前言
随着快充的飞速发展,快充内置的同步整流模块需求也逐渐提升,同步整流管的要求也越来越严格。威兆半导体作为一家专业从事MOSFET等分立器件系列的设计及半导体微电子相关产品研发的高科技企业,拥有创新,稳定,高效率,低成本的整体解决方案,同时经过长期的努力已经成为少数同时具备低压、中压、高压全部系列大功率POWER MOSFET分立器件,以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。
威兆应用案例
本次充电头网汇总了近几年的产品拆解中,涉及到威兆同步整流管家族中的产品应用案例,通过整合发现,威兆的同步整流管方案十分受欢迎,助力充电器向更高效、更轻薄方向发展。
低压同步整流管
威兆VS1605APM
威兆VS1605APM是一颗增强型NMOS,耐压100V,导阻6.3mΩ,采用PDFN5*6封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,采用无铅无卤素工艺制造,符合RoHS规范,可用于同步整流电路。
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威兆VS3506AE
威兆VS3506AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关速度快,导阻低,导阻为6mΩ。
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VS3506AE同样采用无铅无卤素工艺制造,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管。
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威兆VS3508AE
威兆VS3508AE是一款耐压30V的增强型PMOS,采用PDFN3333封装,效率高,导阻为8.5mΩ。
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这款器件100%通过雪崩测试,采用无铅无卤素工艺制造,符合RoHS规范,常用于作为输出的VBUS开关。
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威兆VS3508AS
威兆VS3508AS是一款耐压30V的增强型PMOS,使用5V逻辑电平控制,采用SOP8规格封装。开关频率高,更高效,导阻为8.5mΩ。
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这款器件同样采用无铅无卤素工艺,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关管和输出电流采样。
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威兆VS3510AE
威兆VS3510AE是一款5V逻辑电平控制的增强型PMOS,耐压30V,采用PDFN3333封装,开关频率高,导阻为10mΩ。
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这款器件100% 通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于输入保护。
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威兆VS3518AE
威兆VS3518AE是一颗耐压30V的增强型PMOS,采用PDFN3333封装规格,效率高,导阻为15mΩ。
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这款器件无铅无卤素,符合RoHS规范,可以应用于USB-C口输出的VBUS开关。
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威兆VS3522AE
威兆VS3522AE是一款增强型PMOS,耐压30V,使用5V逻辑电平控制,采用PDFN3333封装规格,导阻为6mΩ。
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这款器件无铅无卤素,符合RoHS规范,可以应用于输出开关管。
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威兆VS3610AE
威兆VS3610AE为5V逻辑电平控制的增强型NMOS,开关频率高,导阻为4mΩ,采用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于输出同步整流降压。
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威兆VS3618AE
威兆VS3618AE是一款耐压30V的增强型NMOS,采用PDFN3333封装,导阻为6.4mΩ。
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这款器件100% 通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用于输出VBUS开关。
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威兆VS3618AP
威兆VS3618AP是一款耐压30V的增强型NMOS,使用5V逻辑电平控制,效率高,导阻低,当仅为5.4mΩ,采用PDFN5x6封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,常用于同步升降压电路。
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威兆VS3618BE
威兆VS3618BE是一款耐压30V的增强型NMOS,封装为PDFN3333,导阻为5.2mΩ。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,在产品中多用作VBUS开关。
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威兆VS3620GPMC
威兆VS3620GPMC是一款采用VitoMOSⅡ工艺制造的增强型NMOS,耐压30V,导阻为5.4mΩ,采用PDFN5*6封装方式。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,常用于同步降压开关管。
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威兆VS3622AE
威兆VS3622AE是一款耐压30V的增强型NMOS,使用5V逻辑电平驱动,导阻为7.9mΩ,采用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于VBUS开关管或驱动无线充电线圈。
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威兆VS3622DB
威兆VS3622DB是一款双NMOS管,耐压30V,双管集成的形式有效提升性能,具备低栅极电流和低导通电阻特性,导阻分别为8.2mΩ及6mΩ,采用DFN3x3封装。
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这款器件无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于同步整流降压输出。
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威兆VS3622DE
威兆VS3622DE是一款耐压30V的增强型双NMOS管,使用5V逻辑电平控制,导阻为10mΩ,采用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于两组线圈的切换以及输出端口独立保护。
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威兆VS3622DS
威兆VS3622DS是一款耐压30V的增强型NMOS,使用5V逻辑电平控制,导阻低效率高,导阻为10mΩ,采用SOP8封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以作为输出VBUS开关应用。
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威兆VS3622DP2
威兆VS3622DP2是一款耐压30V的双NMOS管,使用5V逻辑电平控制,效率高,导阻为7.5mΩ,采用PDFN5x6封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于同步升降压电路以及无线充电线圈驱动等场景。
