能华 5
能华CE65E300DNYI获Mocoll摩可30W氮化镓充电器采用
前言
第三代半导体材料氮化镓GaN具备频率高，导阻低，低输入输出电荷等显著优势，在快充领域上逐渐取代了传统高压硅MOS管。采用氮化镓MOS管可以有效降低
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高性价比 ，能华推出TO252封装增强型GaN器件
前言
增强型GaN器件由于其优异的高频开关特性使得产品具有更高的能效和功率密度，从而减小充电器的体积和重量，在消费类的PD快充已经取得了广泛应用。目前的
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体积成本均降低! 能华36W氮化镓适配器对比传统MOS方案解析
前言
有着“业界性价比最高的氮化镓器件厂商”的江苏能华半导体推出了一系列适用于低成本适配器应用的级联型氮化镓产品，其中以TO252封装最具性价比优势。氮
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CoreGaN赋能适配器——能华推出多款GaN器件
前言
GaN功率器件已经广泛应用于各类快充产品，目前市场上从30W到240W的各类快充中功率开关管绝大多数采用的是GaN器件。GaN器件可以提升快充的系
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能华推出首款高Vth的增强型GaN器件
前言
氮化镓 GaN 以开关速度快，导阻低，低输入输出电荷的优势，应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅 MOS 管。使用 GaN 取代硅 MOS 管，不仅
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