随着市场对快充适配器功率密度的不断追求，适配器的开关频率逐渐提升，以缩小内部元件体积，传统的Si MOS器件，开关损耗和驱动损耗已经明显拉低了适配器的转换效率，器件限制不能继续提高工作频率，限制了磁性元件的缩小，不能进一步提升适配器的功率密度。英诺赛科已经推出多款GaN快充方案，通过InnoGaN器件替换初级Si MOS，提高了快充适配器的转换效率和功率密度，英诺赛科InnoGaN产品已经获得努比亚、魅族、Lapo、摩米士、ROCK、飞频等数十家知名品牌和厂商的上百款产品采用，高压GaN出货量超过300万颗，市场反馈良好。

英诺赛科InnoGaN应用在APFC及LLC拓扑中

当初级Si MOS器件被InnoGaN器件替换以后，适配器的体积得到了很大程度上的缩减，但是有没有办法继续提升开关频率呢？传统Si MOS在几十KHz的工作频率下，同步整流取代肖特基可以得到很明显的效率提升，但是当频率提升到几百KHz的时候，Si MOS的驱动损耗不可忽视，不仅增大了驱动难度，还增加发热，降低适配器转换效率。

得益于GaN器件的低Qg、低导阻以及易于驱动的特性，英诺赛科推出了在次级同步整流使用的GaN同步整流管，通过使用InnoGaN器件替代次级传统Si MOS同步整流管，可降低低压侧同步整流驱动损耗，提高开关频率至500KHz以上，有效降低同步整流驱动器发热，从而大幅度缩小适配器体积，推高功率密度。

英诺赛科推出低压侧GaN同步整流管与初级侧InnoGaN组合，组成适配器的初次级全套All GaN解决方案，在初级使用InnoGaN开关管的基础上，次级同步整流也使用InnoGaN，强强联手，在高频开关下降低驱动损耗，降低驱动IC的温升，从而提高效率，减小适配器体积。

英诺赛科已推出低压GaN同步整流管，其晶圆级封装体积相比传统DFN5*6封装MOS管大大缩小，同时其优化的走线更加方便高频大电流布线，不仅可用在次级同步整流应用中，也可应用在大功率PD车充及移动电源应用中，如同步H桥升降压或同步整流升压降压电路，均能降低驱动损耗，提高工作频率，提升功率密度，是高频应用中传统Si MOS的理想替代品。

关于英诺赛科

英诺赛科科技有限公司成立于2015年12月，国家级高新技术企业，致力于研发和生产8英寸硅基氮化镓功率器件与射频器件；英诺赛科是全球最大的氮化镓功率器件IDM 企业之一， 拥有氮化镓领域经验最丰富的团队、先进的8英寸机台设备、加上系统的研发品控分析能力，造就英诺赛科氮化镓产品一流品质和性能的市场竞争优势。

自从2017年建立全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线以来， 目前英诺赛科已经发布和销售多款650V以下的氮化镓功率器件，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，能广泛应用于多个新兴领域， 如快充、5G 通信、人工智能、自动驾驶、数据中心等等。