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威兆VS3640AE
威兆VS3640AE是一款耐压30V的NMOS,使用5V逻辑电平驱动,7.5mΩ,使用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关。
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威兆VS3640DE
威兆VS3640DE是一颗5V逻辑电平控制的增强型双NMOS,开关速度快,耐压30V,导阻15mΩ,采用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用作VBUS开关管。
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威兆VS3640DS
威兆VS3640DS双NMOS管,使用5V逻辑电平控制,耐压30V,使用SOP封装规格,导阻为16mΩ。
![一文看懂威兆MOS管历年拆解案例-充电头网](https://static.chongdiantou.com/wp-content/uploads/2024/07/2024072302061694.jpeg?x-oss-process=style/cdt800w)
这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于输出切换,也可以可组成H桥驱动线圈,用于控制两侧无线充电部分供电。
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威兆VS3698AE
威兆VS3698AE是一款耐压30V的增强型NMOS,导阻为3mΩ,采用PDFN3333封装规格。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,常用于输出VBUS开关。
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威兆VS3698AP
威兆半导体号VS3698AP是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS,耐压30V,导阻为3.1mΩ,采用PDFN5*6封装。
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这款器件这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于降压输出电路。
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威兆VS4020AP
威兆VS4020AP是一款耐压40V的NMOS,导阻为4mΩ,开关频率高,允许重复雪崩直至 Tjmax ,采用PDFN5X6封装规格。
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威兆VS4620GP
威兆VS4620GP是一颗NMOS,耐压40V,导阻6.5mΩ,采用PDFN5*6封装。
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威兆VS4604AP
威兆VS4604AP是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS,耐压40V导阻为2.7mΩ,采用PDFN5x6封装。
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威兆VS4604DM
威兆VS4604DM是一款5V逻辑电平驱动的增强型NMOS,导阻为1.6mΩ,采用TO-263封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于充电输入保护电路。
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威兆VS4618AP
威兆VS4618AP是一颗5V逻辑电平控制的增强型NMOS,耐压40V,导阻9.6mΩ,采用PDFN5*6封装。
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威兆VS4620GEMC是一颗采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS,耐压40V,导阻6.4mΩ,采用PDFN3333封装。
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威兆VS4698AP
威兆VS4698AP是一颗耐压40V,导阻4.8mΩ的NMOS,采用PDFN5*6封装。
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威兆VSE002N03MS-G是一颗增强型NMOS,耐压30V,导阻1.4mΩ,导阻低,效率高,采用PDFN3333封装。
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威兆VSE007N04MS-G
威兆VSE007N04MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术的增强型NMOS,耐压4V,采用PDFN3333封装,导阻为3.2mΩ。
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威兆VSE009NE6MS-G
威兆VSE009NE6MS-G是采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS,耐压为60V,导阻7mΩ,采用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可采用多颗VSE009NE6MS-G组成H桥用于无线充电电路。
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威兆VSE014P04MS
威兆VSE014P04MS是一颗增强型PMOS,耐压40V,导阻9.5mΩ,开关速度快,采用PDFN3333封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于VBUS开关管。
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威兆VSP002N03MS-G
威兆VSP002N03MS-G是一颗增强型NMOS,耐压30V,导阻2.3mΩ,采用PDFN5*6封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于输出VBUS开关管。
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威兆VSP003N06MS-G
威兆VSP003N06MS-G是一款采用VitoMOSⅡ技术制造的增强型NMOS,耐压60V的NMOS,导阻为2.5mΩ,采用PDFN5*6封装方式。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可以用于输出同步整流电路。
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威兆VSP004N10MSC-G
威兆VSP004N10MSC-G是一颗增强型NMOS,耐压100V,导阻4.8mΩ,采用PDFN5060X封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用作同步整流电路。
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威兆VSP007P06MS
威兆VSP007P06MS是一颗增强型PMOS,耐压60V,导阻7.5mΩ,采用PDFN5060X封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用作VBUS开关管。
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威兆VSP008N10MSC-G
威兆VSP008N10MSC-G是一颗耐压100V的增强型NMOS,导阻6.5mΩ,采用PDFN5*6封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,适合同步整流电路应用。
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威兆VSP009N10MS
威兆VSP009N10MS是一款耐压为110V的增强型NMOS,采用PDFN5×6封装,使用5V逻辑电平控制,导阻为6.5mΩ。
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这款器件采用威兆VitoMOS® Ⅱ 技术制造,100%通过雪崩测试,采用无铅无卤素工艺制造,符合 RoHS 规范,可以应用于同步整流的MOS管。
