纳微半导体650V氮化镓功率芯片再升级，助力氮化镓充电器实现更好温控体验

DUBLIN, IRELAND — (PRWeb)：2020 年 6 月 3 日，纳微半导体公司宣布推出一系列全新的650V级别GaNFast氮化镓功率芯片，采用6 x 8 mm PQFN封装，并为高效率、高密度的电源系统提供专有的集成式散热盘。

氮化镓（GaN）是下一代半导体技术，它的开关频率比传统的硅（Si）器件要快20倍，并能以一半的尺寸和重量，实现3倍的功率或充电速度。GaNFast功率芯片能满足不同的功率市场需求，并实现下一代的产品升级。从消费市场中25W-100W的可移动USB-C快速充电器、智能手机和笔记本电脑的电源适配器，到200-800W的电视和一体式电脑，再到数千瓦功率需求的电动车、工业和数据中心的电源。纳微半导体的氮化镓功率芯片产品都能应付自如。

纳微半导体联合创始人兼首席技术官/首席运营官Dan Kinzer指出：“正如我们在小米和联想最近发布的产品中看到的那样，GaNFast功率芯片能高速运行，并大幅缩小了快速充电器和适配器中无源元件的尺寸和成本。与此同时，NV612x系列与PCB的热界面扩大，运行时的表面温度降低了10-15°C，并和系统地线直接进行热电连接，实现了世界上最高的功率密度，并通过了所有热规范和机构认证。”

虽然竞争对手的解决方案需要额外的、复杂的外部驱动和保护元件，但氮化镓场效应晶体管(FET)、氮化镓数字电路、氮化镓模拟电路的独特和专有的单片集成，这意味着新的GaNFast集成电路能提供最简单、最小、最快的性能，现在甚至能实现更低的运行温度。这种产品的简单性和复合能力的结合，促使世界上最小尺寸的快速充电器，在65W功率时能实现1W/cc的功率密度，在300W时能达到1.25W/cc的功率密度，远远超过其他任何分立的GaN或Si器件的解决方案。

对于电力电子设计人员来说，新的NV612x系列GaNFast氮化镓功率芯片，为棘手的热问题提供了一个优雅的解决方案，通过印刷电路板（PCB）的散热，改善效果立竿见影。带有先进散热盘的6×8毫米系列，与现有的5×6mm GaNFast系列价格相同。在某些情况下，新的散热增强版本，可以使设计者能够用新款产品替代旧款，进一步降低系统成本。

新的650V额定功率芯片系列包括完整的栅极驱动和保护电路，以及采用6 x 8 mm表面贴装PQFN、低电感（高速）封装的GaN功率FET。