Transphorm公司推出氮化镓芯片TP65H300G4LSG，SuperGaN Power FET

2020年氮化镓快充市场迎来了爆发式增长，一方面表现在各大氮化镓芯片原厂陆续实现量产出货，另一方面则是市面上主流的手机品牌和电商品牌纷纷入局，加速了终端配件产品的上市。

近日，充电头网再次从供应链获悉，美国Transphorm公司推出了一款氮化镓功率芯片TP65H300G4LSG，称之为SuperGaN，其基于Transphorm的第4代GaN平台，并采用先进的epi和专利设计技术，通过简化制造工艺降低成本，同时通过降低栅极电荷、输出电容、交叉损耗和反向恢复电荷提高硅的效率。

TP65H300G4LSG采用了Transphorm公司最先进的高压GaN-HEMT和低压硅MOSFET技术，提供了卓越的可靠性和性能。产品拥有耐压650V以及240mΩ的导阻，应用于快充充电器时，有赖于超低的开关损耗，在>300kHz开关频率下依然可实现>93%的高效率。不仅节能环保，而且使用更安全。

从基于Transphorm公司SuperGaN开发的65W氮化镓快充PCBA来看，其体积非常小巧。据悉，该方案已经对客户量产出货，并被罗马仕65W氮化镓快充充电器采用，在配备折叠插脚的情况下，充电器成品功率密度可达到1.07W/cm³，处于业界领先水平。

Transphorm公司TP65H300G4LSG详细规格资料。

关于Transphorm公司

Transphorm公司致力于设计、制造和销售用于高压电源转换应用的高性能、高可靠性的氮化镓（GaN）半导体功率器件。Transphorm持有数量极为庞大的知识产权组合，在全球已获准和等待审批的专利超过1000多项 ，是业界率先生产经JEDEC和AEC-Q101认证的GaN FET的IDM企业之一。

得益于垂直整合的业务模式，Transphorm公司能够在产品和技术开发的每一个阶段进行创新——包括设计、制造、器件和应用支持。

Transphorm：让电力电子应用超越硅极限。