前言
自氮化镓半导体材料被正式写入“十四五规划”中，氮化镓产业获得国家层面的大力扶持。氮化镓属于第三代半导体材料，其运行速度比传统硅（Si）技术加快了二十倍，并且能够实现高出三倍的功率，用于尖端快速充电器产品时，可以实现远远超过现有产品的性能，在尺寸相同的情况下，输出功率提高了三倍。
氮化镓新技术应用领域广阔，覆盖5G通信、人工智能、自动驾驶、数据中心、快充等等，这其中快充市场发展最为迅猛，成为先进技术普惠大众的一个标杆应用，可谓是人人都能享受到新技术从实验室走向市场的便利；而快充出货量、需求量庞大，也反哺了氮化镓技术的不断迭代。快充与氮化镓，堪称天生一对。
合封氮化镓
充电头网对已在A股上市的多家电源芯片公司推出的合封氮化镓进行汇总，这些方案内置高压高性能氮化镓，该方案集当前行业最新控制技术、器件技术、功率封装技术之大成，进一步优化快充方案的待机功耗、市电保护、功率密度、转换效率、输出电压纹波等关键指标，实现技术降本！
详情已整理成上表所示，排名不分先后，按企业英文首字母排序。
BPS晶丰明源（股票代码：688368）
晶丰明源BP83223
BP83223 是一款高 PF、原边反馈、反激恒压控制芯片。芯片内部集成了 650 V 高压 GaN 功率管、高压启动电路和输入电压采样电路，只需要很少的外围器件就可以实现高精度恒压输出、高功率因数和低电流谐波。
BP83223 采用 Ton 时间控制机制，内置了 PF 增强控制算法，可轻松满足轻载下的新 ErP 分次电流谐波标准。准谐振工作模式（BCM 和 DCM）在谷底开通功率管，可实现更高的效率和较优的 EMI 性能。BP83223 内置了动态加速模块，能有效地改善系统对负载的响应速度，提供稳定的输出电压性能。
BP83223 采用了频率折返控制技术，系统在较大负载时工作于 BCM 模式，随着负载减小进入 DCM 模式，同时降低开关频率，有利于提高轻载效率。
BP83223 内置多种保护，包括逐周期限流、输出短路保护、输出过压保护、次级整流管短路保护、过载保护、VCC 过压/欠压保护、输入欠压保护、以及过温保护等。BP83223 采用 ESOP-10 封装，具备较好的散热性能。
晶丰明源BP87625
BP87625 是一款应用于 AC/DC 反激变换器的原边驱动开关，内置 650V GaN，集成高压自供电，集成 VCC 电容，适用于全电压输入33W 输出双绕组变压器的反激变换器应用。
BP87625 支持自适应 COT 控制方式，可工作于 CCM 或 DCM工作模式。接收和解调配对的副边控制器（BP433BX）通过磁耦隔离器（BP818）发送到原边的脉冲信号，控制原边功率管的开通 ，从而实现副边控制。超低的工作电流使得BP87625 可以直接从高压直流供电，省去了辅助绕组、整流二极管和外置VCC电容，外围电路⾮常简洁，⾮常适合宽输出电压范围的应用。同时满足待机功耗小于 50mW 和六级能效标准。
BP87625 采用频率调制技术，可以达到优异的 EMI 性能。BP87625 内置多种保护，包括逐周期限流、输出短路保护、CS 引脚开路保护、次级整流管开路保护、反馈环开路保护，过温保护等，以及较低的输出短路功耗使系统更加安全可靠。BP87625 采用 ESOP-5 封装。
Chipown芯朋微（股票代码：688508）
芯朋微PN8783
芯朋微PN8783系列有两种型号，分别是PN8783EB-A1以及PN8783EB-B1，PN8783EB-A1内部集成700V/165mΩ GaN FET，适用于65W功率应用；而PN8783EB-B1内部集成700V/270mΩ GaN FET，适用于45W功率应用。
这是一款专用于高性能的快速充电开关电源的QR-Lock初级控制器，最高支持500kHz工作频率，可以有效减小变压器及输出电容体积，待机功耗小于55mW，典型转换效率大于93%，可显著提升充电器功率密度。
PN8783内部集成电流模式控制器，采用了特有的多模式调制技术和特殊器件低功耗结构技术，可根据输入电压、输出电压和负载自适应切换OR-Lock Mode、PFM和Burst Mode，实现了全负载范围内的高效率和低待机功耗，避免了开关变换器进入CCM模式工作，从而降低了次级整流管的电压应力。
芯朋微PN8783采用SOP10/PP封装工艺，环路高度稳定，进口替换的适配度更高，适用于手机充电器、充电适配器等领域。
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1、芯朋微电子推出新一代合封氮化镓芯片PN8783/2系列，助力快充市场发展
芯朋微PN8782
芯朋微PN8782系列有两种型号，分别是PN8782SX-A1以及PN8782SX-B1，PN8782SX-A1内部集成700V/470mΩ GaN FET，适用于30W功率应用；而PN8782SX-B1内部集成700V/1000mΩ GaN FET，适用于25W功率应用。
芯朋微PN8782是一款内置高压GaN和高压启动电路的高频准谐振AC-DC转换器芯片，可根据输入电压、输出电压和负载自适应切换模式，实现了全负载范围内的高效率和低功耗，同时避免了开关变换器进入CCM模式工作，降低次级整流管的电压应力。频率调制技术和Soft-Driver技术充分保证系统良好的EMI表现。
芯朋微PN8782空载待机功耗小于55mW，并内置多种保护机制，采用SOP7/PP封装，适用于手机充电器等领域。
