前言
成都氮矽科技凭借其独有的氮化镓技术,专注于研发和销售全方位的氮化镓产品。公司的科技创新引领行业,打破了国际厂商的长期垄断,为国内电子行业带来革新。产品线包括氮化镓分离器件、驱动IC、氮化镓集成驱动芯片和氮化镓集成控制器芯片等,涵盖从低压到高压的应用,提供高性能、高可靠性的氮化镓产品。氮矽科技致力于持续创新和普及氮化镓技术,与您共创绿色未来。
最近,充电头网了解到氮矽旗下多款氮化镓开关管、氮化镓驱动器以及氮化镓集成驱动芯片获多款快充产品采用,下文小编将为您详细介绍。
氮矽科技氮化镓开关管
氮矽科技DX65F130
氮矽科技DX65F130是一颗650V耐压的增强型氮化镓开关管,最大导通电阻130mΩ,采用DFN8*8封装。
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器件具有简化的栅极驱动要求,支持10MHz以上的开关频率,具备快速且可控制的上升和下降时间,无反向恢复损耗。适用于快充充电器,PFC功率因数校正,LLC转换和无线功率传输。
应用案例:
1、TOMAX拓玛PD3.1 140W 3C1A氮化镓充电器TOUC35,设计巧妙,别具匠心
氮矽科技DX65F200
丝印DX6510FE的氮化镓开关管实际型号为DX65F200,是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管,导阻200mΩ,最大连续电流为10A。
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DX65F200具有简化的栅极驱动要求,只需0-6V驱动电压,无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率,具有可控制且快速的上升下降时间,无反向恢复损耗。
应用案例:
氮矽科技DX65C200
氮矽科技DX65C200是一颗耐压650V的增强型氮化镓开关管,导阻为200mΩ,器件具有简化的栅极驱动要求,只需0-6V驱动电压,无需负压驱动。极低的栅极电荷支持10MHz以上的超高开关频率,具有可控制且快速的上升下降时间,无反向恢复损耗。
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DX65C200采用DFN5*6封装,满足大功率,小体积,高性能等多种应用场合。可用于电池快充,LED照明,功率因数校正,LLC拓扑的开关电源以及无线功率传输,支持多种开关电源拓扑应用。
应用案例:
氮矽科技氮化镓驱动器
氮矽科技DX1001
氮化镓驱动器来自氮矽科技,型号DX1001,是一颗针对5V驱动而优化的单通道高速驱动器,采用独立拉灌,可针对不同器件配置,优化导通和关断时间。
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DX1001采用双输入设计,灵活实现同相和反相配置。引脚布局与GaN器件优化,方便布线。支持工业级宽温,适用于开关电源,AC-DC,DC-DC转换器,同步整流驱动,逆变器等场合应用。
应用案例:
氮矽科技氮化镓集成驱动芯片
氮矽科技DXC1065S2C
氮矽科技DXC1065S2C内部集成单通道高速驱动器和增强型氮化镓开关管。内置驱动器的标称工作电压为5V,氮化镓开关管耐压为650V,最大导通电阻为200mΩ,器件外置电阻可用于上升速度调节,采用DFN5*6封装。
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氮矽科技DXC1065S2C的输入电压范围为±18V,兼容所有传统硅控制器,并且外围极简,能够显著降低PCB占板空间,满足了厂商的高效性和性价比的需求。此外,DXC1065S2C还配备了UVLO欠压锁定功能,能够防止电源电压波动引发的器件误开启问题,有效避免了炸机风险,增强设备的可靠性。
应用案例:
1、TOMAX拓玛PD3.1 140W 3C1A氮化镓充电器TOUC35,设计巧妙,别具匠心
充电头网总结
上文中提到的氮矽科技氮化镓驱动器采用双输出设计,配置灵活,可以高效驱动氮化镓器件。而氮矽科技DX65F130、DX65F200、DX65C200三款氮化镓分离器件均具备栅极驱动极简、开关频率高、无反向恢复损耗等优秀的特性,可以完美取代传统硅器件,有效提升整机效率。此外,氮化镓集成驱动芯片DXC1065S2C还在分离器件的基础上集成了单通道高速驱动器,并且兼容所有传统硅驱动器,能够有效减少PCB板空间占用,降低生产成本。
氮矽科技作为国内首屈一指的氮化镓功率器件厂商,曾经率先推出PDDFN4x4mm封装的650V/160mΩ氮化镓功率器件,成为业内同系列产品中封装面积最小的产品。最近,氮矽科技还针对TV领域以及工业级领域推出多款氮化镓器件,致力实现氮化镓器件的国产化替代。
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