据Yole Group预测，未来五年GaN器件市场的年复合增长率（CAGR）将达到46%。随着2023年对GaN Systems公司的成功收购，英飞凌今年陆续发布多款氮化镓系列新品，并表示将扩大CoolGaN™的优势和产能，确保英飞凌在GaN器件市场供应链的稳定性。

2024年7月9日，英飞凌在慕尼黑电子展（Electronica）期间召开媒体发布会，重磅发布了多款CoolGaN™系列新品。英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛（图左）、高级首席工程师宋清亮（图右）出席了本次媒体会，为与会嘉宾带来新产品的详细介绍并回答了相关提问。

进一步扩展氮化镓700V范围内应用，英飞凌发布新一代CoolGaN™ G3和G5晶体管-充电头网

英飞凌最新推出的CoolGaN™ G3和CoolGaN™ G5系列晶体管，进一步扩展了氮化镓（GaN）在40 V至700 V电压范围内的应用。这些新一代中压CoolGaN™ G3系列和高压CoolGaN™ G5系列晶体管，均采用英飞凌自主研发的高性能8英寸晶圆工艺制造，展示了其优越的技术优势和广泛的应用前景。

CoolGaN™ G3中压晶体管覆盖了60 V、80 V、100 V和120 V的电压等级，以及40 V的双向开关（BDS）器件，主要应用于电机驱动、电信、数据中心、太阳能和消费领域。

新一代650 V G5系列高压产品基于GIT技术，适用于消费、数据中心、工业和太阳能等领域。这些晶体管不仅具备出色的软开关和硬开关性能，还提供40 V、650 V和850 V电压的CoolGaN™双向开关（BDS），显著提升了应用效率和可靠性。

CoolGaN™ BDS 650 V和850 V采用真正的常闭单片双向开关，具备四种工作模式。通过使用一个BDS代替传统的四个晶体管，可以显著提高系统的效率、密度和可靠性，极大地降低了成本。CoolGaN™ BDS 40 V基于英飞凌肖特基栅极氮化镓技术的常闭单片双向开关，能够阻断两个方向的电压，并通过单栅极共源极设计进行了优化，以替代电池供电消费产品中的背对背MOSFET。与传统的背对背硅FET相比，使用40 V GaN BDS可以节省50%-75%的PCB面积，降低50%以上的功率损耗，并减少成本。

这些新型CoolGaN™晶体管目标应用和市场涵盖了移动设备USB端口、电池管理系统、逆变器和整流器等。CoolGaN™ 智能感应（Smart Sense）技术具有无损电流检测功能，简化了设计并进一步降低了功率损耗，具备2kV的静电放电耐受能力，可以连接到控制器电流感应以实现峰值电流控制和过流保护。其电流检测响应时间约为200 ns，小于等于普通控制器的消隐时间，具有极高的兼容性。