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JOULWATT杰华特（股票代码：688141）
杰华特JW1565J
JW1565J 是一款集成 GaN 的隔离离线反激 PWM 控制器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化优化 EMI 性能。内部的最大频率限制功能克服了 QR 反激转换器的固有缺点。
JW1565J内部集成高压启动和X电容放电功能，芯片内部集成700V耐压，165mΩ氮化镓开关管。
JW1565J 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。它可以符合最严格的效率法规。此外，当交流输入被移除时，高压引脚用于 X 电容放电，这有助于减少 X 电容放电损耗，实现极低的待机功耗。JW1565J 采用 6mm*8mm VDFN 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
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应用案例：
杰华特JW1568K
杰华特JW1568K是一颗氮化镓半桥芯片，芯片集成了一个门极驱动器和两个增强模式的GaN晶体管，使其在设计上更加简化，可大大降低系统复杂度。集成的功率GaN器件具有220mΩ的导通电阻和650V耐压，嵌入式栅极驱动器的高端部分可以通过集成的自举二极管轻松供电。
JW1568K具有较低的静态电流与适应广泛的Vcc电压范围，并可确保内部上下管驱动匹配的准确性，有助于提高系统的性能和稳定性。集成的高侧Bootstrap简化了设计，支持高频操作，最高可达2MHz，在高性能应用中表现出色。
JW1568K 具有对上下驱动部分的欠压锁定（UVLO）保护，防止电源开关在低效率或危险条件下运行。JW1568K 采用 6mm*8mm QFN 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
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1、拆解报告：Aohi 140W 2C1A氮化镓充电器（青春版）
杰华特JW15156D
JW15156D 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能。内部频率限制功能用于克服 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15156D 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。JW15156D 采用 PVDFN5*6-8 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
杰华特JW15156E
JW15156E 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能。内部频率限制功能用于克服 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15156E 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。JW15156E 采用 PVDFN5*6-8 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
杰华特JW15158AS
JW15158AS 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能，同时内部的最大频率限制功能克服了 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15158AS 在不同的输入和负载条件下结合 PWM 和 PFM 控制，以实现最高的平均效率。它能够符合最严格的效率法规。
JW15158AS 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。JW15158AS 采用 HSOP-7 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
杰华特JW15158B
JW15158B 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能，同时内部的最大频率限制功能克服了 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15158B 在不同的输入和负载条件下结合 PWM 和 PFM 控制，以实现最高的平均效率。它能够符合最严格的效率法规。
JW15158B 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。JW15158B 采用 HSOP-7 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
杰华特JW15158D
