前言

2024年10月14日，纳微半导体正式发布了全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim系列，并于10月15日在深圳召开了全球发布会。

作为全新的氮化镓功率芯片，GaNSlim采用纳微专利的DPAK-4L封装，具有高散热性能，通过集成驱动、控制和保护，以及内置的智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，使得系统设计变得最为简单、设计进展更快速和产品尺寸更小巧。此外，由于具备低于10µA的超低启动电流和超低待机电流，GaNSlim可与SOT23-6控制器兼容，无需高压启动的关闭功能，就能满足待机功耗要求。

DPAK-4L封装氮化镓

充电头网已汇总了纳微半导体 GaNSlim系列 DPAK-4L封装氮化镓功率IC的多款产品及其相关参数（如上图所示）。这些型号之间的主要区别在于导通电阻的差异。导通电阻越低，IC的导通损耗越小，效率也越高，但这也通常伴随着更高的成本。多种导通电阻的配置使该系列芯片能够满足更广泛的应用需求，开发者可以根据具体的应用场景和成本考量，灵活选择最合适的型号。

接下来充电头网也会对上述型号的芯片作一个详细介绍。

NV6143C

NV6143C是一款700V GaNSlim系列功率IC，集成了高性能eMode GaN FET（330mΩ）和集成栅极驱动器，旨在提供全球最快、最小、最有效且最可靠的功率集成解决方案。

该芯片内置了无损的电流检测功能，不需要外部电流检测电阻，从而提高了系统的效率，并增加了过温保护功能以提升系统的可靠性。自动待机和睡眠模式设计使得轻载和无载时的能效得到了显著提高。NV6143C还具备极高的dV/dt抗扰能力，其高速集成驱动和符合行业标准的低尺寸、低电感的DPAK封装相结合，使得Navitas GaN技术得以快速、可靠地应用在各种高能效解决方案中，从而实现突破性的功率密度和效率。

在封装上，NV6143C采用了自研的DPAK-4L封装，其接地散热焊盘可以有效降低封装电感，减少热阻，进一步提升系统的散热性能。其符合RoHS、无铅（Pb-free）和REACH等环保法规，且该芯片在节能方面也有显著优势，相较于传统的硅基解决方案，可节省多达40%的能耗。

在应用领域方面，NV6143C非常适合用于AC-DC充电器和适配器、无线充电、LED照明、太阳能微型逆变器、电视电源、服务器电源以及电信电源等领域。典型应用电路包括升压PFC和QR反激式电路，通过结合GaNSlim技术，可以在这些应用中实现更高效的电源管理和设计。

NV6144C

NV6144C是一款700V GaNSlim系列功率IC，集成了高性能eMode GaN FET（260mΩ）和集成栅极驱动器，旨在提供全球最快、最小、最有效且最可靠的功率集成解决方案。

该芯片内置了无损的电流检测功能，不需要外部电流检测电阻，从而提高了系统的效率，并增加了过温保护功能以提升系统的可靠性。自动待机和睡眠模式设计使得轻载和无载时的能效得到了显著提高。NV6144C还具备极高的dV/dt抗扰能力，其高速集成驱动和符合行业标准的小尺寸、低电感的DPAK封装相结合，使得Navitas GaN技术得以快速、可靠地应用在各种高能效解决方案中，从而实现突破性的功率密度和效率。

在封装上，NV6144C采用了自研的DPAK-4L封装，其接地散热焊盘可以有效降低封装电感，减少热阻，进一步提升系统的散热性能。其符合RoHS、无铅（Pb-free）和REACH等环保法规，且该芯片在节能方面也有显著优势，相较于传统的硅基解决方案，可节省多达40%的能耗。

在应用领域方面，NV6144C非常适合用于AC-DC充电器和适配器、无线充电、LED照明、太阳能微型逆变器、电视电源、服务器电源以及电信电源等领域。典型应用电路包括升压PFC和QR反激式电路，通过结合GaNSlim技术，可以在这些应用中实现更高效的电源管理和设计。

NV6145C

NV6145C是一款700V GaNSlim系列功率IC，集成了高性能eMode GaN FET（210mΩ）和集成栅极驱动器，旨在提供全球最快、最小、最有效且最可靠的功率集成解决方案。

该芯片内置了无损的电流检测功能，不需要外部电流检测电阻，从而提高了系统的效率，并增加了过温保护功能以提升系统的可靠性。自动待机和睡眠模式设计使得轻载和无载时的能效得到了显著提高。NV6145C还具备极高的dV/dt抗扰能力，其高速集成驱动和符合行业标准的小尺寸、低电感的DPAK封装相结合，使得Navitas GaN技术得以快速、可靠地应用在各种高能效解决方案中，从而实现突破性的功率密度和效率。

