随着生活节奏的加快，手机电池容量加大，消费者迫切需要一种快速充电方案，缓解充电的烦恼，从而催生了快速充电器的发展和普及。此前，手机充电器在经历传统的5V 1A、5V 2A常规规格后，不能满足当下用户对智能数码设备快充的需求，迎来了以高通QC3.0、MTK PE、USB PD为主的三大快充标准。在上游的推动下，整个快充生态链已经具备多达数百款手机、充电器、移动电源、车充等产品。而实现快速充电必然需要加大充电功率，大功率意味着充电器体积的增加，作为移动电子设备配件，充电器体积必须做到小型化，以方便随身携带，这对电源效率，温升提出了更高的要求，所以催生了同步整流的发展。目前代表性的快充解决方案以PI，Iwatt为主，均采用同步整流，以提高电源效率，降低温度。
产品介绍
士兰微SVF65R950CMJ/Q/D沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用F-Cell平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
产品特色
（1）芯片：士兰微SVF65R950CMJ/Q/D芯片采用平底元胞设计，提高了器件击穿电压；更小尺寸的GR环，提高了器件可靠性；开关速度和EAS能力也有所提高。整体性能与ST的SuperMesh，Fairchild的UniFet技术类似。
（2）封装： 士兰微依托先进的工艺技术将Rdson 0.85欧的高压Mosfet芯片封进TO-251/TO-252封装里面。
（3）性能：此颗料号成功避免了使用Coolmos 的EMI困扰难题，同时减少外围器件，使整个PCB板布局紧凑。
（4）价格：相比TO-262，TO-263, TO-220F等其他封装，SVF65R950CMJ/Q/D这个封装成本具有价格优势，更具备市场竞争力。
目前，士兰微高压mos已经成功导入到魅族、乐视、VIVO、酷派等一线手机品牌充电器供应链，正在大批量出货。需要这款产品样片、PDF和datasheet的小伙伴，欢迎添加充电头网微信号chongdiantou2015免费提供。
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