JW15158D 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能，同时内部的最大频率限制功能克服了 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15158D 在不同的输入和负载条件下结合 PWM 和 PFM 控制，以实现最高的平均效率。它能够符合最严格的效率法规。
JW15158D 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。JW15158D 采用 HSOP-7 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
杰华特JW15158I
JW15158I 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能。内部频率限制功能用于克服 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15158I 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。此外，当交流输入被移除时，高压引脚用于 X 电容放电，这有助于减少 X 电容放电损耗，实现极低的待机功耗。
JW15158I 采用 ESOP10 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
杰华特JW15158K
JW15158K 是一款集成 GaN 的隔离离线反激转换器，具有准谐振（QR）操作特性。QR 控制通过减少开关损耗提高效率，并通过自然频率变化改善 EMI 性能。内部频率限制功能用于克服 QR 反激转换器的固有缺点。
JW15158K 包含一个高压引脚用于启动，以消除传统的启动电阻并节省待机模式的能耗。此外，当交流输入被移除时，高压引脚用于 X 电容放电，这有助于减少 X 电容放电损耗，实现极低的待机功耗。
JW15158K 采用 ESOP10 封装。高度集成的设计提供了易于使用、低元件数和高效率的隔离电源传输解决方案。
Kiwi Instruments 必易微（股票代码：688045）
必易微KP2208X
必易微KP22080是一颗内部集成增强型氮化镓开关管的氮化镓合封芯片，芯片内部集成高压启动电路，具备超低启动和工作电流，待机功耗低于30mW。
KP22080芯片具备130/220KHz两档工作频率可选，支持全范围准谐振运行。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置，用于优化系统EMI性能。
芯片内部还集成升压供电，适用于PD快充宽范围输出应用。芯片内置供电欠压/过压保护，输入欠压保护，输出过压保护，逐周期电流限制，异常过流保护，过载保护，输出过流保护，过热保护，电流采样电阻开路保护。芯片采用HSOP-7封装，具有良好的散热性能。
必易微KP2208XB
KP2208XB 是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mw 的超低待机功耗。
KP2208XB 的工作频率最高可达220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统 EMI性能。
KP2208XB 集成恒功率控制与主动降功率控制功能在恒功率区间，通过控制输出电流随输出电压变化实现恒功率功能。外置温度检测环境温度，当温度过高主动降功率以降低系统温度，保证系统稳定可靠工作。
KP2208XB 集成有完备的保护功能，包括:VDD欠压保护(UVLO)、VDD 过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(UVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS 管脚开路保护等。
必易微KP2208XH
KP2208XH是一款集成E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成高压启动电路可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW 的超低待机功耗。
KP2208XH 的工作频率最高可达 220kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片集成峰值电流抖动功能和驱动电流配置功能，可极大的优化系统 EMI性能。芯片内置 Boost 供电电路，非常适用于宽输出电压的应用场景。
KP2208XH 集成有完备的保护功能，包括:VDD欠压保护(UVLO)、VDD 过压保护(VDD OVP)、输入过压保护(LOVP)、输入欠压保护(BOP)、输出过压保护(OVP)、输出欠压保护(DEM UVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(OLP)、内置过热保护(OTP)、前沿消隐(LEB)、CS管脚开路保护等。
必易微KP22064/6
必易微推出了两款采用反激拓扑的氮化镓合封芯片KP22064和KP22066，具有极低的待机功耗。高集成度的合封芯片可以减少充电器外围器件数量，能够实现高效率，小体积的开关电源设计。
