亚成微电子近期推出了一套全新高精简低成本65W GaN快充方案，该方案具有小体积、大功率、高效率（效率Max >93%）、超低待机功耗（待机功耗<60mW）等特点，采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，有效的提高了产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降低EMI器件成本，并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料成本。
正面
反面
电路原理
基于亚成微RM6601SN+RM3410T设计的PD-65W六级能效快充电源，DEMO外形尺寸为62mm（L）x30mm（W）x23mm（H），通过计算可得PCB模块的功率密度达到了1.52W/cm³。
同时，亚成微基于RM6601SN+RM3410T开发的这套65W GaN快充快充方案具有高集成、高密度、高性价比的特点，足以应对目前市场对65W GaN快充的需求。
亚成微RM6601SN是一款高性能高可靠性电流控制型PWM 开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持 CCM/QR 混合模式。
亚成微RM6601SN集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频 130KHz 的 PWM 模式下，在低压输入时会进入 CCM 模式；在重载情况下，系统工作在 QR 模式，以降低开关损耗，同时结合 PFM工作模式提高系统效率；RM6601SN 采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降低EMI器件成本，完美应用于大功率快速充电器。
在轻载或空载情况下，系统工作在 Burst Mode 模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6601SN 本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善 EMI。
RM6601SN 同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括 VCC OVP，内置 OTP，外置 OVP，欠压锁定（uvlo),逐周期过流保护 OCP，过载保护（OLP），CS 短路保护，输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。
该套方案搭配亚成微RM3410T高性能同步整流芯片，系统稳定性更高。是一款高性能同步整流器，用于反激式二次侧整流。通过驱动MOSFET，与传统的二极管整流器相比，RM3410T能够显着提高效率。当RM3410T检测到MOSFET的VDS小于-300mV时，它会导通MOSFET。一旦VSWS大于-10mV，RM3410T将关闭MOSFET。RM3410T支持多种操作模式，如DCM，CrCM，CCM和准谐振。通过实施专有技术，RM3410T能够处理CCM操作。
亚成微电子是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，拥有10年以上的模拟电路设计公司运营经验。公司具有国际领先技术水平设计团队，在USB PD快充领域，亚成微致力于为客户提供高功率密度USB PD快充解决方案，目前已推出了国内首款ZVS反激开关电源芯片RM6801S、国内首批E-Mode GaN FET直驱ZVS反激控制芯片RM6801SN、采用新一代PWM控制技术（自供电双绕组架构）的初级主控芯片RM6715S、RM6717S以及内置coolMOS的QR方案RM6514S、RM6517D。同时还配套推出了内置SGT MOS的次级同步整流芯片RM3405SH、RM3410T、RM3412SH、RM3413SH和RM3414SH。
如有样品需求可以与亚成微原厂接洽。
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