深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号：POWI）9月24日宣布交付采用该公司PowiGaN氮化镓技术的第一百万个InnoSwitch3开关电源IC。在安克创新深圳总部的活动现场，Power Integrations公司CEO Balu Balakrishnan亲手将第一百万颗氮化镓IC交到了安克CEO阳萌手中，充电头网有幸全程参与了此次事件报道。
安克是业界知名的充电器和适配器生产厂商，致力于为全球零售商提供紧凑、强大的USB PD适配器，以及适用于笔记本电脑、智能移动设备、机顶盒、显示器、家电、网络设备和游戏产品的各种充电器和适配器。
采用PowiGaN技术的InnoSwitch3恒压/恒流离线式反激式开关电源IC在各种负载条件下均可提供高达95%的高效性能。PowiGaN初级开关具有极低的开关和导通损耗，并且新器件采用节省空间的InSOP 24D表面贴装型封装，在密闭的适配器应用中无需使用散热片即可提供100 W的输出功率。
准谐振模式的InnoSwitch3-CP、InnoSwitch3-EP和InnoSwitch3-Pro IC在一个表面贴装封装内集成了初级功率开关、初级和次级控制电路以及其间相链接的安全隔离型高速链路(FluxLink)，同时集成了次级SR驱动器和反馈电路。PowiGaN所具有的卓越开关性能可大幅提高效率，从而实现紧凑的适配器设计。
如此一来，大大简化了工程师开发USB PD快充电源的难度，缩短产品研发周期，帮助工厂、品牌商加速量产上市。单芯片技术的突破，也减少了芯片尺寸对快充体积的影响，助力USB PD快充的小型化、轻薄化。
内置PowiGaN氮化镓技术的充电器可谓吸引了全球眼球，高速、高频、高效让大功率USB PD充电器不再是魁梧砖块，小巧的体积一样可以实现大功率输出，左侧Anker 30W充电器比同功率市售其他品牌充电器更小更轻便。
受益于苹果iPhone11支持USB PD快充协议，充电头网快充产业分析师预测，iPhone 11 Pro系列标配USB PD快充，将是手机快充领域超大规模应用的标杆性事件，带来USB PD应用需求的井喷性增长，更是对整个行业发展起到里程碑的意义。
Balakrishnan表示：“安克是全球紧凑型充电器设计领域的知名公司，也是PI第一家大量采购使用PowiGaN技术的InnoSwitch3产品的客户。我很高兴能感受到安克的企业远见和卓越技术，并感谢阳先生为市场上率先大批量成功使用高压氮化镓技术所作出的重要贡献。”
与此同时，阳萌表示：“通过使用基于PowiGaN技术的InnoSwitch3 IC，我们能够为市场提供更为紧凑、轻巧的大功率输出USB PD充电器。我们很高兴能利用这一创新的技术，帮助所有用电设备实现更快速充电的目标。我们相信，这一技术优势将会让我们获得积极的市场反馈和良好的客户反响。”
充电头网专访Balu Balakrishnan，Power Integrations公司CEO，充电头网作为独家中文媒体到场进行报道。Balakrishnan先生接受了充电头网的独家专访，谈论PI高集成度氮化镓技术的优势以及氮化镓充电器的快速发展。以下是本次专访的视频以及采访的中文翻译。
视频专访：https://v.qq.com/x/page/u3000c8pkji.html
充电头网：大家好，我是来自充电头网的编辑，现在在我旁边的是Power Integrations的CEO，Balu先生。Balu先生您好。
Balu：您好。
充电头网：我准备了几个问题。请您先介绍一下贵司氮化镓GaN芯片的出货量情况？
Balu：好的。我们在几个月前开始出货基于PowiGaN的产品，今天我们非常荣幸将第一百万个氮化镓InnoSwitch3器件交付给Anker！
充电头网：恭喜。
Balu：谢谢。
充电头网：PI的GaN氮化镓解决方案有哪些优势？
Balu：我们的PowiGaN开关技术可以大大减少充电器的尺寸和重量。相信你已经见过Anker的这款超小尺寸30W充电器。我们的最大优势在于我们将PowiGaN开关集成于我们的InnoSwitch3产品之中。GaN氮化镓应用的难点在于其超高的开关速度，因此非常难于驱动，并且难以保护。而PI的GaN氮化镓集成方案一并解决了这些问题。利用我们集成了GaN的InnoSwitch3器件，客户可以非常简便地设计出电源产品。
充电头网：能否透露PI的GaN氮化镓产品获得了哪些知名品牌或者大客户的采用呢？
Balu：基于保密的考虑，我们不方便透露具体OEM的信息。但我们可以说的是，我们正与数家OEM，以及包括Anker在内的消费端品牌合作，有些相关产品已经正式上市，有一些还有待发布。我们相信不久你就能看到市面上众多应用我们PowiGaN技术的产品上市。
充电头网：最近几周越来越多搭载GaN氮化镓技术充电器新品纷纷上市，请您展望一下GaN氮化镓在消费电子领域的发展趋势？
Balu：我相信对于电源开关应用，GaN氮化镓晶体管远远优于硅晶体管，因此我非常乐观地认为GaN氮化镓将在未来一两年内迅速取代硅。目前的关键在于使客户了解GaN的优势，即更小，更轻，更快。 如您所见，它已经在发生。 现在，许多产品已经采用了我们的GaN技术。 对于GaN技术的迅速推进，我非常乐观。
充电头网：随着氮化镓GaN充电器的价格逐渐下降，您是否认为明年，即2020年，将成为氮化镓GaN充电器普及元年？
Balu：是的，我完全相信这一点，因为我们的内置驱动和保护设计令其变得非常易于使用。 基于氮化镓GaN与基于硅的InnoSwitch3在应用上并没有什么不同。 除了性能之外，您甚至无法分辨出外观上差异。
充电头网：是的，我们的拆解发现（基于PI氮化镓GaN器件与基于硅器件的充电器）它们看上去基本一样。
Balu：我认为这将促成行业转型，因此我相信2020年将成为基于氮化镓GaN的充电器的转折之年。
充电头网：最后一个问题。Oppo最近宣布将为其旗舰手机搭配一款65W氮化镓GaN充电器，请问这是否是Oppo与Power Integrations合作的项目？
Balu：我不方便特别透露OEM方面的信息，但你们是否已对其进行了拆解？ （充电头网：还没有）那也许当您进行拆解之后，我可以告诉你更多信息。但是在市场上如您所见，有些OEM客户的产品已经上市。 而且我们认为很快就会有更多产品陆续上市。
充电头网：好的。谢谢，Balu先生。
Balu：谢谢。
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