KP22064和KP22066均内置650V氮化镓开关管，其中两款器件内置的氮化镓开关管导阻不同，支持的功率也不同，KP22064内置365mΩ氮化镓开关管，支持30-45W输出功率。KP22066内置165mΩ氮化镓开关管，支持45-100W输出功率。
值得一提的是，KP2206X合封芯片还支持双绕组为芯片供电，具有两个供电引脚，可以根据输出电压，切换供电绕组抽头。当输出电压范围宽且输出电压较高时，芯片可自动切换成低压绕组供电，降低芯片损耗。采用必易微专有的DFN8*8封装，将功率走线和控制走线分离，并采用大面积散热PAD，有效降低温升，具有优秀的散热性能。
必易微KP2206X(A)
KP2206X(A)是一款集成 E-GaN 的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成驱动调节功能，可调节 GaN FET 导通时驱动速度，优化系统EMI性能。
KP2206X(A)的工作频率最高可达 500kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片支持超宽VDD供电范围9V-112V。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于30mW的超低待机功耗。
KP2206X(A)集成有完备的保护功能，包括:VDD欠压保护(UVLO)、VDD 过压保护(VDD OVP)、输入欠压保护 (BOP)、输入过压保护(LOVP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(0LP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、CS 管脚开路保护等。
必易微KP2206XA
KP2206XA是一款集成650V GaN FET的高频高性能准谐振模式交直流转换功率开关。芯片集成驱动调节功能，可调节 GaN FET 导通时驱动速度，优化系统 EMI性能。
KP2206XA的工作频率最高可达500kHz，可全范围工作在准谐振模式。芯片支持超宽 VDD 供电范围 9V-112V。芯片集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的工作电流，实现小于 30mW 的超低待机功耗。
KP2206XA集成有完备的保护功能，包括:VDD欠压保护(UVLO)、VDD 过压保护 (VDD OVP)、输入欠压保护(BOP)、输入过压保护(LOVP)、输出过压保护(OVP)、逐周期电流限制(OCP)、异常过流保护(AOCP)、过载保护(0LP)、输出过流保护(SOCP)、内置过热保护(OTP)、CS 管脚开路保护家
KP2206XA采用小体积的 DFN8x8mm封装，适用于高频高功率密度的宽输入/输出范围交直流转换器设计。
SOUTHCHIP 南芯（股票代码：688484）
南芯SC3056A
南芯SC3056A是一颗高频准谐振反激转换器，具有高能效和高可靠性，内部集成650V耐压的开关管，可轻松驱驾30W~40W输出功率范围。
SC3056A工作在QR和DCM模式下，谷底开通以提高效率；提供自适应的频率折返用于实现全负载范围内的高效率；无负载时，芯片以突发模式运行，降低待机功耗。转换器内置高压启动电路，可实现超低的待机功耗和超快的启动速度。同时集成软启动电路，以及用于超宽输出范围的分段式供电电路。在突发和故障模式下具有超低的工作电流，满足待机能效要求。
SC3056A最高工作频率为175KHz，大幅降低磁性器件的体积和成本。全功率范围具备抖频功能，用以改善EMI性能。芯片内置过热保护，供电过压保护、供电欠压闭锁、逐周期电流限制、两级过流保护、输出过电压保护、输出短路保护和过载保护，提供完善全面的保护功能。
南芯SC3107C
南芯POWERQUARK®系列全集成芯片，型号SC3107C，芯片内置南芯自研的全集成封装技术，内置高速隔离数字通讯技术，集成次级控制软开关技术和次级控制主动式同步整流技术，并集成多标准快充协议兼容技术。一颗芯片可以实现传统充电器中原边控制器+GaN器件+隔离光耦+同步整流控制器和协议芯片五种独立功能。
南芯POWERQUARK®系列全集成芯片将器件极致集成，减少充电器外围元件数量，具备开发周期短，产品性价比高的优势。次级软开关技术降低了开关损耗，提高了转换效率，搭配同步整流，提升整体效率，降低散热要求。并且内置高速数字隔离通信，无需光耦，可靠性更高。
芯片内部还集成协议功能，支持UFCS融合快充，PD快充以及私有协议定制，满足主流市场需求。芯片内部集成供电过压保护，逐周期电流限制，输出欠压保护，输出过压保护，输出过电流保护和输出短路保护。内部还集成软启动，最高工作频率为175KHz。芯片采用SSOP38L封装，支持65-140W PD快充应用。
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南芯SC3057B
SC3057B是一款高频、准谐振反激PWM变换器，具备700V GaN集成（QR/DCM），可实现高效率和可靠性。该变换器内置了X电容器放电功能以及通过HV引脚的高压启动电路。因此，通过HV引脚可以获得极低的待机功耗和超快的启动时间。
