第三代半导体功率器件已纳入我国“十四五”规划，未来总体市场规模将达千亿级，氮化镓功率器件具有开关频率和电源转化效率高，有效降低充电头发热，帮助充电器小型化，已促进高功率密度的快充进入规模应用。
深圳镓华微电子有限公司是一家位于深圳专业从事第三代宽禁带半导体硅衬底氮化镓（GaN)功率器件的研发、生产和销售的科技公司。镓华微由在海外从事半导体行业25年和开发硅衬底GaN功率器件产品18年经验的刘查理博士领军。
公司拥有完整的硅衬底GaN功率器件相关的知识产权和技术。目前已经成功推出650V/900V/1200V硅衬底GaNElite系列功率器件，各项静态/动态/电路参数测试结果优异，相关技术成果国内外领先。公司正在积极布局生产链产能和产品市场推广，全力加速产品量产和市场销售。
公司生产的650V/900V/1200V 硅基GaN 器件采用共源共栅级联结构设计的GaN封装成品，具有器件可靠性高、易驱动、耐压强、效率高等特点，应用更加简单和灵活，可作为65W/100W/120W/200W等大功率快充充电器产品的不二选择。
产品列表（重点产品）
基于镓华微硅衬底的GaNElite产品已在多家快充厂家测试通过，后续镓华微将协同战略合作厂商相继推出多款合封氮化镓芯片：控制器+驱动器+GaN合封的高集成度解决方案，帮助客户实现最佳效率和最具竞争力的超小型快充产品。
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