自打百瓦快充大战兴起，充电器的功率密度不断提升，氮化镓和碳化硅第三代半导体的加入，使得PD快充可以做更小体积，纵使是百瓦也能做成一个非常小的尺寸。
在100W输出功率的氮化镓适配器中，需要使用PFC电路来修正功率因数。引入功率因数校正，需使用二极管整流。由于目前的PFC电路中大部分使用氮化镓开关管，开关频率达到百kHz级别，传统的快恢复二极管无法满足氮化镓的高开关频率，所以引入碳化硅二极管用于高频PFC整流。
国内碳化硅功率器件领先企业基本半导体在国内推出了SMBF封装碳化硅肖特基二极管产品。SMBF封装具有小面积占用和超薄封装的优势，厚度仅1.35mm，相比TO252封装有更小的封装面积和更薄的厚度，相比DFN封装具有更小的封装面积。基本半导体的SMBF封装大大节省了碳化硅二极管器件占板面积。
基本半导体针对大功率氮化镓PD快充高功率密度的要求，创新性的将SMBF封装应用到碳化硅肖特基二极管上，推出了业界首款SMBF封装碳化硅肖特基二极管。
基本半导体的SMBF封装碳化硅二极管占板面积为19mm²，厚度为1.35mm，非常适合PD快充应用。
基本半导体 SMBF碳化硅肖特基二极管由刘诚先生介绍。
基本半导体的SMBF封装碳化硅肖特基二极管集占板面积小，厚度薄，正向导通压降低，抗浪涌电流能力强的优点于一身。
基本半导体推出的SMBF封装碳化硅肖特基二极管外观尺寸仅为5.3*3.6mm，面积为19mm²。厚度1.35mm超薄。
与常见的紧凑型碳化硅肖特基二极管尺寸对比，在追求超薄超小的紧凑型应用中，SMBF封装的碳化硅肖特基二极管综合优势明显。
得益于基本半导体的全新制造工艺，SMBF封装的碳化硅肖特基二极管正向压降相比传统TO252封装，在常温结温下有0.05V的降低，150℃结温下压降降低0.1V，正向压降随温度上升增加较低，可降低高温下的器件导通损耗。
在充电器接入市电中，初级滤波电容通过整流桥和电感与碳化硅肖特基二极管充电，这对PFC电路中碳化硅升压二极管的抗浪涌能力提出了要求。
通过基本半导体对器件的失效分析，传统打线封装浪涌破坏是当邦定线无法传导芯片表面的肖特基势垒产生大量的热，直至芯片表层金属熔化，温度过高击穿损坏。而SMBF采用的铜框架封装具有增强的散热性能，可以将浪涌产生的热量散发出去，抗浪涌电流能力强。
基本半导体SMBF采用Clip Bond封装，相比其他形式封装具有更低的热阻，更好的散热能力。
基本半导体SMBF封装的碳化硅肖特基二极管采用Clip Bond条带键合，采用固体铜桥实现芯片和引脚连接的工艺。相比传统打线键合技术，可获得更低的封装电阻，更高通流能力和良好的导热性能。对于小封装的功率器件，实现双面散热，可以大幅提高性能。
SMBF封装小封装相比传统大封装，由于面积相比很小，热阻较高，需要增加铺铜散热，降低器件温升。
基本半导体的SMBF封装与TO252封装碳化硅肖特基二极管在同等条件进行温升测试，表面温升接近。
基本半导体的SMBF碳化硅肖特基二极管对湿气不敏感，为MSL2等级，在小于或等于30℃/60% RH的车间可保存一年。
目前基本半导体的4A碳化硅肖特基二极管已经生产，其他产品在开发或者规划中。
SMBF封装的碳化硅肖特基二极管，相比传统打线键合工艺，封装热阻更低。同时其厚度与其他器件相近，可共同使用导热垫散热降温。另外，即使不使用导热垫散热，SMBF超薄封装，也可以与外壳保持足够的距离，防止器件工作时的高温传导至外壳影响使用体验。
基本半导体推出的SMBF封装的碳化硅肖特基二极管具有小封装、高散热性能和低压降等多种优势，是传统封装碳化硅肖特基二极管的有力竞争者，超薄超小的封装对于寸土寸金的氮化镓适配器再合适不过了。
基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术，研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链，先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品，性能达到国际先进水平。其中650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试，其他同平台产品也将逐步完成该项测试。
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