SC3057B提供了自适应的开关频率折返功能，以在整个负载范围内实现更高的效率。它在QR和DCM模式下以谷底开关方式运行，以提高效率。在无负载情况下，IC将以脉冲模式运行以降低功耗。SC3057B具备低启动电流、快速启动和低待机功耗等功能。极低的运行电流（350uA）脉冲模式可以显著降低待机功耗，以符合效率法规要求。
SC3057B提供了全面的保护功能，以防止在异常情况下损坏电路。此外，频率抖动和智能驱动功能可最小化噪音并提高EMI性能。SC3057B采用QFN6x8封装。
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南芯SC3057
SC3057合封氮化镓芯片。南芯SC3057将高性能多模式反激控制器、氮化镓驱动、氮化镓开关管、供电和保护等电路集成在一颗散热增强的QFN6*8封装内部。通过合封来简化外部元件数量，并消除传统驱动走线寄生参数对高频开关的影响。
南芯SC3057采用了功率走线和控制走线分开的设计，降低高频开关对控制回路的影响，并通过优化的焊盘设计，优化充电器走线设计与电气性能，简化设计开发。
南芯SC3057内置165mΩ氮化镓开关管，支持175KHz开关频率，并支持X电容放电。
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南芯SC3056
南芯SC3056是一颗高频准谐振反激转换器，具有高能效和高可靠性，源自南芯半导体的SC305x系列。SC3056内部集成650V耐压的开关管，可轻松驱驾30W~40W输出功率范围。
SC3056工作在QR和DCM模式下，谷底开通以提高效率；提供自适应的频率折返用于实现全负载范围内的高效率；无负载时，芯片以突发模式运行，降低待机功耗。转换器内置高压启动电路，可实现超低的待机功耗和超快的启动速度。同时集成软启动电路，以及用于超宽输出范围的分段式供电电路。在突发和故障模式下具有超低的工作电流，满足待机能效要求。最高工作频率为175KHz，大幅降低磁性器件的体积和成本。全功率范围具备抖频功能，用以改善EMI性能。
芯片内置过热保护，供电过压保护、供电欠压闭锁、逐周期电流限制、两级过流保护、输出过电压保护、输出短路保护和过载保护，提供完善全面的保护功能。
南芯SC3055A
SC3055A是一款高频率、准谐振反激PWM转换器，内置了650V GaN（QR/DCM）技术，同时提供了自适应开关频率折返功能，能够在整个负载范围内实现更高的效率。
该转换器采用QR和DCM工作模式，结合了谷值开关运行，以提高效率。在无负载情况下，IC将切换至突发模式，以降低功耗。SC3055A具备低启动电流和低待机功耗等功能。突发模式下的极低操作电流（350uA）可显著减少待机功耗，满足效率要求。
此转换器还内置了用于供应VDD电源的段电源电路，特别适用于广范围输出电压的应用。SC3055A提供全面的保护功能，以防止在异常条件下电路受损。此外，其频率抖动和智能驱动功能的特点可以最大程度地减少噪音并提升EMI性能。
南芯SC3055
SC3055是南芯科技高性能高频QR控制器与GaN功率器件的完美结合，更加利于发挥GaN器件低阻抗、低开关损耗的优良性能；QR工作模式，可支持135kHz开关频率；提高系统的功率密度，满足日趋小型化的需求；特有的降频策略，使得全功率范围获得理想的转换效率。
SC3055内置650V耐压的氮化镓开关管，可支持20W~25W应用的应用场景，集成分段式供电，具备完善的保护功能。采用SOP-7封装，体积小巧，方便工程师制作样机。这颗芯片可应用于USB PD、QC快充充电器，也可以用于AC-DC适配器。提升转换效率，降低发热。
SC3055采用SOP-7封装。
南芯SC3054H
SC3054H是一款高频、准谐振反激PWM变换器，具备650V GaN集成（QR/DCM），可以实现高效率和可靠性。内部提供自适应的开关频率折返功能，以在整个负载范围内实现更高的效率。它在QR和DCM模式下以谷底开关方式运行，以提高效率。在无负载情况下，IC将以脉冲模式运行以降低功耗。
SC3054H提供低启动电流和低待机功耗等功能。极低的运行电流（350uA）脉冲模式可以显著降低待机功耗，以符合效率法规要求。同时集成了一个用于VDD电源供应的分段电源电路，特别适用于输出电压范围广泛的应用。
SC3054H提供全面的保护功能，以防止在异常条件下损坏电路。此外，频率抖动和智能驱动功能可以最小化噪音并提高EMI性能。SC3054H采用eSOP-7L封装。
充电头网总结
氮化镓作为第三代半导体材料，在技术性能和应用前景方面都表现出了卓越的优势，尤其是在快充领域的应用，更是显现出其独特的价值。以上汇总的新一代合封氮化镓快充方案，集成了最新的控制技术和功率封装技术，不仅提升了快充方案的功率密度和转换效率，还通过多种混合工作模式优化了全负载段的性能，进一步降低了待机功耗。多项智能化保护功能的引入，使得这些方案能够在各种应用场景中确保安全可靠运行。
氮化镓技术在不断创新和迭代，这不仅推动了快充市场的发展，也为各类先进技术的普及奠定了坚实基础。在国家政策的支持下，氮化镓产业将迎来更加广阔的发展空间，为实现技术降本和性能提升提供更多技术支持。随着氮化镓技术的进一步成熟和应用范围的不断扩展，相信将看到更多令人瞩目的新成果。
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