针对USB PD快充小型化的挑战，慧能泰半导体PD source产品再添新品，近期推出了高集成度的PD协议芯片HUSB360。HUSB360采用的封装为SSOP-10L封装（即常说的SOP-10L封装），包含HUSB360A和HUSB360B两种型号。 慧能泰HUSB360不仅轻薄简易，而且功能强大，具有高度整合性、关键功能突出的特点，是各类Type-C供电设备的inbox电源适配器的最佳之选。 HUSB360特点总结如下：
  • 支持最多六组 FPDOs 和三组 APDOs
  • 集成N-MOSFET驱动器
  • 集成VCONN电源和eMarker检测
  • OTP、VIN OVP、VIN UVP、VIN UVLO和OCP保护功能
  • 高精度OTP，可以分电压单独设置
  • 针对笔电、音箱和电机驱动等应用的瞬间大电流抽载实现分级过流保护
  • 4.9mm x 6mm SSOP-10封装
慧能泰HUSB360芯片适用于USB Type-C电源供电器，包括笔记本电源适配器、平板和手机智能充电器，还支持Type-C供电的设备，如游戏机、无人机、音箱和电动工具等。 慧能泰HUSB360A和HUSB360B引脚定义如图1.所示，其中HUSB360A适用于带Type-C母座的应用，而HUSB360B适用于带Type-C公头和充电线（Captive cable）的应用。

图1. HUSB360引脚定义

慧能泰HUSB360已经取得 USB-IF PD3.0 PPS认证，TID号为5053。图2.给出了HUSB360的PD3.0认证信息截图。

图2. HUSB360的PD3.0认证信息

图3.和图4.分别给出了HUSB360A和HUSB360B的系统应用框图。其中HUSB360A适用于不带线的PD充电器应用。而HUSB360B适用于带线的PD适配器应用。

图3. HUSB360A系统应用框图

图4. HUSB360B系统应用框图

慧能泰和GaN Systems（氮化镓系统）公司联合开发了一个65W的GaN PD参考设计。图5.是HUSB360A PD小板的实物照片，该小子板可以直接用于GaN Systems 65W PD参考设计中；图6.是搭载HUSB360A的65W GaN PD系统框图；图7.是65W GaN PD实物照片。 参考设计包含外壳的尺寸是48mm×48mm×25mm，功率密度高达18.5 W/in3，整机达到58CC。峰值效率高达93.6%，性能突出。采用慧能泰HUSB360A 小子板搭配GaN Systems GaN器件的65W参考设计可以达到以下优势： 1、一流的性能参数（效率>93.6%，功率密度18.5W/in3, 表面温度低于70度等） 2、兼容更多PD协议 3、低成本，采用QR Flyback电路和慧能泰PD控制器 4、本地化技术服务 了解相关技术细节，可以联系慧能泰技术支持工程师。亦或者登录GaN Systems 相关参考设计网站：GS-EVM-CHG-65WQR-GS1 Evaluation Board | GaN Systems

图5. HUSB360 PD小板用于GaN Systems 65W PD 参考设计

 

图6 搭载HUSB360的65W GaN PD系统框图 （原边采用GaN Systems GS-065-011-1-L氮化镓器件）

图7. 65W GaN PD实物照片

关于慧能泰 慧能泰半导体专注于高性能模拟和混合信号集成电路的定义、开发和商业化推广，公司团队在工业级电源芯片领域有十多年的开发经验，核心成员来自ADI、TI等国际顶尖的半导体设计公司。 公司致力于打造USB-C PD快充生态链整体解决方案，已经开发出十多款高性能的eMarker及PD快充芯片并顺利实现量产，广泛应用于充电适配器、高品质线材及各类移动设备中。主要产品型号包括： 在持续为客户提供高性价比产品的同时，逐步建立起严格的质量管理体系，公司将持续加深与行业头部客户的长期战略合作。