为GaN而来，茂睿芯发布国内首款量产高频同步整流控制芯片MK1808H

作为第三代半导体的GaN，具有优异的开关性能，被视为手机快充技术的未来。新型的GaN FET可以实现更高的工作频率，带来更高的功率密度，满足各大充电器厂对更大功率、更小体积的要求。

此前茂睿芯推出的MK1808系列产品，已经获得多家头部充电器厂的广泛应用和认可，累计出货达几千万颗。为了匹配GaN系统高频工作特性，茂睿芯在MK1808的基础上继续潜心研发，重磅推出了支持高频的同步整流方案 MK1808H。针对目前市场上两种主流的GaN系统方案: 高频ACF和高频QR，都能够很好地适配。

1、支持高频ACF方案

ACF：Active Clamp Flyback/有源钳位反激，ACF电路是能够实现软开关的拓扑电路，有效降低功率管在开关的损耗，特别适合应用高频、小体积的场景，目前也是GaN系统主要的应用拓扑之一，应用框图如下。

为GaN而来，茂睿芯发布国内首款量产高频同步整流控制芯片MK1808H-充电头网

实测系统主要参数如下：
初级PWM：UCC28780
初级GaN：NV6115+NV6117
SR：MK1808H
SR MOS：BSC0805LS

当输入230Vac，输出20V3.25A时，工作频率高达440kHz，MK1808H能够轻松应对，如下图所示。

即便在440kHz高频工作下，MK1808H表面温度也只有72℃。

2、支持高频QR 方案

QR: Quasi-Resonant flyback/准谐振反激，QR工作模式使得功率管能够在谷底导通，减小功率管开通损耗，适合高频、小体积的应用，相比ACF，QR更简单、易调试，使其成为了目前GaN系统采用最多的电路拓扑，应用框图如下。

实测系统主要参数如下：
初级PWM：NCP1342
初级GaN：INN650D02
SR：MK1808H
SR MOS：VSP008N10MS

当输入230Vac，输出20V3.25A时，工作频率高达230kHz，MK1808H也是能够轻松应对，如下图所示。

MK1808H独具的驱动技术，相同SR MOS情况下能够达到更高的效率。

3、开机钳位，防止误导通

ACDC电源在启动过程中，SR 并不能立即启动，SR的Vcc有个充电过程。在此过程中如果SR不做处理，在SR MOS的Vds由低变高时，在结电容的作用下很容易把Vgs带高，容易引起SR MOS 误通，导致炸机等风险，尤其在高速的GaN系统该现象尤为明显，如下面右图所示。茂睿芯推出的MK1808H采取了主动钳位的技术，即便SR Vcc还未到开启电压时，也能够有效地对SR MOS的Vgs进行嵌位，最多呈现一个小尖峰，没有持续的平台电压，避免SR MOS误动作，如下面左图所示，如下面左图所示。