士兰微推出内置MOS初级控制器SDH8666：缩小USB PD充电器体积

士兰微电子推出了内置大功率MOSFET的SSR反激电源管理芯片SDH8666Q系列，该系列产品是士兰微电子新一代SSR反激控制芯片，采用了自有专利EHSOP5贴片封装，内置高压大功率MOSFET，可广泛适用于36W适配器或48W开放环境，包括通用适配器、快充、显示器和平板电视等。

EHSOP5优势突出

此次推出的SDH8666Q系列产品有诸多优势：
1、产品采用自有专利EHSOP5贴片封装，更适于自动化生产；
2、封装厚度仅为1.6mm，是TO252封装的2/3，对外壳温升影响更小；
3、Rthja为60℃/W，与TO252相当，而Rthjc仅为1.05℃/W，是TO252封装的1/2，更有利于散热。

封装效果如下图所示：

内置专利高压

此外，该系列产品内置了专利高压EDMOS，也采用了专利高压启动控制电路，省略传统电路的启动电阻，待机功耗低至40mW，具有快速启动，轻载高效等优点。在启动过程中采用高压耗尽型MOSFET进行高压充电，芯片启动后高压启动控制器控制该MOSFET关断，相比其他高压启动方式可靠性更高，更易通过雷击浪涌测试。

全系列产品满足CoC V5 Tier 2能效，采用了QR+PWM+PFM+Burst Mode控制模式。其中，产品优化了QR模式抖频控制，在系统工作于CCM或QR模式时采用不同的抖频策略，优化抖频控制，降低系统EMI噪声。QR模式下，采用优化抖频后的IC比无抖频IC的传导噪声低5dB左右。

值得注意的是，该系列产品具有VCC HOLD功能，防止轻载或动态切换时芯片欠压重启，产品还具有完善的保护功能，包括VCC OVP, OCP, OTP, Brown In/Brown Out，输出OVP，原边电流采样电阻短路保护，输出短路保护，副边整流管短路保护等。目前该系列电路已经大批量销售，获得了市场的青睐。