随着USB PD快充的普及，市面上支持PD供电的无线充电发射方案也逐渐成为主流，不过这些方案大部分都需要外挂一颗协议芯片，导致PCB外围电路复杂、整体方案BOM上升，产品竞争力下降。
EESON一鑫研创继之前的LY6105A、LY7105A、RX测试模组等高整合度方案后，针对目前的PD接口的无线充电产品，又推出了GPM8FD3331B SOC高整合芯片，将PD的芯片协议、LDO、驱动整合到无线充电的MCU里，以提升产品整体的竞争力。
同时，该芯片的发射功率最高可达30W，支持目前市场无线充电通用Qi协议：BPP 5W，苹果7.5W，三星10W及EPP标准协议（小米10W、索尼快充、LG快充、Google快充等），支持Qi标准的BPP、PPDE、EPP等认证。
一、一鑫研创GPM8FD3331B五大特色
1、内置LDO
2、内置高性能双通道驱动
3、内置PD协议
4、方案最大功率可达30W（20V输入）
5、可做单线圈（MPA11）、双线圈(MPA20)、三线圈(MPA20)
二、一鑫研创GPM8FD3331B方案分析
以单线圈MPA11定频调压方案为例，PCBA效果图如上示。
目前市面上常见的EPP定频调压架构上需要单独用到1颗PD协议芯片、1颗LDO、2颗驱动、2颗MOS等；Eeson此次的定频调压方案，是联合老牌芯片原厂凌通科技（凌阳）定制的专属无线充电单片机，由Eeson一鑫研创自行进行方案研发，芯片本身内置LDO和双通道驱动，所以硬件架构上只需再配合2颗双NMOS，1颗调压Buck IC，即可实现QI的MPA11标准定频调压方案。
实际测试最大功率可达30W，如下图示输入为：20.0V/2.45A，输出为：12.70V/3.10A，初步估算效率为80.34%左右。
在输入电压方面，这款方案有2种选择：
1、固定DC电压输入，支持12V~20V任意电压，电流有1.5A以上即可，具体视要做到的发射功率而定；
2、标准Type-C PD协议适配器输入，GPM8FD3331B内置PD协议，兼容市面上常规的PD适配器，默认从适配器获得12V输入。兼容性测试展示如下：
Qi认证，EPP协议已在实验室完成重要项目的预扫动作，保障后面客户正式做Qi EPP认证没有问题。
三、一鑫研创GPM8FD3331B规格参数
从上面的芯片BLOCK DIAGRAM可以看出GPM8FD3331B 主频65.38MHZ，ROM 32K，RAM 256Byte+3K，内置高精度晶振、LDO、Gate Driver、解码OP，属于高集成度的无线充电专用芯片。
最后介绍一下本次研发的无线充电方案商：深圳市一鑫研创科技有限公司是一家有独立研发团队，专注于无线充电方案研发，目前隶属于老牌无线充电芯片原厂凌通科技有限公司，研发团队每个核心成员具有8年及以上的无线充研发经验，目前已在市场销售方案如下：
详情可咨询一鑫研创工作人员
大客户经理：Bill，13302445940
业务经理：Lily，13476189556
业务经理：刘先生，13763395497
产品经理：李世伟，13510208798
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