GaNPower International总部位于加拿大温哥华，由一批国际著名学者，教授及高级工程师组建而成。公司专注于氮化镓（GaN）功率器件（组）、射频器件的研发与制造，并致力于为社会提供高效率能源转换解决方案。不间断地创新与深耕，为市场提供高性价比的氮化镓电子功率器件，及配套的外围集成电路，30多项设计及技术在中国受到发明专利保护，中国苏州办事处（iganpower.cn）的成立，将更加贴合国内市场顾客群体响应需求，以符合用户的工作原则，高效、快速地响应国内客户的发展需求。
GaNPower凭借创新的设计提供各种方便的封装形式的高性能GaN功率器件和相关IC。
1、分立器件
2、IC 器件
3、LGA封装
产品性能优越，多领域适用
1、超便携Type-C电源适配器
GaNPower采用GaN功率器件设备的先进技术，为高频率（高达1MHz）、高功率密度和高效率电源适配器提供完整的解决方案。
2、电动汽车
电力电子是可再生能源转化的后盾。硅基功率器件如DMOS和IGBT已经达到了性能极限。GaN是为了进一步降低功率转换过程中的能量损失。目前，GaNpower主要研究GaN-HEMTs应用的几种电力电子系统，包括但不限于笔记本电脑电源适配器、太阳能电池微逆变器、电动汽车充电站电源模块和数据中心服务器电源模块。
3、基于GaN-HEMTS的服务器电源模块
由于信息技术的飞速发展，我们进入了云计算和大数据时代。数据中心需要大量的服务器，每台服务器的功率范围在几百瓦到一千瓦之间。研究表明，如果将硅功率器件转换成GaN功率器件，每台服务器的效率可以提高1%，那么将大大节省电能节省 。例如，2010年，全球数据中心的耗电量接近2000亿千瓦，如果每个服务器电源都配备GaN-HEMT器件，把效率提高1%，我们就可以节省20亿千瓦，这足以为一个中型城市提供一整年的电力。
使用GaN功率器件的优势
1、高效：GaN材料的临界场是硅的10倍。在相同的电压额定值下，可以实现更低的通态电阻。
2、高开关速率：高开关速率使得电力电子系统设计者能够减少无源元件的总体积，从而大大提高功率密度。
3、卓越的热性能：GaN材料优异的热性能可以降低甚至完全没有热沉，从而进一步减小器件的尺寸和重量。
4、低成本：硅衬底的氮化镓HEMT器件能够使用现有的硅器件加工设备进行生产，从而降低它的制造成本；和传统的硅器件相比，单个氮化镓HEMT器件所产生的单位排放更小，从而在不久的将来使单个器件的成本比硅器件更低。
GaNPower参加了7月30日充电头网主办的2021全球第三代半导体快充产业峰会，展位号A04，感兴趣的朋友可通过以下方式取得联系，也可前往GaNPower展台进一步沟通。
联系方式：
电话：0512-65267027
邮箱：lucia@iganpower.com
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