在封装上，NV6145C采用了自研的DPAK-4L封装，其接地散热焊盘可以有效降低封装电感，减少热阻，进一步提升系统的散热性能。其符合RoHS、无铅（Pb-free）和REACH等环保法规，且该芯片在节能方面也有显著优势，相较于传统的硅基解决方案，可节省多达40%的能耗。

在应用领域方面，NV6145C非常适合用于AC-DC充电器和适配器、无线充电、LED照明、太阳能微型逆变器、电视电源、服务器电源以及电信电源等领域。典型应用电路包括升压PFC和QR反激式电路，通过结合GaNSlim技术，可以在这些应用中实现更高效的电源管理和设计。

NV6146C

Navitas推出的NV6146C是一款700V的GaNSlim系列功率IC，采用了高性能的eMode GaN FET（电阻值为170mΩ），并集成了门极驱动器及多种扩展功能，旨在提供市场上最快速、最小巧、最高效且最为可靠的功率集成解决方案。

该芯片内置了无损的电流检测功能，不需要外部电流检测电阻，从而提高了系统的效率，并增加了过温保护功能以提升系统的可靠性。自动待机和睡眠模式设计使得轻载和无载时的能效得到了显著提高。NV6146C还具备极高的dV/dt抗扰能力，其高速集成驱动和符合行业标准的小尺寸、低电感的DPAK封装相结合，使得Navitas GaN技术得以快速、可靠地应用在各种高能效解决方案中，从而实现突破性的功率密度和效率。

在封装上，NV6146C采用了自研的DPAK-4L封装，其接地散热焊盘可以有效降低封装电感，减少热阻，进一步提升系统的散热性能。其符合RoHS、无铅（Pb-free）和REACH等环保法规，且该芯片在节能方面也有显著优势，相较于传统的硅基解决方案，可节省多达40%的能耗。

在应用领域方面，NV6146C非常适合用于AC-DC充电器和适配器、无线充电、LED照明、太阳能微型逆变器、电视电源、服务器电源以及电信电源等领域。典型应用电路包括升压PFC和QR反激式电路，通过结合GaNSlim技术，可以在这些应用中实现更高效的电源管理和设计。

NV6148C

Navitas推出的NV6148C是一款700V的GaNSlim系列功率IC，采用了高性能的eMode GaN FET（电阻值为120mΩ），并集成了门极驱动器及多种扩展功能，旨在提供市场上最快速、最小巧、最高效且最为可靠的功率集成解决方案。

该芯片内置了无损的电流检测功能，不需要外部电流检测电阻，从而提高了系统的效率，并增加了过温保护功能以提升系统的可靠性。自动待机和睡眠模式设计使得轻载和无载时的能效得到了显著提高。NV6148C还具备极高的dV/dt抗扰能力，其高速集成驱动和符合行业标准的小尺寸、低电感的DPAK封装相结合，使得Navitas GaN技术得以快速、可靠地应用在各种高能效解决方案中，从而实现突破性的功率密度和效率。

在封装上，NV6148C采用了自研的DPAK-4L封装，其接地散热焊盘可以有效降低封装电感，减少热阻，进一步提升系统的散热性能。其符合RoHS、无铅（Pb-free）和REACH等环保法规，且该芯片在节能方面也有显著优势，相较于传统的硅基解决方案，可节省多达40%的能耗。

在应用领域方面，NV6148C非常适合用于AC-DC充电器和适配器、无线充电、LED照明、太阳能微型逆变器、电视电源、服务器电源以及电信电源等领域。典型应用电路包括升压PFC和QR反激式电路，通过结合GaNSlim技术，可以在这些应用中实现更高效的电源管理和设计。

充电头网总结

纳微半导体推出的全新GaNSlim系列功率芯片通过DPAK-4L封装，不仅提升了芯片的散热能力，还将系统设计简化至前所未有的水平。这种封装方案使开发者能够更轻松地在多种应用场景中实现更高的功率密度，显著减少了设计的复杂性和时间成本。

GaNSlim系列的优势在于高集成度和高可靠性。通过集成驱动、控制、保护等多项功能，该系列芯片不仅显著提高了系统的效率，还减少了外部组件的数量，从而降低了整体成本。此外，GaNSlim内置的无损电流检测技术和智能化的EMI控制，进一步强化了系统的稳定性和兼容性，使得开发者能够轻松应对功率管理中的各种挑战。

得益于GaN技术的应用，GaNSlim系列功率芯片在效率和能耗方面表现尤为突出。相较于传统硅基方案，GaNSlim产品的能耗可降低多达40%，不仅符合环保和节能标准，还使得产品在小型化和高功率密度方面有了质的飞跃。这为AC-DC充电器、LED照明、服务器电源等多个应用领域提供了优越的选择，能够在更小的空间内实现更高的性能。