限公司
英诺赛科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海归团队发起， 并集合了众多国内外精英联合创办的宽禁带半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。 一期项目坐落于珠海市国家级高新区， 占地1.7万平米， 投资10.95亿元，于2017年建成了全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线，产品经国内主流客户认证，各项性能指标均达到国际先进水平。二期项目坐落于苏州市吴江汾湖高新区， 占地16.3万平米，于2018年6月开工建设， 预计2020年投入生产。
氮化镓被称为第三代半导体材料，是当今世界最先进的半导体材料之一，因其优良的物理化学特性，能实现器件的高频、高效等特性，大幅度降低系统能耗，而硅衬底价格便宜，导热性能优异；基于硅衬底的氮化镓功率器能广泛应用于5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、数据中心等新兴领域；硅基氮化镓具有的优异特性和性价比，以及广泛的应用前景使其成为新一代半导体产业发展的焦点。
英诺赛科采用研发、设计、生产、制造、测试为一体的IDM模式，公司在可靠性和失效分析上进行战略投入， 建立自有分析平台，从而具有产品快速迭代的能力；英诺赛科主要生产30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等，公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。
英诺赛科从成立至今的三年时间里， 凭借其团队雄厚的研发实力和生产技术，在产品开发上取得非常亮眼的成绩，快速成长为国内第三代半导体研发与生产的先锋企业。
公司已发布的产品清单
公司正在开发的产品
关于展会
2019（夏季）无线充电亚洲展是充电头网发起的一项推广无线充电产业的活动，目前已经连续举办第5届。
这是2019年首场大规模无线充电行业展会，汇聚近百家产业链优质供应商、服务商，以及上千家采购商。
本次展会邀请了无线充电联盟分享最新无线充趋势及市场前景，以及无线充电领域技术专家介绍最新无线充案例。
拥有最新无线充电应用案例现场展示，覆盖无线充电器、无线充电宝、无线充电车载支架、TWS耳机无线充电仓等上百款热门爆款方案。
展会报名地址：点击这里
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