前言

成都氮矽科技凭借其独有的氮化镓技术，专注于研发和销售全方位的氮化镓产品。公司的科技创新引领行业，打破了国际厂商的长期垄断，为国内电子行业带来革新。产品线包括氮化镓分离器件、驱动IC、氮化镓集成驱动芯片和氮化镓集成控制器芯片等，涵盖从低压到高压的应用，提供高性能、高可靠性的氮化镓产品。氮矽科技致力于持续创新和普及氮化镓技术，与您共创绿色未来。

最近，充电头网了解到氮矽旗下多款氮化镓开关管、氮化镓驱动器以及氮化镓集成驱动芯片获多款快充产品采用，下文小编将为您详细介绍。

氮矽科技氮化镓开关管

氮矽科技DX65F130

氮矽科技DX65F130是一颗650V耐压的增强型氮化镓开关管，最大导通电阻130mΩ，采用DFN8*8封装。

器件具有简化的栅极驱动要求，支持10MHz以上的开关频率，具备快速且可控制的上升和下降时间，无反向恢复损耗。适用于快充充电器，PFC功率因数校正，LLC转换和无线功率传输。

应用案例：

1、TOMAX拓玛PD3.1 140W 3C1A氮化镓充电器TOUC35，设计巧妙，别具匠心

2、拆解报告：煊阳100W 2A2C氮化镓桌面充电器

3、拆解报告：乐瑞115W二合一氮化镓桌面充电器

氮矽科技DX65F200

丝印DX6510FE的氮化镓开关管实际型号为DX65F200，是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管，导阻200mΩ，最大连续电流为10A。

DX65F200具有简化的栅极驱动要求，只需0-6V驱动电压，无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率，具有可控制且快速的上升下降时间，无反向恢复损耗。

应用案例：

1、拆解报告：煊阳100W 2A2C氮化镓桌面充电器

2、拆解报告：乐瑞115W二合一氮化镓桌面充电器

氮矽科技DX65C200

氮矽科技DX65C200是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管，导阻为200mΩ，器件具有简化的栅极驱动要求，只需0-6V驱动电压，无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率，具有可控制且快速的上升下降时间，无反向恢复损耗。

DX65C200采用DFN5*6封装，满足大功率，小体积，高性能等多种应用场合。可用于电池快充，LED照明，功率因数校正，LLC拓扑的开关电源以及无线功率传输，支持多种开关电源拓扑应用。

应用案例：

1、拆解报告：辉越光电65W氮化镓超薄充电器

氮矽科技氮化镓驱动器

氮矽科技DX1001

氮化镓驱动器来自氮矽科技，型号DX1001，是一颗针对5V驱动而优化的单通道高速驱动器，采用独立拉灌，可针对不同器件配置，优化导通和关断时间。

DX1001采用双输入设计，灵活实现同相和反相配置。引脚布局与GaN器件优化，方便布线。支持工业级宽温，适用于开关电源，AC-DC，DC-DC转换器，同步整流驱动，逆变器等场合应用。

应用案例：

1、拆解报告：煊阳100W 2A2C氮化镓桌面充电器

氮矽科技氮化镓集成驱动芯片

氮矽科技DXC1065S2C

氮矽科技DXC1065S2C内部集成单通道高速驱动器和增强型氮化镓开关管。内置驱动器的标称工作电压为5V，氮化镓开关管耐压为650V，最大导通电阻为200mΩ，器件外置电阻可用于上升速度调节，采用DFN5*6封装。

氮矽科技DXC1065S2C的输入电压范围为±18V，兼容所有传统硅控制器，并且外围极简，能够显著降低PCB占板空间，满足了厂商的高效性和性价比的需求。此外，DXC1065S2C还配备了UVLO欠压锁定功能，能够防止电源电压波动引发的器件误开启问题，有效避免了炸机风险，增强设备的可靠性。

应用案例：

1、TOMAX拓玛PD3.1 140W 3C1A氮化镓充电器TOUC35，设计巧妙，别具匠心

充电头网总结

上文中提到的氮矽科技氮化镓驱动器采用双输出设计，配置灵活，可以高效驱动氮化镓器件。而氮矽科技DX65F130、DX65F200、DX65C200三款氮化镓分离器件均具备栅极驱动极简、开关频率高、无反向恢复损耗等优秀的特性，可以完美取代传统硅器件，有效提升整机效率。此外，氮化镓集成驱动芯片DXC1065S2C还在分离器件的基础上集成了单通道高速驱动器，并且兼容所有传统硅驱动器，能够有效减少PCB板空间占用，降低生产成本。

氮矽科技作为国内首屈一指的氮化镓功率器件厂商，曾经率先推出PDDFN4x4mm封装的650V/160mΩ氮化镓功率器件，成为业内同系列产品中封装面积最小的产品。最近，氮矽科技还针对TV领域以及工业级领域推出多款氮化镓器件，致力实现氮化镓器件的国产化替代。