ST意法半导体推出了三款MasterGaN器件，MasterGaN器件内部集成了两颗GaN开关管及驱动器，组成半桥器件，是一款先进的系统级功率封装，可输入逻辑电压信号轻松控制器件。ST的MasterGaN系列均为半桥器件，内置650V耐压的增强型氮化镓开关管，支持零下40到125摄氏度工作温度范围，三款器件仅内置开关管参数不同。
图为ST MasterGaN1的评估板，连接为半桥输出，左侧为驱动信号输入，右侧为半桥输出，左侧下方是一颗稳压器，为MasterGaN1提供稳压供电。
通过评估板图片可以看出，MasterGaN1器件将控制信号和功率走线分开，便于走线布局设计。
ST MasterGaN1 特写。
MASTERGAN1内部集成半桥驱动器和两颗耐压650V，导阻150mΩ的高压GaN开关管，集成在9*9*1mm的QFN封装内，对称半桥，工作电流10A，低侧和高侧均具有欠压关闭保护。驱动器内置自举二极管，内置互锁功能，且具有准确的内部定时匹配。具有独立的关断引脚，具有滞回和下拉的3.3-15V输入信号，外围元器件精简，具有非常紧凑和简便的布局，可实现灵活快捷的设计。
MASTERGAN2为非对称设计的半桥结构，上管为225mΩ，下管为150mΩ，其余功能与MASTERGAN1一致，可用于ACF拓扑。
ST MasterGaN2 特写。
ST MasterGaN2内部集成225mΩ上管和150mΩ下管。
MasterGaN4为对称半桥结构，内置两颗225mΩ导阻的高压GaN开关管。
ST MasterGaN4 特写。
ST MasterGaN4内部集成225mΩ上管和225mΩ下管。
小编制表方便大家看出不同型号之间的区别。
此外，还有基于MasterGaN1的250W输出功率LLC谐振电源EVLMG1-250WLLC。
这款电源采用400V直流输入，输出电压24V，尺寸为100*60mm，开关管和同步整流均焊接在小板上，提高空间利用率，便于散热。
电源背面高压侧有一颗控制器。
采用L6599A LLC控制器控制一个MasterGaN1进行LLC谐振运行。
焊接MasterGaN1的小板，没有任何辅助散热措施，仅靠PCB散热。基于器件内置的两颗150mΩ氮化镓开关管，就可通过LLC谐振输出250W高功率。
ST推出的MasterGaN系列产品，对于半桥架构的开关电源来说，是一颗非常适合的芯片。MasterGaN其9*9mm的封装看起来比较大，但是比起两颗8*8的GaN开关管加上独立的驱动器，占板面积大大缩小。同时合封器件也大大减小了寄生效应对效率的影响，提高电源产品的效率和可靠性。
MasterGaN优化的散热焊盘与走线布局，大大简化了PCB设计，适宜应用在高功率密度的大功率电源中，增加可靠性，减小体积，降低散热需求。
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