深圳真茂佳半导体有限公司是一家以技术、市场为导向技术领先的功率半导体国家高新技术企业。
公司设计团队来自国内外顶尖功率半导体IDM企业的核心设计人员，并拥有至少15年以上设计经验；其中海外设计人员长期从事汽车级MOSFET产品的设计开发，也是少数最早参与车用Trench MOSFET和Double gate MOSFET的设计人员之一。
公司中低压MOS涵盖N型和P型，反压覆盖-12V至200V，导通电阻低至1mΩ以下。针对电源领域尤其是PD电源和快充领域公司主推SpeedFET系列产品，该系列产品击穿电压30V-150V、导通0.65-15mΩ、驱动电压均支持4.5V。该系列产品有比肩世界一流产品的优值（Qg*Rdson、Qgd*Rdson）和比导通电阻（Rdson*Area）。
公司针对PD电源和快充领域主推650-700V高压MOS，器件使用业内领先的超结技术，同样实现了业内领先的优值（Qg*Rdson）和比导通电阻（Rdson*Area）。为了提升器件可靠性，器件集成了ESD保护功能，有效减少了外部干扰对器件的损害，提升了器件装配和使用过程中的可靠性。同时器件集成可调Rg电阻能够有效控制器件的开关速度，解决了超结器件使用过程中经常遇到的EMI问题。通过优化漂移区N和P柱的掺杂分布实现了高EAS特性，有效提升了器件的抗冲击能力。
核心竞争力:
1、通过栅极自钳位专利技术，使得器件使用过程中产生的VGS尖峰电压实现了行业最低水平。通过屏蔽栅阻尼网络专利技术可以使器件使用过程的Vds尖峰控制在较低水平。
2、通过优化器件的纵向掺杂分布使器件的电容曲线平滑，有效提升了EMI能力。针对同步整流应用，优化了寄生二极管的反向恢复特性。
3、通过提高二极管的软恢复因子，可以有效抑制尖峰提升EMI能力。
联系方式:
电话：0755-21006030
E-Mail：Contact@zmjsemi.com
真茂佳参加了7月30日充电头网主办的2021全球第三代半导体快充产业峰会，展位号B02，感兴趣的朋友欢迎莅临展位洽谈、咨询。
评论 (0)