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威兆VSP011N10MS-G
威兆VSP011N10MS-G是一颗增强型NMOS,耐压100V,导阻9.5mΩ,采用PDFN5*6封装。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范,可用于降压电路。
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中压同步整流管
威兆VS1606GS
威兆VS1606GS是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,耐压100V,导阻10.5mΩ,封装为SOP8,可应用于自控保险丝电路。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VS6018AS
威兆VS6018AS是一款常用于次级同步整流管的NMOS,采用SOP8封装,耐压60V,使用5V逻辑电平驱动,适用于各种常规大小充电器使用。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VS6410AS
威兆VS6410AS是一款常用于次级同步整流的NMOS管,采用SOP8封装,耐压为60V,采用5V逻辑电平驱动,导阻为11mΩ。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VS6412AE
威兆VS6412AE是一款常用于次级同步整流管的NMOS,采用VitoMOS® Ⅱ技术制造,封装方式为PDFN3333,耐压65V,导阻为19mΩ,使用5V逻辑电平驱动。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VS6608GE
威兆VS6608GE是一款常用于同步升降压电压转换的NMOS,采用VitoMOS® Ⅱ技术制造,封装方式为PDFN3333,耐压65V,导阻为6mΩ。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VSE011N06MS
威兆VSE011N06MS是一款耐压60V的NMOS管,采用PDFN3333封装方式,导阻为9mΩ,可以用于实现无线充电线圈切换。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VSI011N10MS-G
威兆VSI011N10MS-G是一款常用于次级同步整流的NMOS,采用VitoMOS® Ⅱ技术制造封装方式为TO-251,耐压100V,导阻为9mΩ。
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威兆VSO009N06MS-G
威兆VSO009N06MS-G是一款常用于同步整流的NMOS,采用VitoMOS® Ⅱ技术制造,封装方式为SOP8,耐压60V,导阻为8mΩ。
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威兆VSP008N10MSC
威兆VSP008N10MSC是一款VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS,常用于次级同步整流,采用5V逻辑电平驱动,封装为PDFN5x6,耐压100V,导阻6mΩ。
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威兆VSP012N12MS
威兆VSP012N12MS是一款5V逻辑电平控制的增强型MOS,采用DFN5*6封装方式,导阻为12.8mΩ,耐压为120V,常用于次级同步整流。
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威兆VST012N12MS
威兆VST012N12MS是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS,采用TO-220AB封装方式,导阻为11.5mΩ,耐压为120V的NMOS,可应用于次级同步整流。
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威兆VST013N10MS
威兆VST013N10MS是一款5V逻辑电平控制的增强型NMOS,采用TO-220AB封装工艺,导阻为11mΩ,耐压为100V,常用于同步整流电路。
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威兆VS4610AE
威兆VS4610AE是一款增强型NMOS,采用PDFN3333封装方式,导阻为6.8mΩ,耐压为40V可用于输出同步整流降压。
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威兆VS6614GS
威兆VS6614GS是一款VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,封装为SOP8,导阻10.5mΩ,耐压60V,常用于同步整流电路。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VSP004N10MS-G
威兆VSP004N10MS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,采用PDFN5x6封装,耐压为100V,拥有3.8mΩ超低导阻,常用于同步整流电路。
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威兆VSP003N10HS-G
威兆VSP003N10HS-G是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,采用10V逻辑电平控制,封装为PDFN5x6,拥有3.8mΩ超低导阻,耐压100V,可以用于同步整流电路。
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威兆VSP003N08HS-G
威兆VSP003N08HS-G采用VitoMOS® Ⅱ技术制造,封装为PDFN5060X,具备2.4mΩ超低导阻,耐压80V,常用于同步整流电路。
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威兆VSP007N12MS-G
威兆VSP007N12MS-G是一颗采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的NMOS,耐压120V,导阻为6.5mΩ,采用PDFN5060X封装,常用于同步整流电路。
![一文看懂威兆MOS管历年拆解案例-充电头网](https://static.chongdiantou.com/wp-content/uploads/2024/07/2024072302140741.jpeg?x-oss-process=style/cdt800w)
这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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威兆VS009N10M是一颗常用于同步整流的NMOS。使用5V逻辑电平控制,耐压110V,导阻为6.5mΩ,采用VitoMOS® Ⅱ技术制造,封装为PDFN5x6。
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威兆VS3620GEMC是一款采用VitoMOS® Ⅱ技术制造的增强型NMOS,耐压为30V,导阻4.9mΩ,采用PDFN3333封装,可以用于同步升降压电路。
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这款器件100%通过雪崩测试,无铅无卤素,符合RoHS规范。
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充电头网总结
近两年来,随着PD协议的更新,快充技术再次绽放出新的光彩,从最初的QC快充到各家终端品牌推出的私有快充协议,从以前的10W到如今的200W以上,充电速度越来越快,充电功率也越来越大,同步整流管的要求也越来越严格,快充技术已经在消费类电源市场中得到快速普及,也会带动MOS管市场的发展。
威兆半导体在MOS领域深耕多年,旗下同步整流管家族矩阵十分庞大,可供选择款式众多,能够轻松满足200瓦级别的快充应用,为快充厂商提供了集成度更高、更具性价比的选择。目前已经成功进入OPPO、小米、IQOO、努比亚、魅族、倍思、机乐堂、飞利浦、图拉斯等诸多知名品牌供应链,产品性能获得市场长期验证。
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