小米入局33W迷你快充市场
飞利浦推出20W PD充电器
华为Mate X2搭载55W超级快充
……
基于手机厂商和终端用户的需要，近日，英诺赛科65W GaN快充方案再升级，采用InnoGaN系列具有更低的Ron（115mΩ）、更小寄生电容和DFN 5*6小封装的第二代新品INN650DA01，搭配ON的PWM控制芯片和MPS的同步整流控制芯片，可打造出高效率和高功率密度的全新65W快充方案。
该方案支持PD2.0、PD3.0、PPS、QC2.0/3.0、AFC、FCP、BC1.2DCP、5V2.4A等协议，加之小巧的设计完美解决了传统充电器的专款专用、体积大、携带不便的痛点。
一、输入全电压范围，效率达93%以上
InnoGaN 65W Demo 与两大主流品牌效率对比
从上图可知，InnoGaN 65W Demo在90V-264V电压下，效率均可达到93-95%之间，高效且稳定；与市场上主流品牌的SiMOS方案对比，效率提高5%，损耗减少大大提升充电速度，是手机、iPad、笔记本电脑的首选，达到迅速回血！
二、迷你体积，小巧轻便
InnoGaN 65W Demo 与市面主流品牌快充体积对比
InnoGaN 65W Demo主打高密度、小体积，与市场上主流快充产品相比，功率密度提升1倍，频率提高2倍，体积缩小30%，无论是日常出行或外出旅游，均能轻松入袋！
英诺赛科第二代新品INN650DA01 65W GaN快充方案，实现“更小体积、更高效率、安全稳定”的特性，极大满足各大厂商与终端用户的切实需求，将引领快充市场。
评论 (0)