近年来，手机快充的普及给人们工作和生活带来了极大的方便，随着快充技术的迅速发展，更快速度、更小体积的充电器逐渐成为人们的一种新需求，而对于各大充电器厂商来说，大功率、高效率、小体积、安全稳定的高功率密度快充方案将成为这场战役中的制胜关键。
在传统以及准谐振反激形式应用中，由于MOS导通时的电压较高（基本都在150V以上），特别是高压的输入条件下，会有较高的开关损耗及DI/Dt造成的EMI干扰，影响系统效率及EMI特性。直到ZVS反激式快充方案的出现，很好的解决了这些痛点。
说到ZVS（零电压开关技术）反激，相信大家并不陌生，早在2018年，华为在mate20发布会上推出的40W SuperCharge超级快充充电器，就采用了英飞凌ZVS反激快充方案，这也是ZVS反激的首次商用，该方案具有小体积、大功率、高效率等特点，有效的提高了产品效率及功率密度，因而在华为旗舰机标配超级快充中一直被沿用。
而作为一家国内领先的模拟IC设计公司，亚成微电子于近期成功推出了国内首款ZVS反激式开关电源芯片RM6801S，填补了国内空白。RM6801S是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，内置700V高压启动，X-cap放电，可调交流输入Brown in/out等功能，工作频率高达130Khz，全电压范围内待机功耗小于65mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式以及拥有完备的各种保护功能，专有ZVS技术降低MOSFET开关损耗，改善EMI特性。采用分段驱动技术，搭配超结MOSFET（CoolMOS），并兼容直驱E-MODE GaN功率器件版本，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降低EMI器件成本，完美应用于大功率快速充电器。
亚成微电子是一家专注于高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，2014年1月在新三板挂牌（股票代码430552）。拥有由国际一流研发团队，自主研发的产品已获得国家专利55项，国际专利2项，另有50余项专利正在受理中，其中包含国际专利3项。
主要产品包括为5G通信设备提供关键的核心芯片ET- PA；物联网终端及可穿戴设备用的高功率密度DC-DC电源芯片（MHz）；LED驱动芯片和AC-DC电源管理芯片，在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户提供高功率密度快充解决方案，目前已推出了采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的初级主控芯片RM6715S、RM6717S以及内置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同时又配套推出了内置SGT MOS的次级同步整流芯片RM3405SH、RM3412SH和RM3413SH。
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