研吉推出65W 1A1C氮化镓快充方案，首发GaN systems芯片

充电头网近日从供应链获悉，业内首款基于GaNsystems氮化镓芯片的PD快充产品诞生，由USB PD快充专业方案公司研吉电子主导开发。该参考设计最大输出功率为65W，配备1A1C双口输出，单USB-C口输出65W（20V/3.25A），单USB-A口输出QC3.0 Max 18W (12V/1.5A)；双口同时输出时，USB-C口降为45W，USB-A口维持 18W。全系列采用双面板，最简化降功率设计理念。

研吉65W 1A1C氮化镓快充方案DEMO正面元器件布局较为密集，输入端除了共模电感、保险丝、整流桥之外，还设有三颗JSH万京源电解电容滤波，单颗规格400V 33μF。

输出部分同样设有两颗万京源固态电容滤波，此外还有一颗Buck-Bost电感，用于双口输出时USB-A口调压，两颗Y电容横跨在初级和次级之间。

变压器相对来说体积较小。

PCB板背面初级和次级之间有镂空处理，增加安全距离。

该方案的PWM主控芯片采用了一颗常见的料号，安森美NCP1342，其内置主动X2电容放电和多重完善的保护功能。

安森美 NCP1342 详细资料。

该方案的核心器件来自GaN systems，型号GS-065-011-1-L，650V耐压，导阻150mΩ，DFN5x6封装，支持超高开关频率，这颗GaN开关管设计时简化了驱动要求，所以没有采用外置驱动IC。

GaN systems GS-065-011-1-L详细规格。

同步整流控制器采用南芯半导体最新的SC3501。这是一款智能次级同步整流控制芯片，用于驱动反激变换器中次级MOSFET。代替肖特基二极管，带来更高的效率和更低的温升。当MOSFET的VDS电压低于导通阈值时，MOSFET导通，当MOSFET的VDS电压高于关断阈值时，MOSFET关断。实时监测MOSFET导通压降，以减小导通损耗。即使反激变换器工作在电流连续模式时，极为快速的关断延时可以保证MOSFET的准确动作，可靠性高。